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题名采用双向偏置曝光的成像干涉光刻技术
被引量：1
- 1
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作者
冯伯儒
张锦
刘娟
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机构
中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室
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出处
《光电工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期1-5,共5页
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基金
国家自然科学基金资助(60276043)
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文摘
成像干涉光刻技术(IIL)具有干涉光刻技术(IL)的高分辨力和光学光刻技术(OL)产生任意形状集成电路特征图形的能力。在IIL中,按掩模图形的不同空间频率成份分区曝光,并使其在抗蚀剂基片上非相干叠加,得到高分辨抗蚀剂图形。本文在研究一般三次曝光IIL原理基础上,提出采用沿X轴正、负方向以及沿Y轴正、负方向偏置的双向偏置照明,分别曝光+X方向、-X方向、+Y方向、-Y方向的高空间频率分量并与垂直于掩模方向的低空间频率分量曝光相结合的五次曝光IIL。理论和计算模拟表明,该方法可以提高图形对比度和分辨力,并减小因调焦误差引起的图形横向位移误差,有利于改善抗蚀剂图形质量。
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关键词
光学光刻
干涉光刻
成像干涉光刻
分辨力增强技术
双向偏置照明
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Keywords
Optical lithography （OL）
Interferometric lithography （IL）
Imaging interferometric lithraphy（IIL）
resolution enhanced technology （ret）
Double direction biased IIL
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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题名集成电路版图中的多边形匹配比较研究
- 2
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作者
史峥
高晓莹
任杰
施怡雯
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机构
浙江大学超大规模集成电路设计研究所
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出处
《机电工程》
CAS
2007年第10期32-35,共4页
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文摘
光学邻近校正是最重要的分辨率增强技术,而对光学邻近校正后的版图修正逐渐成为提高集成电路版图质量的必需步骤。提出了一种用于post-OPC版图(做过OPC的版图)修正的多边形匹配比较的线性算法。算法通过比较pre-OPC和post-OPC的版图,提取OPC校正时的分段信息和段偏移量,使得post-OPC版图的修正能够充分利用前次OPC的结果,避免了重做OPC,提高了OPC验证后修正的效率。
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关键词
可制造性设计
光学邻近校正
分辨率增强技术
多边形匹配比较
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Keywords
design for manufacturability （DFM）
optical proximity correction （OPC）
resolution enhancement technique （ret）
polygon matching and comparison
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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题名亚65nm及以下节点的光刻技术
被引量：1
- 3
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作者
徐晓东
汪辉
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机构
上海交通大学微电子学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第11期921-925,共5页
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基金
上海市浦江人才计划项目(05PJ14068)
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文摘
由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术。配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术还可能扩展到32 nm节点,但是光刻成本会成倍增长,成品率会下降。随着ASML在2006年推出全球第一款EUV曝光设备,人们纷纷看好EUV技术应用到32 nm及以下节点,但是它仍需克服很多技术和经济上的挑战。对于22 nm节点,电子束直写是最可行,成本最低的候选方案,业界将在它与EUV技术之间做出抉择。
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关键词
亚65nm
浸入式光刻
极紫外线
电子束直写
分辨率增强技术
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Keywords
sub-65 nm
immersion lithography
EUV
E-beam direct writing
ret （ resolution enhancement technology）
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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题名集成电路光刻过程中的ECO技术
- 4
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作者
张宏博
史峥
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机构
浙江大学电气工程学院
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出处
《机电工程》
CAS
2007年第12期59-62,共4页
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文摘
在现阶段深亚微米化的集成电路产业中,设计与制造已经出现日益严重的脱节,生产加工过程带来的重修正问题使得设计-生产周期大大加长,为了克服这个弊端,随之而来的反馈修正技术(ECO技术)应运而生。以光刻过程中光学临近矫正(OPC)技术所涉及到的反向修正技术为例,介绍了几种目前产业界所主要采用(或即将采用)的方法,并为此提出了几个目前所亟待解决的问题。
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关键词
集成电路
反馈修正
光学临近矫正
分辨率增强技术
光刻过程
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Keywords
integrated circuit （IC）
engineering change order （ECO）
optical proximity correction （OPC）
resolution enhancementtechnology （ret）
lithography
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名双重图形技术的优化设计
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作者
潘意杰
陈晔
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机构
浙江大学超大规模集成电路研究所
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出处
《机电工程》
CAS
2008年第12期35-38,共4页
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文摘
作为集成电路光刻设计下一节点发展的候选之一,双重图形技术(DPT)面临的诸多复杂过程将影响其在制造领域的迅速应用,其中最突出的因素是设计的复杂度和数据量急剧增长。通过分析版图分解问题和光学邻近校正(OPC)中的信息重用,在重分解修正后的版图与前次OPC数据-分段和段偏移量之间建立了关联,并进行了相关实验。实验结果表明,在保证版图校正精确度的同时,可节省大量的运行时间,同时也有效地缩短了DPT的流程。
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关键词
可制造性设计
双重图形技术
光学邻近校正
分辨率增强技术
重用
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Keywords
design for manufacturability （DFM）
double patterning technology （DPT）
optical proximity correction（ OPC ）
resolution enhancement technology（ret）
reuse
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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