基于28 nm RRAM的可重构真随机数发生器

1

作者 宋长坤 郑彩萍 陈铖颖 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期1516-1523,共8页

基于阻变存储器(RRAM)电流饥饿型环形振荡器的真随机数发生器(TRNG)方案,提出交替读写的操作模式,优化熵源重构机制.针对现有RRAM在多操作周期下跨导线性化问题,提出熵可配置电阻窗口钳位电路.通过减小电阻窗口获得RRAM非线性的最大化,... 基于阻变存储器(RRAM)电流饥饿型环形振荡器的真随机数发生器(TRNG)方案,提出交替读写的操作模式,优化熵源重构机制.针对现有RRAM在多操作周期下跨导线性化问题,提出熵可配置电阻窗口钳位电路.通过减小电阻窗口获得RRAM非线性的最大化,所提电路能够有效避免RRAM出现过度置位、过度复位的现象,保证熵源稳定性.基于UMC 28 nm HKMG工艺对TRNG进行流片.输出数据统计性测试结果通过了NIST SP800-22所有测试集的真随机数标准测试.检测结果表明,在高斯分布的95%置信区间,所有统计数据的自相关函数值均落在-0.003~0.003,输出序列具有良好的随机性. 展开更多

关键词 阻变存储器(rram) 真随机数发生器(TRNG) 熵源 电流饥饿型环形振荡器 跨导线性

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基于RRAM的混合存储模型 被引量：1

2

作者 杜娇 钱育蓉 +1 位作者 侯海耀 张猛 《计算机工程与设计》 北大核心 2018年第10期3068-3072,共5页

传统的DRAM受其存储密度、工艺尺寸限制已不能满足大数据时代对海量信息存储的需求。针对这一问题,提出一种混合存储模型。在传统内存结构的基础上,引入阻变存储器(RRAM)作为同级存储设备,利用其存储密度高、扩展性强、非易失性等特性... 传统的DRAM受其存储密度、工艺尺寸限制已不能满足大数据时代对海量信息存储的需求。针对这一问题,提出一种混合存储模型。在传统内存结构的基础上,引入阻变存储器(RRAM)作为同级存储设备,利用其存储密度高、扩展性强、非易失性等特性提高内存系统的容量和可靠性。通过构建混合内存控制器,合理分发请求,利用DRAM快速的写效率特性弥补新型存储器写延迟的缺点。在测试集PARSEC下对混合内存系统的读写性能进行测试与分析,验证了混合存储模型有效性。 展开更多

关键词 混合存储 新型存储器 阻变存储器 性能评测 内存

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ReHuff:基于ReRAM的Huffman编码硬件结构设计

3

作者 郑道文 周一开 +2 位作者 唐忆滨 刘博生 武继刚 《计算机工程与科学》 北大核心 2025年第6期988-997,共10页

随着数据量在深度学习等各种应用场景中的迅速增大,通信和存储的硬件开销显著增加。在此背景下,压缩方法的重要性日益提升。哈夫曼编码是目前具备代表性且广泛应用的压缩方法之一,其特点是在不损害数据完整性的前提下,有效压缩数据并节... 随着数据量在深度学习等各种应用场景中的迅速增大,通信和存储的硬件开销显著增加。在此背景下,压缩方法的重要性日益提升。哈夫曼编码是目前具备代表性且广泛应用的压缩方法之一,其特点是在不损害数据完整性的前提下,有效压缩数据并节省存储空间。然而,由于分层内存存储的限制,哈夫曼编码在传统硬件中的解决方案面临着高延迟和高能耗的挑战。提出了一种名为ReHuff的硬件架构,利用阻变随机存储器(ReRAM)实现在内存中直接进行哈夫曼编码。设计了基于ReRAM的哈夫曼编码映射方法,以提取有效数据。针对映射过程中存在的变长编码数据与定长ReRAM块之间的匹配问题,提出了适应架构设计的双阶段变长数据选择与分割方法,整合变长输出以节省能耗并提升ReRAM的利用效率。仿真结果表明,所提出的设计方案的性能与能耗表现均优于代表性基准,在性能方面提高了18.6倍,在能耗方面降低了82.4%。 展开更多

关键词 哈夫曼编码 数据压缩 阻变随机存储器 加速器设计 数据映射

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一种基于斯坦福RRAM模型的参数提取方法

4

作者 孙海燕 张硕 +1 位作者 张晓波 戴澜 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第8期670-675,共6页

阻变随机存取存储器(RRAM)是一种新型非易失性存储器件,比主流的闪存(Flash)器件具有更快的读/写速度、更低的编程电压和功耗。然而由于工艺不成熟等因素,RRAM准确的器件模型需要在已有的斯坦福物理模型基础上,对多达6个曲线拟合参数反... 阻变随机存取存储器(RRAM)是一种新型非易失性存储器件,比主流的闪存(Flash)器件具有更快的读/写速度、更低的编程电压和功耗。然而由于工艺不成熟等因素,RRAM准确的器件模型需要在已有的斯坦福物理模型基础上,对多达6个曲线拟合参数反复进行调整,具有一定的建模难度。提出了一种简并参数的建模方法,通过器件实测数据计算出其中4个曲线拟合参数I_(0)、g_(0)、γ_(0)、β。该方法大大降低了将物理模型适配为实际模型的建模难度,且由于基于实测数据,该建模方法理论上对不同工艺具有适配性。最后在不同工艺条件下制作了基于HfO_(x)材料的RRAM器件,并验证了该方法的有效性、先进性和准确性。 展开更多

关键词 阻变随机存取存储器(rram) 非易失性存储器 器件模型 HfOx材料 导电细丝理论

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用于高密度RRAM单端式可编程灵敏放大器设计 被引量：1

5

作者 马文龙 张锋 +1 位作者 杨红官 陈铖颖 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第10期735-739,共5页

针对现代科技生活中对高密度阻变存储器(RRAM)的应用需求,提出了一种单端式可编程灵敏放大器结构。该灵敏放大器结构无需额外的参考电路,从而避免了参考电流受工艺、温度等条件波动对读出结果的影响。通过在电路中引入可编程模式,使该... 针对现代科技生活中对高密度阻变存储器(RRAM)的应用需求,提出了一种单端式可编程灵敏放大器结构。该灵敏放大器结构无需额外的参考电路,从而避免了参考电流受工艺、温度等条件波动对读出结果的影响。通过在电路中引入可编程模式,使该灵敏放大器结构能够有效克服工艺偏差对存储单元能否正确存储信息的影响,从而实现存储信息的正确读出。该灵敏放大器基于HHNEC 0.13μmCMOS工艺设计实现,并且成功应用于8 Mbit RRAM设计中,通过后仿真验证,结果表明,在2～32μA电流范围内,灵敏放大器最小分辨率可达1μA。 展开更多

关键词 阻变存储器（rram） 单端式 可编程 灵敏放大器 阈值电压

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基于RRAM PUF的轻量级RFID认证协议 被引量：2

6

作者 陈飞鸿 张锋 +1 位作者 陈军宁 吴秀龙 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2021年第1期141-149,共9页

针对当前轻量级的射频识别(RFID)加密方案信息防护手段有限的问题,结合由阻变存储器(RRAM)构成的物理不可克隆函数(PUF),提出了一种新型的轻量级RFID双向认证协议。利用多级响应加密机制实现阅读器与标签之间的安全认证处理。结合RRAM ... 针对当前轻量级的射频识别(RFID)加密方案信息防护手段有限的问题,结合由阻变存储器(RRAM)构成的物理不可克隆函数(PUF),提出了一种新型的轻量级RFID双向认证协议。利用多级响应加密机制实现阅读器与标签之间的安全认证处理。结合RRAM PUF模型,采用了特殊的纠错处理方法提高PUF响应的可靠性并阻止了信息泄露。此外添加了密钥更新机制和异常攻击标识,抵御了追踪攻击和去同步攻击等威胁。经仿真、分析和对比结果表明,该协议可以有效抵抗多种攻击手段,具有较高的安全性和较低的计算成本。 展开更多

关键词 射频识别(RFID) 阻变存储器(rram) 物理不可克隆函数(PUF) 安全认证协议 轻量级

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1T1R结构RRAM的故障可测性设计 被引量：1

7

作者 陈传兵 许晓欣 +1 位作者 李晓燕 李颖弢 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期388-393,400,共7页

阻变随机存储器（RRAM）中存在的故障严重影响产品的可靠性和良率。采用精确高效的测试方法能有效缩短工艺优化周期,降低测试成本。基于SMIC 28 nm工艺平台,完成了1T1R结构的1 Mbit RRAM模块的流片。详细分析了测试中的故障响应情况,并... 阻变随机存储器（RRAM）中存在的故障严重影响产品的可靠性和良率。采用精确高效的测试方法能有效缩短工艺优化周期,降低测试成本。基于SMIC 28 nm工艺平台,完成了1T1R结构的1 Mbit RRAM模块的流片。详细分析了测试中的故障响应情况,并定义了一种故障识别表达式。在March算法的基础上,提出针对RRAM故障的有效测试算法,同时设计了可以定位故障的内建自测试（BIST）电路。仿真结果表明,该测试方案具有占用引脚较少、测试周期较短、故障定位准确、故障覆盖率高的优势。 展开更多

关键词 1T1R结构 阻变随机存储器(rram) 内建自测试(BIST) 故障类型 测试算法 故障定位

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增强RRAM可靠性的热通量压缩算法 被引量：1

8

作者 项中元 张锋 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期992-998,共7页

为提高阻变存储器(RRAM)的可靠性,研究了RRAM中的热串扰问题,提出了一种热通量压缩(TFC)算法,通过在RRAM读写电路之前加入TFC算法,降低在RRAM中产生的焦耳热,从而减弱RRAM中的热串扰问题,提高RRAM的可靠性。TFC算法通过分析计算写入数... 为提高阻变存储器(RRAM)的可靠性,研究了RRAM中的热串扰问题,提出了一种热通量压缩(TFC)算法,通过在RRAM读写电路之前加入TFC算法,降低在RRAM中产生的焦耳热,从而减弱RRAM中的热串扰问题,提高RRAM的可靠性。TFC算法通过分析计算写入数据流产生的真实焦耳热热量进而判断是否对写入数据流进行翻转编码,即TFC算法会在原始写入数据流和翻转编码数据流二者中选择热通量较小者通过算法层,从而达到减小RRAM存储器中焦耳热热量的目的。理论分析和仿真结果表明:以字节为单位数据块条件下TFC算法平均可降低30%以上的写入焦耳热,阻变单元的保持时间估值平均增加了35%以上。 展开更多

关键词 阻变存储器(rram) 焦耳热 热串扰 保持时间 热通量压缩(TFC)算法

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还原时间对AlO_x/WO_x RRAM开关速度的调制作用

9

作者 徐娟 傅雅蓉 林殷茵 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第9期650-655,668,共7页

基于128 kbit AlO_x/WO_x双层结构阻变存储器(RRAM)芯片,提出并验证了还原时间对RRAM开关速度的调制作用,同时设计了一种固定电压幅值逐步增大脉宽的算法用于RRAM阵列中速度的测试。还原处理的时间越长,AlO_x层的厚度越薄,同时氧空位的... 基于128 kbit AlO_x/WO_x双层结构阻变存储器(RRAM)芯片,提出并验证了还原时间对RRAM开关速度的调制作用,同时设计了一种固定电压幅值逐步增大脉宽的算法用于RRAM阵列中速度的测试。还原处理的时间越长,AlO_x层的厚度越薄,同时氧空位的含量增多,可加快导电细丝的形成、断裂和重新连接,进而提升芯片的开关速度。测试结果表明,还原时间由10 min增加至30 min,在4 V和4.5 V操作电压下,FORMING速度分布的均值分别由200 ns减小至120 ns和由100 ns减小至60 ns;在4 V和4.5 V操作电压下,RESET速度分布的均值分别由160 ns减小至120 ns和由120 ns减小至100 ns;SET速度分布的均值在4 V电压下可由120 ns减小至80 ns。此外,还原时间的增长可以改善速度分布的一致性,减小速度的波动。 展开更多

关键词 阻变存储器 开关速度 还原时间 速度波动 速度测试算法

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Ag掺杂TiO_(2)阻变特性的理论研究

10

作者 张燕 申世英 +1 位作者 颜安 栾加航 《石河子大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2024年第4期520-528,共9页

阻变随机存储器(RRAM)是一种非易失性存储器。相比于传统的存储器,阻变随机存储器的读写速度和存储性能都实现了重大突破,是公认的新一代主流存储器。但是以TiO_(2)等金属氧化物为衬底的阻变随机存储器还存在阻变机制不清楚的问题。采... 阻变随机存储器(RRAM)是一种非易失性存储器。相比于传统的存储器,阻变随机存储器的读写速度和存储性能都实现了重大突破,是公认的新一代主流存储器。但是以TiO_(2)等金属氧化物为衬底的阻变随机存储器还存在阻变机制不清楚的问题。采用基于密度泛函理论的第一性原理,研究了Ag掺杂TiO_(2)的阻变特性,研究表明[001]、[110]、[011]、[111]四个方向的形成能和表面能均为负,最容易沉积形成表面。[011]、[111]方向最高势能面最大,电荷容易集聚,临界势能面同样最大,容易形成导电细丝。同时[011]、[111]方向的扩散势垒最小,容易形成导电通道。[011]和[111]方向的禁带宽度明显小于[001]和[110]方向,且存在明显的轨道杂化,容易在特定方向形成导电细丝。[011][111]两个方向上的电子和空穴有效质量约为[001][110]两个方向的2/3,而迁移率约为[001][110]方向的1.5~2倍,因此在外电场作用下更容易形成导电细丝。[011]和[111]方向电导率增长迅速,是实现阻变特性的理想方向。本文的研究结果可为改善以TiO_(2)为衬底的阻变随机存储器的性能提供理论指导。 展开更多

关键词 阻变随机存储器 导电细丝 TiO_(2) 扩散势垒 第一性原理

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基于苯并噻二唑的共轭高分子材料的合成及其阻变存储性能 被引量：1

11

作者 赵泽淼 贺筱婷 +3 位作者 郑庭安 刘佳璇 车强 陈彧 《功能高分子学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期91-101,共11页

设计合成了一种新的基于苯并噻二唑的电子给体(D)-电子受体(A)型高分子阻变存储材料聚{[4,4′-(2,7-二苯基-9H-芴-9,9-二基)双(N,N-二苯基氨)]-alt-[4,7-双(4-正十二烷基-5-乙烯基噻吩-2-基)-苯并[c][1,2,5]噻二唑]}(PFVT)。以PFVT为活... 设计合成了一种新的基于苯并噻二唑的电子给体(D)-电子受体(A)型高分子阻变存储材料聚{[4,4′-(2,7-二苯基-9H-芴-9,9-二基)双(N,N-二苯基氨)]-alt-[4,7-双(4-正十二烷基-5-乙烯基噻吩-2-基)-苯并[c][1,2,5]噻二唑]}(PFVT)。以PFVT为活性材料制备的Al/PFVT/ITO(ITO:氧化铟锡)器件在室温下展现了非易失性阻变存储(RRAM)性能。器件经过50次开启、关闭循环操作,获得的平均开启和关闭电压分别为(-0.54±0.01) V和(2.42±0.05) V,电流开/关比为1.50×103。在循环操作期间的编程电压变化小于2.1%,器件展现出优良的可靠性。经200℃退火处理后,薄膜材料的结晶性增加,器件的平均开启和关闭电压减小,分别为(-0.49±0.01) V和(2.27±0.02) V。器件存储机制归属于电场诱导的分子内电荷转移。利用空间电荷限制电流模型和欧姆电流模型可以分别完美拟合OFF态和ON态电流。为了比较,用苯环替代高分子结构中的9,9-二(4-二苯胺基苯基)-芴单元,合成了聚{4-(4-十二烷基-5-(4-甲基苯乙烯基)噻吩-2-基)-7-(4-十二烷基-5-(丙烯-1-基)噻吩-2-基)苯并[c][1,2,5]噻二唑}(PPVT),该材料展现出类似的阻变存储性能。与PFVT相比,PPVT的开启电压明显变大,而电流开/关比则小了一个数量级,用苯环取代大体积芴单元后材料的热稳定性急剧下降,带隙增大。 展开更多

关键词 苯并噻二唑 共轭高分子 阻变存储 材料合成 电荷转移

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基于阻变存储器的物理不可克隆函数设计

12

作者 冯平 廖文丽 +2 位作者 左石凯 陈铖颖 黄渝斐 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期341-349,共9页

物理不可克隆函数(PUF)将集成电路制造过程中产生的工艺变化作为一种安全原语,已被广泛应用于硬件安全领域,特别是身份认证和密钥存储。提出了一种基于阻变存储器(RRAM)阵列的PUF优化设计,采用2T2R差分存储结构,并利用阵列中RRAM单元的... 物理不可克隆函数(PUF)将集成电路制造过程中产生的工艺变化作为一种安全原语,已被广泛应用于硬件安全领域,特别是身份认证和密钥存储。提出了一种基于阻变存储器(RRAM)阵列的PUF优化设计,采用2T2R差分存储结构,并利用阵列中RRAM单元的阻值变化产生PUF的随机性,以实现更高安全级别所需的大量激励-响应对(CRP)。RRAM PUF的存储单元基于28 nm工艺实现,其面积仅为0.125μm~2,相比传统PUF存储单元面积开销减小,在入侵和侧信道攻击方面具有更好的鲁棒性。实验数据表明,RRAM PUF唯一性达到了约49.78%,片内汉明距离为0%,一致性良好,具有较好的随机性。 展开更多

关键词 硬件安全 阻变存储器(rram) 物理不可克隆函数(PUF) 激励-响应对(CRP) 灵敏放大器

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氧化锰-氧化铪双层结构阻变存储器交叉阵列的研究

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作者 胡全丽 罗涵琼 苏旺 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第S01期246-250,共5页

组建了具有5×5交叉阵列结构的Ag/MnO/HfO_(2)/Pt阻变存储器,研究了MnO和HfO_(2)双层结构的电阻转变特性。器件表现出高开关比、低操作电压和无电初始化等稳定的双极性电阻转变特性。电阻转变机制主要为欧姆传导和肖特基发射机制。... 组建了具有5×5交叉阵列结构的Ag/MnO/HfO_(2)/Pt阻变存储器,研究了MnO和HfO_(2)双层结构的电阻转变特性。器件表现出高开关比、低操作电压和无电初始化等稳定的双极性电阻转变特性。电阻转变机制主要为欧姆传导和肖特基发射机制。证明了具有5×5交叉阵列结构的Ag/MnO/HfO_(2)/Pt器件有望成为一种有潜力的阻变存储器候选体系。 展开更多

关键词 氧化锰 氧化铪 阻变存储器 交叉阵列

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忆阻式传感器的研究进展与展望

14

作者 胡伟 王又弘 +2 位作者 康开进 董彩丽 何邕 《仪器仪表学报》 CSCD 北大核心 2024年第12期1-11,共11页

忆阻器作为第4类无源电子器件,具有结构简单、存储速度快、集成密度高等优点,被认为是下一代非易失性存储器和人工突触器件的有力竞争者。目前,基于电阻、电容、电感3种无源电子器件构建的电阻式、电容式、电感式传感器原理清晰、研究... 忆阻器作为第4类无源电子器件,具有结构简单、存储速度快、集成密度高等优点,被认为是下一代非易失性存储器和人工突触器件的有力竞争者。目前,基于电阻、电容、电感3种无源电子器件构建的电阻式、电容式、电感式传感器原理清晰、研究深入、应用广泛。然而,基于忆阻器的忆阻式传感器的研究却处于起步阶段。首先从简要介绍忆阻器的性能、材料、机理和应用出发,基于忆阻器在传感领域的探索研究引出并阐明忆阻式传感器的概念;然后重点综述利用忆阻器进行物理参量、化学参量、生物参量等传感特性研究的国内外进展;最后,根据忆阻式传感器发展现状的分析总结,指出其面临的挑战与相应的展望,为未来忆阻式传感器研究提供可行的方向。 展开更多

关键词 忆阻器 阻变存储器 忆阻式传感器 阻变特性 传感性能

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新一代存储技术：阻变存储器 被引量：14

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作者 王源 贾嵩 甘学温 《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期565-572,共8页

阻变存储器具有存储单元结构简单、工作速度快、功耗低、有利于提高集成密度等诸多优点,受到广泛的关注。作者论述了RRAM的基本结构和工作原理,并介绍了三维集成和多值存储等RRAM新型技术。

关键词 不挥发性存储器 阻变存储器 电阻可逆转换 三维集成 多值存储

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新型磁性隧道结材料及其隧穿磁电阻效应 被引量：15

16

作者 韩秀峰 刘厚方 +6 位作者 张佳 师大伟 刘东屏 丰家峰 魏红祥 王守国 詹文山 《中国材料进展》 CAS CSCD 2013年第6期339-353,共15页

典型的磁性隧道结是"三明治"结构,即由上下两个铁磁电极以及中间厚度为1 nm量级的绝缘势垒层构成。当外加磁场使两铁磁电极的磁矩由平行态向反平行态翻转时,隧穿电阻会发生低电阻态向高电阻态的转变。自从1995年发现室温隧穿... 典型的磁性隧道结是"三明治"结构,即由上下两个铁磁电极以及中间厚度为1 nm量级的绝缘势垒层构成。当外加磁场使两铁磁电极的磁矩由平行态向反平行态翻转时,隧穿电阻会发生低电阻态向高电阻态的转变。自从1995年发现室温隧穿磁电阻(TMR)以来,非晶势垒的AlOx磁性隧道结在磁性随机存储器(MRAM)和磁硬盘磁读头(Read Head)中得到了广泛的应用,2007年室温下其磁电阻比值可达到80%。下一代高速、低功耗、高性能的自旋电子学器件的发展,迫切需要更高的室温TMR比值和新型的调制结构。2001年通过第一性原理计算发现:由于MgO(001)势垒对不同对称性的自旋极化电子具有自旋过滤(Spin Filter)效应,单晶外延的Fe(001)/MgO(001)/Fe(001)磁性隧道结的TMR比值可超过1 000%,随后2004年在单晶或多晶的MgO磁性隧道结中获得室温约200%的TMR比值,2008年更是在赝自旋阀结构CoFeB/MgO/CoFeB磁性隧道结中获得高达604%的室温TMR比值。伴随着新势垒材料的不断发现和各种磁性隧道结结构的优化,共振隧穿和自旋依赖的库仑阻塞磁电阻等新效应以及磁性传感器、磁性随机存储器和自旋纳米振荡器及微波检测器等新器件逐渐成为科学和工业界所关注的研究与应用热点。对磁性隧道结(MTJ)材料及其器件应用研究和进展进行了简要介绍。 展开更多

关键词 巨磁电阻效应 隧穿磁电阻效应 磁性隧道结 第一性原理计算 自旋转移力矩效应 库仑阻塞磁电阻 磁随机存储器

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脉冲激光沉积制备非晶La_(0.75)Sr_(0.25)MnO_3薄膜用于半透明阻变存储器（英文） 被引量：2

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作者 张佳旗 吴小峰 +3 位作者 马新育 袁龙 黄科科 冯守华 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2018年第4期784-790,共7页

用脉冲激光沉积方法制备非晶La_(0.75)Sr_(0.25)MnO_3(a-LSMO)薄膜作为阻变器件(Ag/a-LSMO/ITO)的中间层,所得器件具有良好的非易失性和双极阻变行为。ITO衬底及超薄a-LSMO薄膜具有很高的可见光透过率,从而可制备半透明阻变器件。通过... 用脉冲激光沉积方法制备非晶La_(0.75)Sr_(0.25)MnO_3(a-LSMO)薄膜作为阻变器件(Ag/a-LSMO/ITO)的中间层,所得器件具有良好的非易失性和双极阻变行为。ITO衬底及超薄a-LSMO薄膜具有很高的可见光透过率,从而可制备半透明阻变器件。通过高分辨透射电镜直接观测到了在银电极与ITO电极间的银导电细丝。器件的阻变特性归因于在非晶镧锶锰氧层中的银导电细丝的生长与断裂。 展开更多

关键词 阻变存储器 锰氧化物&脉冲激光沉积 钙钛矿

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基于写页面热度的混合内存页面管理策略 被引量：2

18

作者 杜娇 钱育蓉 +2 位作者 张猛 赵京霞 张文冲 《东北师大学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2021年第2期53-59,共7页

针对阻变存储器(RRAM)写延迟大的问题,提出一种基于写页面热度的混合内存页面管理策略,将写页面进行冷热区分,存于动态随机访问存储器(DRAM)上,减少RRAM上的写数量.在基准程序集PARSEC下对混合内存系统的性能进行测试与分析.结果表明,... 针对阻变存储器(RRAM)写延迟大的问题,提出一种基于写页面热度的混合内存页面管理策略,将写页面进行冷热区分,存于动态随机访问存储器(DRAM)上,减少RRAM上的写数量.在基准程序集PARSEC下对混合内存系统的性能进行测试与分析.结果表明,所提出的页面管理策略可以有效地提高系统性能. 展开更多

关键词 混合内存架构 非易失存储 阻变存储器 页面管理策略

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过渡金属氧化物薄膜阻变存储材料研究 被引量：1

19

作者 高兴森 张飞 +1 位作者 林远彬 芦增星 《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2013年第6期75-84,共10页

随着半导体技术和集成电路的进步,器件的集成度不断提高,器件的特征尺寸不断减小,基于电荷存储的传统非易失性随机存储器面临着物理和技术上极限的挑战.阻变式存储器(RRAM)作为新一代存储器件,因其具有结构简单、制备简便、存储密度高... 随着半导体技术和集成电路的进步,器件的集成度不断提高,器件的特征尺寸不断减小,基于电荷存储的传统非易失性随机存储器面临着物理和技术上极限的挑战.阻变式存储器(RRAM)作为新一代存储器件,因其具有结构简单、制备简便、存储密度高、擦写速度快、写入电流小等优势受到广泛研究.针对过渡金属氧化物薄膜RRAM的研究概况,从RRAM的基本原理、材料体系、存储机理和器件应用所面临的困难等方面对RRAM进行了综述. 展开更多

关键词 阻变存储器 非易失性存储 过渡性金属氧化物 薄膜

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基于阻变效应非挥发性存储器的研究概述 被引量：1

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作者 陈心满 赵灵智 牛巧利 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第15期19-26,共8页

随着半导体技术节点的推进,传统的半导体存储技术已经满足不了人们对便携式信息产品的要求。阻变式存储器(RRAM)作为一种新的存储技术,其器件具有结构简单、与CMOS工艺兼容、可高密度集成以及快速存储等优势,引起人们广泛的研究兴趣并... 随着半导体技术节点的推进,传统的半导体存储技术已经满足不了人们对便携式信息产品的要求。阻变式存储器(RRAM)作为一种新的存储技术,其器件具有结构简单、与CMOS工艺兼容、可高密度集成以及快速存储等优势,引起人们广泛的研究兴趣并成为国内外研究的热点领域。就目前RRAM器件的研究现状,从RRAM器件的基本工作原理、微观物理机制、实际应用所遭遇的挑战以及新型RRAM器件等方面进行了简要评述。 展开更多

关键词 rram存储器 阻变效应 电阻存储物理机制

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