期刊文献+
共找到9篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Functional design and understanding of effective additives for achieving high-quality perovskite films and passivating surface defects
1
作者 Fengwu Liu Jiacheng Xu +7 位作者 Yongchao Ma Yoomi Ahn Xiangrui Du Eunhye Yang Haicheng Xia Bo Ram Lee Pesi Mwitumwa Hangoma Sung Heum Park 《Journal of Energy Chemistry》 2025年第3期597-608,共12页
Achieving high-quality perovskite films without surface defects is regarded as a crucial target for the development of durable high-performance perovskite solar cells.Additive engineering is commonly employed to simul... Achieving high-quality perovskite films without surface defects is regarded as a crucial target for the development of durable high-performance perovskite solar cells.Additive engineering is commonly employed to simultaneously control the growth of perovskite crystals and passivate defects.Here,4-(trifluoromethyl)benzoic anhydride(4-TBA)composed of benzene rings functionalized with carbonyl and trifluoromethyl groups was used as an example additive to study the characteristics of additives used for producing high-quality perovskites and controlling their surface properties.The interaction between4-TBA and perovskite precursor materials was investigated using density functional theory(DFT)simulations.The electron-rich carbonyl group efficiently passivated the under-coordinated lead-ion defects.Additionally,hydrogen bonding between trifluoromethyl and organic cations prevents the generation of cation vacancies.Because of its intrinsic hydrophobicity,the trifluoromethyl group simultaneously improves the moisture and heat stability of the film.4-TBA serves as a universal modifier for various perovskite compositions.The power conversion efficiency(PCE)of inverted perovskite solar cells(PSCs)based on methylammonium(MA)with 4-TBA was improved from 16.15%to 19.28%.Similarly,the PCE of inverted PSCs based on a cesium formamidinium MA(CsFAMA)perovskite film increased from20.72%to 23.58%,upon addition of 4-TBA.Furthermore,the moisture and thermal stability of 4-TBAtreated films and devices was significantly enhanced,along with prolonged device performance.Our work provides guidance on selecting the structure and functional groups that are essential for surface defect passivation and the production of high-quality perovskites. 展开更多
关键词 Perovskite solar cells regulated crystal growth Defect passivation 4-(trifluoromethyl)benzoic anhydride Perovskite stability
在线阅读 下载PDF
一款基于SiGe工艺的宽带射频驱动放大器
2
作者 张斌 蒋颖丹 +4 位作者 权帅超 汪柏康 孙莎莎 秦战明 孙文俊 《现代电子技术》 北大核心 2025年第2期14-20,共7页
为了降低温漂效应对放大器的影响,通过理论分析,设计了一款集成有温度补偿直流偏置网络的宽带射频驱动放大器。为了提高增益和输出功率,电路采用两级差分共射-共基极(cascode)结构,输出端口集成了一款结构新颖的差分转单端Marchand巴伦... 为了降低温漂效应对放大器的影响,通过理论分析,设计了一款集成有温度补偿直流偏置网络的宽带射频驱动放大器。为了提高增益和输出功率,电路采用两级差分共射-共基极(cascode)结构,输出端口集成了一款结构新颖的差分转单端Marchand巴伦,同时基于0.18μm SiGe BiCMOS高性能异质结双极晶体管工艺进行设计。电磁仿真结果显示,在8~16 GHz的频带范围内,放大器的增益>26 dB,输出1 dB功率压缩点≥10 dBm,饱和输出功率≥13 dBm,端口回波损耗≤-10 dB,-40~125℃范围内同频点增益浮动≤1.5 dB。所设计的驱动放大器电路性能稳定,2.8 V电源工作电流为45 mA,尺寸仅为0.50 mm×0.58 mm,实现了SiGe放大器高性能、小型化的设计要求。 展开更多
关键词 驱动放大器 宽带射频 SIGE工艺 温度补偿 共射-共基极(cascode)结构 Marchand巴伦 异质结双极晶体管
在线阅读 下载PDF
0.13μm BiCMOS低压差线性稳压器 被引量:2
3
作者 严鸣 成立 +2 位作者 奚家健 丁玲 杨泽斌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期110-113,121,共5页
设计了一种0.13μm BiCMOS低压差线性稳压器(LDO),包括BiCMOS误差放大器、带软启动的BiCMOS带隙基准源、"套筒式"共源-共栅补偿电路等。为了改善线性瞬态响应性能,在BiCMOS误差放大器的前级设置了动态电流偏置电路。由于所设... 设计了一种0.13μm BiCMOS低压差线性稳压器(LDO),包括BiCMOS误差放大器、带软启动的BiCMOS带隙基准源、"套筒式"共源-共栅补偿电路等。为了改善线性瞬态响应性能,在BiCMOS误差放大器的前级设置了动态电流偏置电路。由于所设计的BiCMOS带隙基准源对温度的敏感性较小,故能为LDO提供高精度的基准电压。对所设计的LDO进行了工艺流片。流片测试结果表明,该LDO可提供60 mA的输出电流且最小压差只有100 mV。测试同时验证了所设计LDO的负载和瞬态响应都得到改善:负载调整率为0.054 mV/mA,线性调整率为0.014%,而芯片面积约为0.094 mm2,因此特别适用于高精度、便携式片上电源系统。 展开更多
关键词 BiCMOS器件 低压差线性稳压器 带隙基准源 共源-共栅 高精度
在线阅读 下载PDF
多阳极光电倍增管前端四通道放大读出芯片设计 被引量:1
4
作者 王科 刘振安 +1 位作者 王铮 李道武 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期589-591,617,共4页
多阳极光电倍增管目前应用广泛,其后续的常规PCB放大电路显示出体积大、功耗大、噪声高等缺点,制作专用集成电路ASIC可以解决这些问题。基于此类光电倍增管特性,在0.35μm CMOS工艺上,研制了4通道集成放大成形读出电路,包含前放、增益... 多阳极光电倍增管目前应用广泛,其后续的常规PCB放大电路显示出体积大、功耗大、噪声高等缺点,制作专用集成电路ASIC可以解决这些问题。基于此类光电倍增管特性,在0.35μm CMOS工艺上,研制了4通道集成放大成形读出电路,包含前放、增益调整、滤波成形等模块。经过测试,功耗为66 mW;增益为62.2 mV/pC,输入动态范围13 pC,线性度1.5%,信噪比9,指标达到设计要求。 展开更多
关键词 多阳极光电倍增管 调整型共源共栅 多通道 前置放大器
在线阅读 下载PDF
一种低功耗的高速光接收器跨阻前置电路设计 被引量:1
5
作者 商红桃 《电子器件》 CAS 北大核心 2018年第1期50-55,共6页
为了降低芯片面积和功耗,提出了一种10 Gbyte/s光接收器跨阻前置放大电路。该电路采用了两个带有可调共源共栅(RGC)输入的交叉有源反馈结构,其中的跨阻放大器未使用电感,从而减少了芯片的总体尺寸。该跨阻前置电路采用0.13μm CMOS工艺... 为了降低芯片面积和功耗,提出了一种10 Gbyte/s光接收器跨阻前置放大电路。该电路采用了两个带有可调共源共栅(RGC)输入的交叉有源反馈结构,其中的跨阻放大器未使用电感,从而减少了芯片的总体尺寸。该跨阻前置电路采用0.13μm CMOS工艺设计而成,数据速率高达10 Gbyte/s。测试结果表明,相比其他类似电路,提出的电路芯片面积和功耗更小,芯片面积仅为0.072 mm^2,当电源电压为1.3 V时,功率损耗为9.1 mW,实测平均等效输入噪声电流谱密度为20 pA/(0.1~10)Hz,且-3 dB带宽为6.9 GHz。 展开更多
关键词 光接收器 CMOS前置电路 跨阻放大器 可调共源共栅(RGC)
在线阅读 下载PDF
应用于DC/DC稳压器的误差放大与逻辑控制电路 被引量:1
6
作者 刘鸿雁 栾孝丰 《电子质量》 2008年第10期16-17,21,共3页
设计了一种应用于DC/DC集成稳压器的误差放大与逻辑控制电路。误差放大器的核心部分采用电流镜、折叠式共源共栅等结构,显著提高了增益、电源抑制比和共模抑制比;逻辑控制部分实现了对芯片工作模式的选择控制,并具有钳位功能。采用Sanyo... 设计了一种应用于DC/DC集成稳压器的误差放大与逻辑控制电路。误差放大器的核心部分采用电流镜、折叠式共源共栅等结构,显著提高了增益、电源抑制比和共模抑制比;逻辑控制部分实现了对芯片工作模式的选择控制,并具有钳位功能。采用Sanyo Hspice模型进行仿真后表明,在很宽的频带范围内,误差放大器的差模增益大于80dB;逻辑控制电路工作时序正确可靠;各项性能指标满足设计要求。 展开更多
关键词 DC/DC稳压器 误差放大器 折叠式共源共栅
在线阅读 下载PDF
一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现 被引量:9
7
作者 唐立田 张海英 +2 位作者 黄清华 李潇 尹军舰 《电子器件》 CAS 2009年第3期566-569,共4页
采用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器。针对某种实用的光电二极管,在寄生电容高达3pF的情况下,采用RGC输入、无反馈电阻的电路结构,合理实现了增益、带宽、噪声、动态范围以及低电源电压等指标... 采用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器。针对某种实用的光电二极管,在寄生电容高达3pF的情况下,采用RGC输入、无反馈电阻的电路结构,合理实现了增益、带宽、噪声、动态范围以及低电源电压等指标间的折中。测试结果表明单端跨阻增益高达78dB·Ω,-3dB带宽超过300MHz,100MHz处的等效输入噪声电流谱密度低至6.3pA/(Hz)~(1/2),功耗仅为14.4mW。芯片面积(包括所有PAD)为500μm×460μm。 展开更多
关键词 跨阻放大器 RGC结构 等效输入噪声电流谱密度 0.18μm CMOS工艺
在线阅读 下载PDF
10Gb/s宽动态范围CMOS跨阻前置放大器 被引量:2
8
作者 刘全 冯军 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1187-1191,共5页
采用UMC 0.13μm CMOS工艺,实现了一种应用于SDH系统STM-64(10Gb/s)光接收机的前置放大器.该前置放大器采用具有低输入阻抗特点的RGC(Regulated Cascode)作为输入级.同时,采用消直流技术来扩大输入信号的动态范围.在片测试结果表明:双... 采用UMC 0.13μm CMOS工艺,实现了一种应用于SDH系统STM-64(10Gb/s)光接收机的前置放大器.该前置放大器采用具有低输入阻抗特点的RGC(Regulated Cascode)作为输入级.同时,采用消直流技术来扩大输入信号的动态范围.在片测试结果表明:双端输出时中频跨阻增益约为58.57dBΩ(848Ω),-3dB带宽为12GHz,平均等效输入噪声电流谱密度约为24.7pA/(Hz,1.2V单电压源下功耗为21.84mW,其中8mW来自输出缓冲.输入电压信号动态范围36.5dB(12mV~800mV).包括焊盘在内的芯片面积仅为0.462×0.566mm2. 展开更多
关键词 光接收机 前置放大器 跨阻放大器 自调整的共源共栅 消直流 宽动态范围 0.13μm CMOS
在线阅读 下载PDF
开关电流电路主要误差的改善
9
作者 李帆 王卫东 郑玮 《现代电子技术》 2009年第4期11-13,共3页
开关电流电路是一种新型的数据采样技术。针对开关电流电路中的时钟馈通误差与传输误差进行详细分析,构造出一种调整型共源共栅结构的S2I开关电流存储单元,并用HSpice进行仿真,与基本的开关电流存储单元的性能和Matlab中的理想波形进行... 开关电流电路是一种新型的数据采样技术。针对开关电流电路中的时钟馈通误差与传输误差进行详细分析,构造出一种调整型共源共栅结构的S2I开关电流存储单元,并用HSpice进行仿真,与基本的开关电流存储单元的性能和Matlab中的理想波形进行对比。结果表明该电路性能大大提高,精确完成了对输入波形的采样-保持。 展开更多
关键词 开关电流 S2I存储单元 调整型共源共栅结构 传输误差
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部