随着工艺制程的不断微缩,动态随机存储器(dynamic random access memory,DRAM)的集成度持续提高,单颗芯片上存储单元的数目呈指数增长,随之带来的是芯片发热严重和泄漏电流增大等问题,为了实时监测内部温度并控制相应的刷新操作,DRAM需...随着工艺制程的不断微缩,动态随机存储器(dynamic random access memory,DRAM)的集成度持续提高,单颗芯片上存储单元的数目呈指数增长,随之带来的是芯片发热严重和泄漏电流增大等问题,为了实时监测内部温度并控制相应的刷新操作,DRAM需要在内部集成温度传感器。文章从DRAM的基本结构、工作原理和实际工作中对内置温度传感器的需求出发,研究不同读出架构的集成式温度传感器的优缺点,考虑到感温精度、感温范围、功耗和成本等因素以及DRAM产品规格说明书中对内置温度传感器的要求,设计出一款基于时域读出架构的免校准低功耗温度传感器。采用19 nm的互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺进行仿真验证,结果表明,免校准的前提下,该温度传感器在0~110℃的感温范围内具有3℃的仿真精度,版图面积为0.189 mm^(2),平均功耗为340.31μW,感温时间为550μs。文章设计的温度传感器满足DRAM对于内置温度传感器的要求,且大大降低了DRAM的生产成本。展开更多
利用SMS-WARR快速更新同化,对三种观测资料(雷达、探空、AMDAR)进行敏感性试验。并且通过对2011年7月31日发生在上海的局地强对流过程的模拟,分析不同类型观测资料的影响。结果表明:雷达资料通过云分析优化了初始场中的水物质含量,使云...利用SMS-WARR快速更新同化,对三种观测资料(雷达、探空、AMDAR)进行敏感性试验。并且通过对2011年7月31日发生在上海的局地强对流过程的模拟,分析不同类型观测资料的影响。结果表明:雷达资料通过云分析优化了初始场中的水物质含量,使云的分布更合理,调整了中小尺度对流系统的结构和强度,降水落区和强度预报得到改进;探空资料在试验中仅使用了一次,但可持续影响后续时刻的模拟,500 h Pa、700 h Pa和850 h Pa高度场和风场均不同程度受到影响,相应的地面温度也发生了变化;同化AMDAR资料后,形势场得到了修正,分析场更加接近实况,改善了降水预报。展开更多
文摘随着工艺制程的不断微缩,动态随机存储器(dynamic random access memory,DRAM)的集成度持续提高,单颗芯片上存储单元的数目呈指数增长,随之带来的是芯片发热严重和泄漏电流增大等问题,为了实时监测内部温度并控制相应的刷新操作,DRAM需要在内部集成温度传感器。文章从DRAM的基本结构、工作原理和实际工作中对内置温度传感器的需求出发,研究不同读出架构的集成式温度传感器的优缺点,考虑到感温精度、感温范围、功耗和成本等因素以及DRAM产品规格说明书中对内置温度传感器的要求,设计出一款基于时域读出架构的免校准低功耗温度传感器。采用19 nm的互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺进行仿真验证,结果表明,免校准的前提下,该温度传感器在0~110℃的感温范围内具有3℃的仿真精度,版图面积为0.189 mm^(2),平均功耗为340.31μW,感温时间为550μs。文章设计的温度传感器满足DRAM对于内置温度传感器的要求,且大大降低了DRAM的生产成本。
文摘利用SMS-WARR快速更新同化,对三种观测资料(雷达、探空、AMDAR)进行敏感性试验。并且通过对2011年7月31日发生在上海的局地强对流过程的模拟,分析不同类型观测资料的影响。结果表明:雷达资料通过云分析优化了初始场中的水物质含量,使云的分布更合理,调整了中小尺度对流系统的结构和强度,降水落区和强度预报得到改进;探空资料在试验中仅使用了一次,但可持续影响后续时刻的模拟,500 h Pa、700 h Pa和850 h Pa高度场和风场均不同程度受到影响,相应的地面温度也发生了变化;同化AMDAR资料后,形势场得到了修正,分析场更加接近实况,改善了降水预报。
