负载纳米TiO_2织物的制备及甲醛降解 被引量：12

1

作者 徐阳 魏取福 +2 位作者 汪莹莹 黄锋林 孙磊 《纺织学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期96-99,共4页

为提高室内装饰织物对甲醛的吸附能力及过滤纺织材料对甲醛的过滤能力,采用射频磁控溅射方法,在纯棉机织物和涤纶针织物表面负载二氧化钛(TiO2)功能纳米结构层。利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)分别分析其表面形貌和晶态结构,对2... 为提高室内装饰织物对甲醛的吸附能力及过滤纺织材料对甲醛的过滤能力,采用射频磁控溅射方法,在纯棉机织物和涤纶针织物表面负载二氧化钛(TiO2)功能纳米结构层。利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)分别分析其表面形貌和晶态结构,对2种负载TiO2织物光催化降解甲醛气体的性能进行了对比分析。实验表明,在相同制备工艺条件下,TiO2功能层的结构形态有较大区别,且负载纳米TiO2的棉织物光催化降解甲醛气体的性能优于负载纳米TiO2的涤纶织物。 展开更多

关键词 射频磁控溅射 TIO2 织物 降解 甲醛

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射频磁控溅射制备纳米TiO_2薄膜的光电化学行为 被引量：9

2

作者 沈杰 沃松涛 +3 位作者 崔晓莉 蔡臻炜 杨锡良 章壮健 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第10期1191-1195,共5页

在室温下采用射频磁控溅射法制备了纳米晶粒的TiO2薄膜,用循环伏安法研究了ITO/TiO2薄膜电极的光电化学行为,并测量了相应TiO2薄膜的亲水性与光催化能力.结果表明,在室温下制备的TiO2薄膜为无定形结构,当退火温度超过400℃时转化为锐钛... 在室温下采用射频磁控溅射法制备了纳米晶粒的TiO2薄膜,用循环伏安法研究了ITO/TiO2薄膜电极的光电化学行为,并测量了相应TiO2薄膜的亲水性与光催化能力.结果表明,在室温下制备的TiO2薄膜为无定形结构,当退火温度超过400℃时转化为锐钛矿结构.在400℃下退火的TiO2薄膜具有良好的亲水性和光催化能力.TiO2薄膜电极用254nm的紫外光照射一定时间后会产生新的氧化峰,且随着光照时间的增加,峰电流也增加.初步认为用紫外光照射一定时间后,TiO2薄膜的循环伏安图的氧化峰属于光生的Ti3+,而光致亲水性可能与Ti3+的生成有关. 展开更多

关键词 射频磁控溅射 制备 纳米二氧化钛薄膜 循环伏安 光致亲水性 光催化

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负载纳米TiO_2织物AFM表征及其光催化性能的研究 被引量：9

3

作者 徐阳 魏取福 +1 位作者 汪莹莹 黄锋林 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期153-155,共3页

在室温条件下采用射频磁控溅射方法,在纯棉机织物和涤纶针织物表面负载TiO2功能纳米结构层。利用原子力显微镜(AFM)对2种负载织物的表面形貌和结构进行了表征,并对2种负载TiO2织物的光催化性能进行了对比分析。实验表明,负载纳米TiO2的... 在室温条件下采用射频磁控溅射方法,在纯棉机织物和涤纶针织物表面负载TiO2功能纳米结构层。利用原子力显微镜(AFM)对2种负载织物的表面形貌和结构进行了表征,并对2种负载TiO2织物的光催化性能进行了对比分析。实验表明,负载纳米TiO2的织物具有良好的光催化性能和一定的耐洗性,经30次洗涤后,其光催化活性仍保持在很高的水平;在相同的溅射工艺条件下,负载纳米TiO2纯棉织物的光催化性能优于负载纳米TiO2的涤纶织物。 展开更多

关键词 射频磁控溅射 二氧化钛 织物 光催化

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退火对TiO_2薄膜的结构及电学性能的影响 被引量：2

4

作者 罗希 胡志宇 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2016年第4期205-208,共4页

以硅为衬底,采用射频磁控溅射技术制备了TiO_2薄膜,利用扫描电镜及拉曼光谱对退火前后的TiO_2进行分析。退火后的TiO_2具有良好的结晶特性,且呈锐钛矿结构。在此薄膜工艺条件下,以TiO_2为半导体层在玻璃基底上制备了Al/TiO_2/Pt肖特基... 以硅为衬底,采用射频磁控溅射技术制备了TiO_2薄膜,利用扫描电镜及拉曼光谱对退火前后的TiO_2进行分析。退火后的TiO_2具有良好的结晶特性,且呈锐钛矿结构。在此薄膜工艺条件下,以TiO_2为半导体层在玻璃基底上制备了Al/TiO_2/Pt肖特基二极管,并在153~433K范围内对其进行I-V测试。结果表明：在所有温度下,Al/TiO_2/Pt肖特基二极管均表现出良好的整流效应;其理想因子随温度升高而降低,势垒高度随温度升高而升高;在433K下,理想因子为1.31,势垒高度0.73,表明此肖特基二极管已接近理想的肖特基二极管。 展开更多

关键词 退火 TIO2薄膜 肖特基二极管

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用于日盲波段的MgZnO薄膜材料和紫外探测器 被引量：8

5

作者 张吉英 蒋大勇 +3 位作者 鞠振刚 申德振 姚斌 范希武 《中国光学与应用光学》 2008年第1期80-84,共5页

考虑ZnO优秀的物理和化学性能以及由于生长温度低而具有更低的缺陷密度从而易于实现高的光电器件效率等特点,本文采用射频磁控溅射和金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在石英及蓝宝石衬底上生长了立方结构MgZnO薄膜,制备了MgZnO的MSM型... 考虑ZnO优秀的物理和化学性能以及由于生长温度低而具有更低的缺陷密度从而易于实现高的光电器件效率等特点,本文采用射频磁控溅射和金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在石英及蓝宝石衬底上生长了立方结构MgZnO薄膜,制备了MgZnO的MSM型紫外探测器。该器件实现了在日盲(太阳盲)波段的光响应,典型的光响应峰值分别在225和250 nm,截止边为230和273 nm。 展开更多

关键词 MgZnO薄膜 射频磁控溅射 金属有机化学汽相沉积 日盲紫外探测器

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注入剂量对离子注入法制备Al-N共掺杂P型ZnO的影响

6

作者 杜记龙 江美福 +1 位作者 张树宇 王培君 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期42-45,16,共5页

采用射频磁控共溅射的方法制备出ZnO∶Al薄膜,以NO和O2为源气体(O2/O2+NO=75%)、等离子体浸没离子注入(PIII)方法在不同的工艺条件下得到了不同N+注入剂量的ZnO∶Al∶N薄膜,并在N2氛围下对样品进行了850℃退火处理。通过XRD图谱、霍尔效... 采用射频磁控共溅射的方法制备出ZnO∶Al薄膜,以NO和O2为源气体(O2/O2+NO=75%)、等离子体浸没离子注入(PIII)方法在不同的工艺条件下得到了不同N+注入剂量的ZnO∶Al∶N薄膜,并在N2氛围下对样品进行了850℃退火处理。通过XRD图谱、霍尔效应(Hall)测试结果、光致发光光谱(PL)、紫外-可见光透射光谱等对样品的结构和性能进行了分析,着重研究了N+注入剂量对ZnO∶Al∶N薄膜性质的影响。结果表明,注入剂量控制在1015cm-2量级时,N可以通过占据O空位和替换O原子形成NO并与Al和Zn成键,对于ZnO薄膜实现p型反转是很关键的。实现p型反转的ZnO∶Al∶N薄膜载流子浓度可达2.16×1016cm-3,电阻率为8.90Ω.cm,霍耳迁移率为32.4cm2/V.s。 展开更多

关键词 等离子体浸没离子注入 磁控溅射 共掺杂 p-ZnO

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射频磁控反应溅射氧化硅薄膜微结构和电击穿场强研究

7

作者 金桂 蒋纯志 邓海明 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2009年第3期20-22,26,共4页

采用射频磁控反应溅射法在单晶硅片上制备了氧化硅(SiOx)薄膜,分析了薄膜的主要成分,研究了制备工艺对薄膜表面形貌和电击穿场强的影响。结果表明:薄膜的主要成分为氧化硅(SiOx);退火前后,薄膜的表面粗糙度由原来的1.058 nm下降至0.785 ... 采用射频磁控反应溅射法在单晶硅片上制备了氧化硅(SiOx)薄膜,分析了薄膜的主要成分,研究了制备工艺对薄膜表面形貌和电击穿场强的影响。结果表明:薄膜的主要成分为氧化硅(SiOx);退火前后,薄膜的表面粗糙度由原来的1.058 nm下降至0.785 nm,峰与谷之间的高度差由原来的7.414 nm降低至5.046 nm;薄膜的电击穿场强随溅射功率的增加先增大后减小,通过800℃/100 s的快速热退火,在各种射频功率下制备的薄膜电击穿场强都有明显升高,薄膜的绝缘性能显著增强。 展开更多

关键词 射频磁控反应溅射 表面形貌 电击穿场强

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射频磁控溅射制备PZT铁电薄膜的工艺研究 被引量：3

8

作者 毕振兴 张之圣 +2 位作者 胡明 樊攀峰 刘志刚 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期6-9,共4页

在SiO2/Si基片上采用直流对靶溅射技术制备出Pt/Ti底电极;应用射频磁控溅射方法,利用快速热处理(RTA)工艺,制备出了具有良好铁电性能的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜。将样品进行10min快速热退火处理,退火温度700℃。测试分析表明:薄膜厚... 在SiO2/Si基片上采用直流对靶溅射技术制备出Pt/Ti底电极;应用射频磁控溅射方法,利用快速热处理(RTA)工艺,制备出了具有良好铁电性能的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜。将样品进行10min快速热退火处理,退火温度700℃。测试分析表明:薄膜厚度比较均匀、表面基本平整、没有裂纹和孔洞、致密性好、薄膜样品的矫顽场强(Ec)为28.6kV/cm,剩余极化强度(Pr)为18.7μC/cm2,自发极化强度(Ps)为37.5μC/cm2,是制备铁电薄膜存储器的优选材料。 展开更多

关键词 PZT 直流对靶溅射 射频磁控溅射 锆钛酸铅薄膜 钙钛矿相 电滞回线 射频磁控溅射方法 PZT铁电薄膜 溅射制备 工艺研究

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沉积气压对磁控溅射制备ZnO薄膜的结构与光学性能影响 被引量：8

9

作者 蒋平 吴雪梅 +1 位作者 诸葛兰剑 吴兆丰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期560-563,共4页

采用CS-400型射频磁控溅射仪在Si（111）和石英基底上成功的制备了ZnO薄膜，分别用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计和荧光分光光度计表征样品的结构和光学性质。实验表明，采用射频磁控溅射制备的ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构的（002）... 采用CS-400型射频磁控溅射仪在Si（111）和石英基底上成功的制备了ZnO薄膜，分别用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计和荧光分光光度计表征样品的结构和光学性质。实验表明，采用射频磁控溅射制备的ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构的（002）峰和（101）峰的两种取向。在沉积气压〉1．0Pa时所制备的ZnO薄膜具有（002）择优取向，并且十分稳定。SEM图表明，ZnO薄膜颗粒大小较为均匀，晶粒尺寸随着气压升高而变小，沉积气压不同时，薄膜样品的生长方式有所差异。在400～1000nm范围内，可以看出除0．5Pa下制备的ZnO薄膜外，其余ZnO薄膜在可见光区域的平均透过率超过80％，吸收边在380nm附近，所对应的光学带隙约为3．23～3．27eV，并随着沉积气压上升而变大。ZnO薄膜的PL谱上观察到了392nm的近紫外峰和419nm的蓝峰；沉积气压对ZnO薄膜的发光峰位和峰强有影响。 展开更多

关键词 射频磁控溅射 ZNO薄膜 透射率 光学带隙 PL谱

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沉积压强对Sc掺杂ZnO薄膜性能的影响 被引量：6

10

作者 缪存星 赵占霞 +2 位作者 栗敏 徐飞 马忠权 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期139-143,共5页

利用射频磁控溅射方法,采用Sc2O3掺杂(质量百分比2%)ZnO为靶材在石英玻璃上制备透明导电ZnO:Sc(SZO)薄膜。用X射线衍射仪、分光光度计及霍尔测试仪等对样品进行表征,分析了沉积压强从0.3Pa到2.0Pa的变化对SZO薄膜的微结构及光学特性的... 利用射频磁控溅射方法,采用Sc2O3掺杂(质量百分比2%)ZnO为靶材在石英玻璃上制备透明导电ZnO:Sc(SZO)薄膜。用X射线衍射仪、分光光度计及霍尔测试仪等对样品进行表征,分析了沉积压强从0.3Pa到2.0Pa的变化对SZO薄膜的微结构及光学特性的影响。XRD研究结果表明所有样品都是六角密堆积结构,而且溅射压强对SZO薄膜的微结构有着显著的影响。所有SZO薄膜的透过率在可见光区域均大于85%,近紫外区域由于吸收,透射率大大降低。 展开更多

关键词 射频磁控溅射 SZO薄膜 溅射压强 透明导电氧化物

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Zn1-xCuxO薄膜的结构和光学性质 被引量：4

11

作者 王晓飞 吴雪梅 诸葛兰剑 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期191-193,共3页

采用CS-400型射频磁控溅射仪在Si(111)和石英基底上成功的制备了Zn1-xCuxO薄膜,薄膜的晶体取向和表面形貌用X射线衍射(XRD)仪和扫描电子显微镜(SEM)进行测量。利用紫外-可见光(UV-vis)分光光度计来测量基片为石英的Zn1-xCuxO薄膜的透射... 采用CS-400型射频磁控溅射仪在Si(111)和石英基底上成功的制备了Zn1-xCuxO薄膜,薄膜的晶体取向和表面形貌用X射线衍射(XRD)仪和扫描电子显微镜(SEM)进行测量。利用紫外-可见光(UV-vis)分光光度计来测量基片为石英的Zn1-xCuxO薄膜的透射光谱。实验表明,采用射频磁控溅射制备的掺Cu氧化锌薄膜具有(002)峰的择优取向。随着Cu掺入量的增加样品成膜质量降低,禁带宽度减小,透射率下降。 展开更多

关键词 射频磁控溅射 CU掺杂 氧化锌薄膜 透射率 光学带隙

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晶态WO_3电致变色薄膜和器件的制备及性能研究 被引量：2

12

作者 张学科 李合琴 +3 位作者 周矗 颜毓雷 王伟 乔恺 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期534-537,共4页

文章用射频磁控反应溅射法,以钨靶为溅射靶材,在玻璃和ITO衬底上分别制备了WO3薄膜,氧气和氩气的流量比值为5∶25,工作气压为1.5Pa,所有样品均进行了400℃保温1h的退火。通过改变溅射功率,研究了功率对WO3薄膜的相组成、表面形貌、可见... 文章用射频磁控反应溅射法,以钨靶为溅射靶材,在玻璃和ITO衬底上分别制备了WO3薄膜,氧气和氩气的流量比值为5∶25,工作气压为1.5Pa,所有样品均进行了400℃保温1h的退火。通过改变溅射功率,研究了功率对WO3薄膜的相组成、表面形貌、可见光透过率的影响,最终得到溅射功率为100~70 W的WO3晶态薄膜的电致变色性能最好。 展开更多

关键词 晶态WO3薄膜 射频磁控反应溅射 透过率 电致变色

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La_(0.56)Li_(0.33)TiO_3薄膜的制备及退火对其光电性能的影响

13

作者 乔恺 李合琴 +2 位作者 王伟 陶磊 周矗 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期324-327,共4页

文章采用射频磁控溅射法在氧化铟锡(indium-tin oxide,ITO)玻璃衬底上制备了钛酸镧锂(lithium lanthanum titanate,LLTO)薄膜,并在氩气中经100、200、300℃退火2h。对薄膜的形貌、结构、离子电导率和光电性能进行测试。结果表明,室温下... 文章采用射频磁控溅射法在氧化铟锡(indium-tin oxide,ITO)玻璃衬底上制备了钛酸镧锂(lithium lanthanum titanate,LLTO)薄膜,并在氩气中经100、200、300℃退火2h。对薄膜的形貌、结构、离子电导率和光电性能进行测试。结果表明,室温下制备的LLTO薄膜为非晶态,随着退火温度的升高,薄膜的离子电导率和可见光透过率均随之升高,经300℃氩气气氛退火后,薄膜的离子电导率为5.0×10-6 S/cm,可见光平均透过率为89%。 展开更多

关键词 钛酸镧锂薄膜 射频磁控溅射 退火 离子电导率 光电性能

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磁控溅射SnO_(2)/ZnO复合纳米薄膜的气敏特性研究

14

作者 吴鹏举 刘文强 +3 位作者 汤子鑫 郭兰兰 王瑗瑗 杨莹丽 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2023年第12期21-24,共4页

采用射频磁控溅射方法,在溅射气压为2.5 Pa时,在p-Si衬底上沉积氧化锡(SnO_(2))/氧化锌(ZnO)复合纳米薄膜。沉积过程中,SnO_(2)薄膜的沉积厚度固定为40 nm,通过改变ZnO薄膜的沉积厚度来改变SnO_(2)/ZnO的膜厚比。详细分析了工作温度和... 采用射频磁控溅射方法,在溅射气压为2.5 Pa时,在p-Si衬底上沉积氧化锡(SnO_(2))/氧化锌(ZnO)复合纳米薄膜。沉积过程中,SnO_(2)薄膜的沉积厚度固定为40 nm,通过改变ZnO薄膜的沉积厚度来改变SnO_(2)/ZnO的膜厚比。详细分析了工作温度和膜厚比变化对复合纳米薄膜气敏特性的影响。结果表明,SnO_(2)/ZnO复合纳米薄膜的最佳工作温度为350℃,与ZnO和SnO_(2)单层薄膜相比,复合纳米薄膜的气敏性能显著提升。当SnO_(2)与ZnO的膜厚比为4︰3时,其气敏性能最佳,在350℃下,对于5×10^(-6)乙醇气体的灵敏度最高可达4。该SnO_(2)/ZnO复合纳米薄膜气敏性能的提升归因于ZnO与SnO_(2)之间形成的n-n异质结。 展开更多

关键词 复合纳米薄膜 氧化锌 氧化锡 射频磁控溅射 n-n异质结

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射频磁控溅射制备二氧化锡薄膜的气敏特性

15

作者 刘文强 吴鹏举 +3 位作者 王瑗瑗 陈庭煜 马鸿雁 王国东 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2023年第3期53-56,共4页

采用射频(RF)磁控溅射法在P型硅衬底上制备了具有良好电学特性和气敏特性的二氧化锡(SnO_(2))纳米薄膜。在溅射气压分别为0.1,1.0,2.5 Pa的条件下,制备了不同表面形貌的SnO_(2)薄膜,详细分析了溅射气压对SnO_(2)薄膜表面生长、PN结的伏... 采用射频(RF)磁控溅射法在P型硅衬底上制备了具有良好电学特性和气敏特性的二氧化锡(SnO_(2))纳米薄膜。在溅射气压分别为0.1,1.0,2.5 Pa的条件下,制备了不同表面形貌的SnO_(2)薄膜,详细分析了溅射气压对SnO_(2)薄膜表面生长、PN结的伏安特性和气敏特性的影响。实验结果表明:在溅射气压为2.5 Pa时,PN结结晶质量最好;在室温条件下,溅射气压为2.5 Pa时,SnO_(2)纳米薄膜在16×10^(-3)的乙醇环境中的电流灵敏度可达246%。 展开更多

关键词 射频磁控溅射 二氧化锡薄膜 PN结 电学性能

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