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聚合物浸渍裂解法制备C/C-ZrC复合材料及其性能
1
作者
赵春晓
李红
+3 位作者
任慕苏
张家宝
杨敏
孙晋良
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第2期248-252,277,共6页
本文以低密度C/C复合材料为坯体,有机锆聚合物为前驱体,采用聚合物浸渍裂解法(PIP)制备C/C-ZrC复合材料,并对其微观结构、力学性能、烧蚀性能以及烧蚀机理进行了研究。结果表明ZrC在材料内分布均匀,密度为2.05g·cm^(-3)的C/C-ZrC...
本文以低密度C/C复合材料为坯体,有机锆聚合物为前驱体,采用聚合物浸渍裂解法(PIP)制备C/C-ZrC复合材料,并对其微观结构、力学性能、烧蚀性能以及烧蚀机理进行了研究。结果表明ZrC在材料内分布均匀,密度为2.05g·cm^(-3)的C/C-ZrC复合材料其弯曲强度为89.70MPa,呈脆性断裂。经氢-氧焰烧蚀150s后其线烧蚀率为-2.2×10^(-3)mm·s^(-1),质量烧蚀率为-1.0×10-3g·s^(-1),远低于密度为1.86g·cm^(-3)的C/C复合材料(线烧蚀率:4.4×10^(-3) mm·s^(-1),质量烧蚀率:7.5×10^(-4)g·s^(-1));在烧蚀的过程中,ZrC表现出优先氧化,同时生成的ZrO_2阻挡层能有效阻挡热量的传递和氧气的渗透,提高了材料的抗烧蚀性能。
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关键词
C/C-ZrC复合材料
聚合物浸渍裂解法(
pip
)
氢氧焰烧蚀
线烧蚀率
质量烧蚀率
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职称材料
用含硅芳炔树脂制备C/C-SiC复合材料
被引量：
3
2
作者
鲁加荣
黄发荣
+1 位作者
袁荞龙
杜磊
《宇航材料工艺》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期55-60,共6页
以含硅芳炔树脂为先驱体,采用先驱体浸渍法(PIP)制备了C/C-SiC复合材料。首先通过炭化T300/含硅芳炔树脂(CFRP)制备了多孔C/C-SiC预制体,并探究了炭化工艺对所得多孔C/C-SiC预制体性能的影响,制得的多孔C/C-SiC预制体弯曲强度为98 MPa;...
以含硅芳炔树脂为先驱体,采用先驱体浸渍法(PIP)制备了C/C-SiC复合材料。首先通过炭化T300/含硅芳炔树脂(CFRP)制备了多孔C/C-SiC预制体,并探究了炭化工艺对所得多孔C/C-SiC预制体性能的影响,制得的多孔C/C-SiC预制体弯曲强度为98 MPa;然后以含硅芳炔树脂溶液为浸渍剂,浸渍多孔C/C-SiC预制体,经过4次浸渍、固化、炭化后,得到致密的C/C-SiC复合材料,其弯曲强度提升到203 MPa,同时用XRD、SEM、TEM等手段表征了复合材料的微观结构,所得C/C-SiC复合材料主要成分为β-SiC及无定型碳。
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关键词
C/C-SIC复合材料
先驱体浸渍法
含硅芳炔树脂
含硅芳炔树脂复合材料
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职称材料
题名
聚合物浸渍裂解法制备C/C-ZrC复合材料及其性能
1
作者
赵春晓
李红
任慕苏
张家宝
杨敏
孙晋良
机构
上海大学复合材料研究中心
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第2期248-252,277,共6页
文摘
本文以低密度C/C复合材料为坯体,有机锆聚合物为前驱体,采用聚合物浸渍裂解法(PIP)制备C/C-ZrC复合材料,并对其微观结构、力学性能、烧蚀性能以及烧蚀机理进行了研究。结果表明ZrC在材料内分布均匀,密度为2.05g·cm^(-3)的C/C-ZrC复合材料其弯曲强度为89.70MPa,呈脆性断裂。经氢-氧焰烧蚀150s后其线烧蚀率为-2.2×10^(-3)mm·s^(-1),质量烧蚀率为-1.0×10-3g·s^(-1),远低于密度为1.86g·cm^(-3)的C/C复合材料(线烧蚀率:4.4×10^(-3) mm·s^(-1),质量烧蚀率:7.5×10^(-4)g·s^(-1));在烧蚀的过程中,ZrC表现出优先氧化,同时生成的ZrO_2阻挡层能有效阻挡热量的传递和氧气的渗透,提高了材料的抗烧蚀性能。
关键词
C/C-ZrC复合材料
聚合物浸渍裂解法(
pip
)
氢氧焰烧蚀
线烧蚀率
质量烧蚀率
Keywords
C/C-ZrC composites
precursor infiltration and pyrolysis method （pip）
oxy-hydrogen flame ablation
linear ablation rates
mass ablation rates
分类号
TB332 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
用含硅芳炔树脂制备C/C-SiC复合材料
被引量：
3
2
作者
鲁加荣
黄发荣
袁荞龙
杜磊
机构
华东理工大学
出处
《宇航材料工艺》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期55-60,共6页
文摘
以含硅芳炔树脂为先驱体,采用先驱体浸渍法(PIP)制备了C/C-SiC复合材料。首先通过炭化T300/含硅芳炔树脂(CFRP)制备了多孔C/C-SiC预制体,并探究了炭化工艺对所得多孔C/C-SiC预制体性能的影响,制得的多孔C/C-SiC预制体弯曲强度为98 MPa;然后以含硅芳炔树脂溶液为浸渍剂,浸渍多孔C/C-SiC预制体,经过4次浸渍、固化、炭化后,得到致密的C/C-SiC复合材料,其弯曲强度提升到203 MPa,同时用XRD、SEM、TEM等手段表征了复合材料的微观结构,所得C/C-SiC复合材料主要成分为β-SiC及无定型碳。
关键词
C/C-SIC复合材料
先驱体浸渍法
含硅芳炔树脂
含硅芳炔树脂复合材料
Keywords
C/C-SiC composites
precursor
infiltration
and
pyrolysis
（pip
）
Silicon-containing aryacetylene resin
Carbon fiber reinforced PSA resin composite
分类号
TB3 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
聚合物浸渍裂解法制备C/C-ZrC复合材料及其性能
赵春晓
李红
任慕苏
张家宝
杨敏
孙晋良
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2017
0
在线阅读
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职称材料
2
用含硅芳炔树脂制备C/C-SiC复合材料
鲁加荣
黄发荣
袁荞龙
杜磊
《宇航材料工艺》
CAS
CSCD
北大核心
2016
3
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职称材料
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