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硅栅 MOS 结构 Poly-Si/SiO_2 界面研究
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作者 赵杰 魏同立 +1 位作者 张安康 赵梦碧 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1997年第4期38-43,共6页
利用俄歇电子能谱(AES)、二次离子质谱(SIMS)等表面分析手段,对硅栅MOS结构Poly-Si/SiO2界面进行分析,发现该界面不是突变的,存在着成份过渡区.根据多晶硅薄膜的成核理论,确定该过渡区形成的物理起源.... 利用俄歇电子能谱(AES)、二次离子质谱(SIMS)等表面分析手段,对硅栅MOS结构Poly-Si/SiO2界面进行分析,发现该界面不是突变的,存在着成份过渡区.根据多晶硅薄膜的成核理论,确定该过渡区形成的物理起源.利用Fowler-Nordheim隧道发射和“幸运电子”模型。 展开更多
关键词 界面 热载流子 硅栅MOS结构 poly- 二氧化硅
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碳硫比和硝酸根投加量对DS-EBPR工艺的影响研究 被引量:2
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作者 赵晴 余美 +3 位作者 程娜 邱林清 孟了 吕慧 《水处理技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期71-75,共5页
为获得适宜的硫循环协同反硝化生物除磷工艺(DS-EBPR)运行条件,采用批次实验研究了进水m(C)/m(S)和NO_3^--N投加量对DS-EBPR的影响,同时对工艺代谢机理进行初步研究。结果表明,m(C)/m(S)为150/200时有最大吸磷速度2.4 mg/(g·h),而... 为获得适宜的硫循环协同反硝化生物除磷工艺(DS-EBPR)运行条件,采用批次实验研究了进水m(C)/m(S)和NO_3^--N投加量对DS-EBPR的影响,同时对工艺代谢机理进行初步研究。结果表明,m(C)/m(S)为150/200时有最大吸磷速度2.4 mg/(g·h),而PHA的储存和消耗速度却最低,同时poly-S的储存和消耗速度却最大。DS-EBPR释磷段和吸磷段的反应进行能量平衡分析,说明poly-S在DS-EBPR工艺运行中可作为潜在的能量来源。poly-S在吸磷段可调节NO_3^--N的反硝化作用,可减少NO_3^--N对下一周期释磷段的影响,以达到良好的释磷效果。DS-EBPR工艺的反应机理明显不同于传统的EBPR工艺。 展开更多
关键词 硫循环协同反硝化生物除磷(DS-EBPR) 碳硫质量比 NO_3^--N投加量 poly-S
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