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全溶液法制备PAA/SU-8双层电介质OFET及其性能
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作者 江紫玲 朱睿 张婕 《半导体技术》 北大核心 2025年第5期449-458,共10页
有机场效应晶体管(OFET)因其低成本和优异的可兼容特性,是柔性电子领域的重要器件。通过构建聚丙烯酸(PAA)/SU-8双层介电结构,结合全溶液法制备了基于6,13-双(三异丙基硅烷基乙炔基)(TIPS)-并五苯半导体层的OFET。通过原子力显微镜(AFM... 有机场效应晶体管(OFET)因其低成本和优异的可兼容特性,是柔性电子领域的重要器件。通过构建聚丙烯酸(PAA)/SU-8双层介电结构,结合全溶液法制备了基于6,13-双(三异丙基硅烷基乙炔基)(TIPS)-并五苯半导体层的OFET。通过原子力显微镜(AFM)和接触角测量仪分析表面特性,PAA/SU-8双层薄膜的均方根(RMS)粗糙度(0.284 nm)较PAA单层薄膜(2.77 nm)显著降低,表面接触角(83°)接近SU-8单层薄膜(85°)且明显高于PAA单层薄膜(60°)。采用傅里叶变换红外(FTIR)光谱和LCR测试仪分析不同介电层的界面极性和介电性能,揭示了双介电层通过高电容与低极性界面的协同作用,有效改善了器件的电荷传输效率与稳定性。对PAA/SU-8双层结构OFET的性能进行测试,结果表明,PAA/SU-8双层器件表现出低阈值电压(1.0 V)、高电流开关比(>10^(4))、高迁移率(0.244 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1))和良好的亚阈值摆幅(2.5 V/dec),显著优于SU-8单层器件。 展开更多
关键词 有机场效应晶体管(ofet) 双层介电结构 聚丙烯酸(PAA)聚电解质 SU-8光刻胶 溶液法 6 13-双(三异丙基硅烷基乙炔基)(TIPS)-并五苯
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并五苯薄膜的AFM及XRD研究 被引量:2
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作者 陶春兰 张旭辉 +4 位作者 董茂军 欧谷平 张福甲 刘一阳 张浩力 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期740-742,共3页
报道了以热氧化硅片为衬底,用溶液溶解和真空蒸镀两种方法制备有机半导体材料并五苯薄膜。用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的形貌,用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜的晶体结构,讨论了诸多因素对薄膜的影响以及两种方法制备的并五苯薄膜的相... 报道了以热氧化硅片为衬底,用溶液溶解和真空蒸镀两种方法制备有机半导体材料并五苯薄膜。用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的形貌,用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜的晶体结构,讨论了诸多因素对薄膜的影响以及两种方法制备的并五苯薄膜的相结构。 展开更多
关键词 并五苯薄膜 有机场效应晶体管(ofets) AFM XRD
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基于硅钛氧化物复合薄膜的有机场效应晶体管
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作者 胡加兴 李乐丹 王茹霞 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第12期943-947,956,共6页
研究了以硅钛氧化物复合薄膜为绝缘层、并五苯为半导体层的有机场效应晶体管(OFET),其中硅钛氧化物复合薄膜采用溶胶-凝胶法制备。采用傅里叶红外光谱仪、X射线衍射仪、原子力显微镜和扫描电子显微镜对硅钛氧化物复合薄膜进行了测试和... 研究了以硅钛氧化物复合薄膜为绝缘层、并五苯为半导体层的有机场效应晶体管(OFET),其中硅钛氧化物复合薄膜采用溶胶-凝胶法制备。采用傅里叶红外光谱仪、X射线衍射仪、原子力显微镜和扫描电子显微镜对硅钛氧化物复合薄膜进行了测试和表征。结果表明,硅钛氧化物复合薄膜中存在两种不同类型的氧化钛晶体结构(锐钛矿和金红石),具有较高的介电常数(k=9.47),在30 V偏压下漏电流密度小于1×10-9 A·cm-2。器件测试结果表明,有机场效应晶体管的载流子迁移率为0.16 cm2·V-1·s-1,开启电压为-1.9 V,亚阈值摆幅为180 mV·dec-1,开关比为1×104。高介电常数绝缘层可以有效降低有机场效应晶体管的工作电压、开启电压和亚阈值摆幅。 展开更多
关键词 硅钛氧化物复合薄膜 有机场效应晶体管(ofet) 溶胶-凝胶法 介电常数 工作电压
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基于降低有机场效应晶体管泄漏电流的研究进展 被引量:2
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作者 林雪梅 李蒙蒙 +1 位作者 龙世兵 李泠 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第9期665-674,共10页
近年来,由于有机场效应晶体管(OFET)具有成本低、机械柔性优异且可大面积制备等优点成为国际研究的前沿领域之一。迄今为止,OFET的载流子迁移率已超过了非晶硅薄膜晶体管,在柔性集成电路中表现出了巨大的应用潜力。随着技术的不断改进,O... 近年来,由于有机场效应晶体管(OFET)具有成本低、机械柔性优异且可大面积制备等优点成为国际研究的前沿领域之一。迄今为止,OFET的载流子迁移率已超过了非晶硅薄膜晶体管,在柔性集成电路中表现出了巨大的应用潜力。随着技术的不断改进,OFET的工作频率不断提高。首先阐述了泄漏电流的来源;然后介绍了影响OFET静态功耗的最主要因素是栅极泄漏电流,总结了近年来降低OFET栅极泄漏电流的主要方法,如构建多层结构的栅介质、开发新型栅介质材料和交联栅介质材料;最后对降低OFET泄漏电流的方法进行了展望。 展开更多
关键词 有机场效应晶体管(ofet) 静态功耗 泄漏电流 栅介质层 界面工程
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