反演光刻技术的研究进展

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作者 艾飞 苏晓菁 韦亚一 《电子与信息学报》 北大核心 2025年第1期22-34,共13页

反演光刻技术(ILT)相比传统的光学临近效应修正(OPC),生成的掩模具有成像效果更好,工艺窗口更大等优点,在当前芯片制造的工艺尺寸不断减小的背景下,逐渐成为主流的光刻掩模修正技术。该文首先介绍了反演光刻算法的基本原理和几种主流实... 反演光刻技术(ILT)相比传统的光学临近效应修正(OPC),生成的掩模具有成像效果更好,工艺窗口更大等优点,在当前芯片制造的工艺尺寸不断减小的背景下,逐渐成为主流的光刻掩模修正技术。该文首先介绍了反演光刻算法的基本原理和几种主流实现方法;其次,调研了当前反演光刻技术应用在光刻掩模优化问题上的研究进展,分析了反演光刻技术的优势和存在的问题。以希望为计算光刻及相关研究领域的研究人员提供参考,为我国先进集成电路产业的发展提供技术支持。 展开更多

关键词 先进集成电路技术 反演光刻技术 光学临近效应修正 掩模优化 研究进展

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一种基于IC电路设计的多次图形化方法

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作者 王雷 张顾斌 张雪 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期713-718,共6页

集成电路光刻工艺中的多次图形化技术在版图拆分时着重强化图形分辨率,而非考虑电路复杂程度带来的图形复杂度和拆分难度,拆分后的版图依然包含多个电路设计单元,具有多种复杂结构,不利于光刻条件的进一步优化。以存储器为例,提出了一... 集成电路光刻工艺中的多次图形化技术在版图拆分时着重强化图形分辨率,而非考虑电路复杂程度带来的图形复杂度和拆分难度,拆分后的版图依然包含多个电路设计单元,具有多种复杂结构,不利于光刻条件的进一步优化。以存储器为例,提出了一种基于电路设计的多次图形化方法,根据电路功能单元或器件工作电压对设计版图进行识别分组。将版图进行重新布局拆分,使拆分后图形具备类似的空间周期和图形特征,克服了传统光刻工艺需要兼顾各种图形带来的缺陷。对图形结构空间周期进行全周期优化和最大化优化,降低了对光刻设备的依赖程度,为多次图形化技术提供了一种新的思路和可行性方案。 展开更多

关键词 多次图形化 版图拆分 存储器 光罩 工艺窗口 光学临近效应修正(opc)

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用于光刻模拟的快速计算稀疏空间点光强的方法 被引量：1

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作者 王国雄 史峥 +3 位作者 严晓浪 陈志锦 高根生 熊军 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2003年第7期783-786,794,共5页

使用光刻仿真工具模拟掩模图形到硅圆片的转移成像结果 ,可以分析集成电路在工艺规则下产品的可靠性和部分电学特性 基于Gabor的“主波分解”方法 ,一个部分相干成像系统可以用相干成像系统的叠加来近似 ,再对空间图像进行高斯卷积来模... 使用光刻仿真工具模拟掩模图形到硅圆片的转移成像结果 ,可以分析集成电路在工艺规则下产品的可靠性和部分电学特性 基于Gabor的“主波分解”方法 ,一个部分相干成像系统可以用相干成像系统的叠加来近似 ,再对空间图像进行高斯卷积来模拟光刻胶的实际扩散效应 ,从而获得一种精确、快速用于光刻模拟的稀疏空间点光强计算方法 根据光学系统的传输交叉系数的特性 。 展开更多

关键词 光刻仿真 集成电路 可靠性 电学特性 矩阵分解

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用于快速光学邻近校正的可变阈值光刻胶模型 被引量：1

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作者 王国雄 史峥 +2 位作者 严晓浪 陈志锦 付萍 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期634-637,684,共5页

提出了用于光刻仿真的建模流程.用高斯滤波器与空间影像进行卷积,得到改进的空间影像来模拟光刻胶的扩散,然后使用可变阈值光刻胶模型,以实际工艺数据拟合该模型参数,再把改进空间影像的相关信息作为输入,并根据可变阈值光刻胶模型所确... 提出了用于光刻仿真的建模流程.用高斯滤波器与空间影像进行卷积,得到改进的空间影像来模拟光刻胶的扩散,然后使用可变阈值光刻胶模型,以实际工艺数据拟合该模型参数,再把改进空间影像的相关信息作为输入,并根据可变阈值光刻胶模型所确定的光强阈值来预测CD(criticaldimension)变化,从而使光刻仿真的结果更精确地附合实际测量数据.由于正确地表征了实际工艺的特性,模拟结果显示,多参数光刻胶模型更适于实际开发的光学邻近校正(opticalproximitycorrection,OPC)仿真工具. 展开更多

关键词 光刻仿真 光学邻近校正 可变阈值光刻胶模型 集成电路 制造工艺 空间影像

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激光直写中误差校正迭代方法的改进(英文) 被引量：1

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作者 张山 谭久彬 +1 位作者 王雷 程陶 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期317-325,共9页

为了进一步校正激光直写中的邻近效应,对误差校正迭代方法进行了完善。用虚拟的高分辨力声光调制器对直写图案进行校正,然后将曝光量数据转换圆整为低分辨力声光调制器对应的曝光量数据,消除了低分辨力声光调制器校正直写图案时出现的... 为了进一步校正激光直写中的邻近效应,对误差校正迭代方法进行了完善。用虚拟的高分辨力声光调制器对直写图案进行校正,然后将曝光量数据转换圆整为低分辨力声光调制器对应的曝光量数据,消除了低分辨力声光调制器校正直写图案时出现的退化现象;调制各误差区域重心最邻近光点的曝光量,以整体图案误差最小为判断标准进行串行寻优,解决了当被调制光点附近的图案正、负误差个数相等时无法进一步校正的问题。以无心方框图为例进行的仿真实验表明,使用低分辨力声光调制器时,改进的误差校正迭代方法能用于校正邻近效应,校正后图案误差相对原始误差减小了91.78%;使用高分辨力声光调制器时,图案误差相对原始误差减小了92.32%,继续应用本文方法校正后,图案误差相对原始误差可又减小1%。 展开更多

关键词 激光直写 邻近效应 误差校正迭代法

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成品率驱动的光刻校正技术 被引量：1

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作者 王国雄 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期10-13,共4页

光刻校正技术已成为超深亚微米下集成电路设计和制造中关键的技术。简要介绍了几种典型的光刻校正技术的基本原理以及在IC设计中使用这些技术需要注意的问题,为可制造性设计提供有价值的指导。

关键词 光刻 光学邻近校正 移相掩模 可制造性设计

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集成电路版图中的多边形匹配比较研究

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作者 史峥 高晓莹 +1 位作者 任杰 施怡雯 《机电工程》 CAS 2007年第10期32-35,共4页

光学邻近校正是最重要的分辨率增强技术,而对光学邻近校正后的版图修正逐渐成为提高集成电路版图质量的必需步骤。提出了一种用于post-OPC版图(做过OPC的版图)修正的多边形匹配比较的线性算法。算法通过比较pre-OPC和post-OPC的版图,提... 光学邻近校正是最重要的分辨率增强技术,而对光学邻近校正后的版图修正逐渐成为提高集成电路版图质量的必需步骤。提出了一种用于post-OPC版图(做过OPC的版图)修正的多边形匹配比较的线性算法。算法通过比较pre-OPC和post-OPC的版图,提取OPC校正时的分段信息和段偏移量,使得post-OPC版图的修正能够充分利用前次OPC的结果,避免了重做OPC,提高了OPC验证后修正的效率。 展开更多

关键词 可制造性设计 光学邻近校正 分辨率增强技术 多边形匹配比较

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声光调制器低分辨力时邻近效应的校正

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作者 张山 王雷 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期129-135,共7页

为了有效校正激光直写中的邻近效应,提出了声光调制器低分辨力时邻近效应的校正方法。该方法首先利用误差校正迭代方法以虚拟的高分辨力声光调制器对直写图案进行校正,再将此时的曝光量数据转换圆整以适用于低分辨力声光调制器,然后对... 为了有效校正激光直写中的邻近效应,提出了声光调制器低分辨力时邻近效应的校正方法。该方法首先利用误差校正迭代方法以虚拟的高分辨力声光调制器对直写图案进行校正,再将此时的曝光量数据转换圆整以适用于低分辨力声光调制器,然后对各误差区域重心的最邻近光点在曝光数据调制范围内以曝光当量为步长进行遍历寻优。该方法可有效克服误差校正迭代方法不能以低分辨力声光调制器校正直写图案以及寻优不彻底的缺点。实验表明,以"L"直写图案为例,本文方法使低分辨力声光调制器时的图案误差相对于原始误差减小了70.88%。 展开更多

关键词 激光直写 邻近效应 误差校正迭代方法 声光调制器

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基于光刻模型的光学邻近校正切分优化方法 被引量：1

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作者 沈泫 史峥 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2011年第23期211-213,225,共4页

在处理二维图形时需要耗费大量时间调试配方。为此,提出一种基于光刻模型的切分优化方法。采用纹波抑制的切分方法,并根据空间光强曲线的极值点分配切分片段,通过格点搜索选取方法参数,从而获得最优切分方案。实验结果表明,该方法能获... 在处理二维图形时需要耗费大量时间调试配方。为此,提出一种基于光刻模型的切分优化方法。采用纹波抑制的切分方法,并根据空间光强曲线的极值点分配切分片段,通过格点搜索选取方法参数,从而获得最优切分方案。实验结果表明,该方法能获得稳定的配方调试时间,且与参考配方结果相比,具有较好的光学邻近校正精度,可使边位置误差平均降低5%。 展开更多

关键词 光学邻近校正 基于模型的切分 纹波抑制 格点搜索

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用于光刻系统仿真的多边形处理算法

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作者 吕楠 史峥 +1 位作者 罗凯升 耿臻 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2014年第9期124-127,共4页

为提高光刻仿真效率,通过对光刻原理进行研究,提出了2种多边形处理算法,将掩模上的多边形图案进行切分优化,将其划分成若干矩形或三角形。在Linux环境下应用C语言设计出一个完整的光刻仿真系统,设计的具体光学参数为:光源波长为193nm,... 为提高光刻仿真效率,通过对光刻原理进行研究,提出了2种多边形处理算法,将掩模上的多边形图案进行切分优化,将其划分成若干矩形或三角形。在Linux环境下应用C语言设计出一个完整的光刻仿真系统,设计的具体光学参数为:光源波长为193nm,数值孔径为0.3~0.8,部分相干系数可调范围为0.2~0.8,可一次性仿真1μm×1μm到10μm×10μm范围内的45 nm^0.18μm工艺的复杂版图,并通过多次实验进行验证。实验结果表明:原版图图像的边缘细节得到保留,且该算法有效地减少了光刻模拟的计算复杂度与计算时间,整体效率提升20%以上,为当前智能传感器系统芯片的制造节省了宝贵时间。 展开更多

关键词 传感器 多边形切分 光刻仿真 光学邻近效应 部分相干系数

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使用测试图形法优化亚分辨率辅助图形

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作者 齐晶 史峥 +1 位作者 林斌 罗凯升 《华东理工大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期365-369,共5页

在亚波长光刻领域,基于规则插入亚分辨率辅助图形是一种重要的技术。现有的方法需要利用经验改善亚分辨率辅助图形,且不考虑光学邻近校正的效果。提出了一种新的利用测试图形优化亚分辨率辅助图形的方法。与一般的光学邻近校正流程结合... 在亚波长光刻领域,基于规则插入亚分辨率辅助图形是一种重要的技术。现有的方法需要利用经验改善亚分辨率辅助图形,且不考虑光学邻近校正的效果。提出了一种新的利用测试图形优化亚分辨率辅助图形的方法。与一般的光学邻近校正流程结合,该方法能解决工艺窗口过小和亚分辨率辅助图形刻出等问题。通过对标准电路版图的测试,对边放置误差和工艺窗口进行了测量。边放置误差相比传统方法减小了10%,同时,不同工艺窗条件下的边放置误差也有改善。 展开更多

关键词 可制造性设计 光刻 亚分辨率辅助图形 光学邻近校正

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一种用于光刻模拟的新光源模型

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作者 李智峰 史峥 陈晔 《江南大学学报（自然科学版）》 CAS 2007年第5期528-531,共4页

讨论提出用连续的光源描述函数代替0～1分布的光源函数精确描述光源光强分布，以提高光刻分辨率．在SPIAT的基础上应用新的光源特征函数，建立新的光源模型，并结合测试模板进行仿真．结果显示，新的模型在精度上有较为明显的改善，新... 讨论提出用连续的光源描述函数代替0～1分布的光源函数精确描述光源光强分布，以提高光刻分辨率．在SPIAT的基础上应用新的光源特征函数，建立新的光源模型，并结合测试模板进行仿真．结果显示，新的模型在精度上有较为明显的改善，新光源特征函数有助于建立更为精确的光刻模型． 展开更多

关键词 光刻仿真 光源 光学临近校正

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集成电路光刻过程中的ECO技术

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作者 张宏博 史峥 《机电工程》 CAS 2007年第12期59-62,共4页

在现阶段深亚微米化的集成电路产业中,设计与制造已经出现日益严重的脱节,生产加工过程带来的重修正问题使得设计-生产周期大大加长,为了克服这个弊端,随之而来的反馈修正技术(ECO技术)应运而生。以光刻过程中光学临近矫正(OPC)技术所... 在现阶段深亚微米化的集成电路产业中,设计与制造已经出现日益严重的脱节,生产加工过程带来的重修正问题使得设计-生产周期大大加长,为了克服这个弊端,随之而来的反馈修正技术(ECO技术)应运而生。以光刻过程中光学临近矫正(OPC)技术所涉及到的反向修正技术为例,介绍了几种目前产业界所主要采用(或即将采用)的方法,并为此提出了几个目前所亟待解决的问题。 展开更多

关键词 集成电路 反馈修正 光学临近矫正 分辨率增强技术 光刻过程

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双重图形技术的优化设计

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作者 潘意杰 陈晔 《机电工程》 CAS 2008年第12期35-38,共4页

作为集成电路光刻设计下一节点发展的候选之一,双重图形技术(DPT)面临的诸多复杂过程将影响其在制造领域的迅速应用,其中最突出的因素是设计的复杂度和数据量急剧增长。通过分析版图分解问题和光学邻近校正(OPC)中的信息重用,在重分解... 作为集成电路光刻设计下一节点发展的候选之一,双重图形技术(DPT)面临的诸多复杂过程将影响其在制造领域的迅速应用,其中最突出的因素是设计的复杂度和数据量急剧增长。通过分析版图分解问题和光学邻近校正(OPC)中的信息重用,在重分解修正后的版图与前次OPC数据-分段和段偏移量之间建立了关联,并进行了相关实验。实验结果表明,在保证版图校正精确度的同时,可节省大量的运行时间,同时也有效地缩短了DPT的流程。 展开更多

关键词 可制造性设计 双重图形技术 光学邻近校正 分辨率增强技术 重用

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偏离最佳条件的基于模型的光学邻近效应修正

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作者 陆梅君 金晓亮 +1 位作者 毛智彪 梁强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期673-675,679,共4页

提出了一种新型的与制程窗口紧密相关,被称为偏离最佳条件的基于模型的光学邻近效应模型,该模型包含制程参数变化的信息。该模型引导得到的修正的图形在工艺参数变化时也会表现得非常稳定,而且相对标准模型而言,缩短了建立模型的周期,... 提出了一种新型的与制程窗口紧密相关,被称为偏离最佳条件的基于模型的光学邻近效应模型,该模型包含制程参数变化的信息。该模型引导得到的修正的图形在工艺参数变化时也会表现得非常稳定,而且相对标准模型而言,缩短了建立模型的周期,节省了光罩出版的时间。 展开更多

关键词 偏离最佳 光学邻近效应 制程窗口

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