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β相氧化镓p型导电研究进展 被引量：1
1
作者 查显弧 万玉喜 张道华 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期177-189,共13页
β相氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))具有超宽带隙、高击穿电场和容易制备等优势,是功率器件的理想半导体材料。但由于β-Ga_(2)O_(3)价带顶能级位置低、能带色散关系平坦,其p型掺杂目前仍具有挑战性,限制了p-n结及双极性晶体管的开发。利用尺... β相氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))具有超宽带隙、高击穿电场和容易制备等优势,是功率器件的理想半导体材料。但由于β-Ga_(2)O_(3)价带顶能级位置低、能带色散关系平坦,其p型掺杂目前仍具有挑战性,限制了p-n结及双极性晶体管的开发。利用尺寸效应、缺陷调控、非平衡动力学及固溶提升价带顶能级等方案是目前实现β-Ga_(2)O_(3)p型掺杂的主要策略。对于β-Ga_(2)O_(3)p-n同质结和异质结,提高晶体质量、减少界面缺陷态是优化器件性能的关键问题。本文针对β-Ga_(2)O_(3)的p型导电问题,系统阐述了β-Ga_(2)O_(3)电子结构,实验表征及理论计算掺杂能级方法,p型掺杂困难原因,以及改进p型掺杂的突破性研究进展。最后简单介绍了β-Ga_(2)O_(3)p-n同质结和异质结器件的相关工作。利用复合缺陷调控、非平衡动力学、固溶等方案,以及不同方案的协同实现体相β-Ga_(2)O_(3)的p型掺杂仍需要深入探索,p-n同质及异质结的器件性能需要进一步优化。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3) p型导电 电子结构 受主能级 固溶 p-n结
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n+p组合结构臭氧气体传感器研究 被引量：2
2
作者 杨留方 谢永安 +2 位作者 李开毅 吴兴惠 赵怀志 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2005年第10期1-3,共3页
n+p型半导体气体传感器是基于气体传感器互补增强原理的一种新结构半导体气体传感器。该种传感器是由两种传导类型不同的敏感体A和B构成,A是n型半导体材料,B是p型半导体材料。理论分析表明:当敏感体A和B满足一定条件时,该种传感器灵敏... n+p型半导体气体传感器是基于气体传感器互补增强原理的一种新结构半导体气体传感器。该种传感器是由两种传导类型不同的敏感体A和B构成,A是n型半导体材料,B是p型半导体材料。理论分析表明:当敏感体A和B满足一定条件时,该种传感器灵敏度高、热稳定性好,在理论的指导下,通过实验和比较,获得了性能较好的n+p组合结构臭氧敏气体传感器。实验结果与理论分析符合得很好。 展开更多
关键词 气体传感器 n%pLUS%p组合结构 互补增强 灵敏度 热稳定性 臭氧
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白刺器官间非结构性碳水化合与C∶N∶P计量比的关联性 被引量：12
3
作者 孙小妹 何明珠 +2 位作者 杨睿哲 李金霞 陈年来 《生态学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期1081-1091,共11页
为了探明荒漠生态系统优势种白刺的生存和生长策略,以便更好地服务于退化生态系统恢复及荒漠化治理。根据空气相对湿度选取阿拉善地区3个典型白刺群落样点,研究白刺根、茎、叶中非结构性碳水化合物(NSCs)的积累及分配和碳∶氮∶磷(C∶N... 为了探明荒漠生态系统优势种白刺的生存和生长策略,以便更好地服务于退化生态系统恢复及荒漠化治理。根据空气相对湿度选取阿拉善地区3个典型白刺群落样点,研究白刺根、茎、叶中非结构性碳水化合物(NSCs)的积累及分配和碳∶氮∶磷(C∶N∶P)计量比特征的变化,并分析相应区域的土壤有机质、全N、全P含量。结果表明:(1)随干旱程度加剧,白刺根、茎、叶中NSCs绝对含量减小,可溶性糖先增加后降低,淀粉先降低后增加;白刺叶片中N、P含量先增加后降低,C∶N和C∶P先降低后增加,在最为干旱的Plot3样点叶片N∶P>16。(2)在Plot1样点,器官间根系可溶性糖显著高于茎干和叶片,根系淀粉含量显著低于茎干和叶片,在Plot3样点叶片可溶性糖含量显著高于茎干和根系,根系中淀粉含量显著高于叶片和茎干;白刺根、茎全C含量显著高于叶片,叶片N含量显著>根系>茎干;在Plot1和PLot2样点叶片P含量显著大于根系和茎干,在Plot3样点根系>茎干>叶片。(3)NSCs及构成与C∶N∶P计量比间关系表明叶片N、P含量与茎、叶可溶性糖含量正相关和淀粉含量负相关,根中P含量与根中淀粉含量正相关和可溶性糖含量负相关。以上结果表明,随干旱加剧白刺的生长受到水分和P的双重限制,白刺通过调整器官间NSCs积累及分配和提高N、P利用效率的策略来适应干旱生境,P含量的变化影响器官间可溶性糖和淀粉的相互转化,对NSCs构成和含量的波动起着调节作用。 展开更多
关键词 非结构性碳水化合物 C∶n∶p计量比 器官关联性 干旱适应策略
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GaInP/GaAs/InGaAs倒装三结太阳电池设计与优化 被引量：3
4
作者 马大燕 陈诺夫 +3 位作者 付蕊 刘虎 白一鸣 陈吉堃 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期550-557,共8页
为获得带隙组合对太阳光谱有效的分割利用，基于细致平衡原理，结合p-n结形成机理，应用Matlab语言对GaInP（1．90eV）／GaAs／InGaAs倒装结构电池体系底电池带隙和各子电池厚度进行模拟优化。结果表明底电池带隙为1．0eV时，光电转换... 为获得带隙组合对太阳光谱有效的分割利用，基于细致平衡原理，结合p-n结形成机理，应用Matlab语言对GaInP（1．90eV）／GaAs／InGaAs倒装结构电池体系底电池带隙和各子电池厚度进行模拟优化。结果表明底电池带隙为1．0eV时，光电转换效率最高。通过对GaInP（1．90eV）／GaAs（1．42eV）／InGaAs（1．0eV）倒装结构三结太阳电池各结厚度进行优化，综合考虑材料成本及生产技术等闪素，最佳厚度组合为1．35、2．83和3．19μm时，光电转换效率为44.4％，仅比最高转换效率低0．3％。 展开更多
关键词 太阳电池 细致平衡 p-n结 倒装结构(IMM)
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基于宽带隙P-I-N结构的高效有机小分子太阳电池 被引量：3
5
作者 郭文阁 郑建邦 +1 位作者 任驹 张延曹 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期530-534,共5页
研制了一种采用混合的P-I-N异质结结构、基于混合ZnPc和C60的有机小分子太阳电池。该有机太阳电池光电转换由ZnPc和C60异质结混合成膜完成，电子和空穴分别通过n掺杂和P掺杂的宽带有机层传输至阴极和阳极，不同掺杂的电子或空穴传输层... 研制了一种采用混合的P-I-N异质结结构、基于混合ZnPc和C60的有机小分子太阳电池。该有机太阳电池光电转换由ZnPc和C60异质结混合成膜完成，电子和空穴分别通过n掺杂和P掺杂的宽带有机层传输至阴极和阳极，不同掺杂的电子或空穴传输层由精确控制两种有机小分子的蒸镀速率来实现；其中空穴传输层采用N，N，N’，N’-Tetrakis（4-methoxyphenyl）-benzidine（MeO-TPD）为基底材料和Tetrafluoro-tetracyano-quinodimethane（F4-TCNQ）为掺杂材料，电子传输层采用C60为基底材料，而掺杂材料为Leuco Crystal violet（LCV）。实验发现：可以通过改变光电转换层和电子传输层的厚度，优化器件的结构；与未掺杂的有机薄膜相比，掺杂的宽带有机传输层导电率提高了3～4个数量级，并且它们几乎不吸收太阳光；电子传输层的厚度直接影响太阳电池的转换效率，这与薄膜光学的预期结果相符；当增大光电转换层的厚度，不仅增加了光吸收，同时电子空穴的复合率也随之增加，因此器件的填充因子降低。实验结果表明：该有机太阳电池的光电转换效率可达2．4％。 展开更多
关键词 有机太阳电池 有机小分子 p-I-n异质结 转换效率
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N-对甲苯磺酰β-丙氨酸稀土(Pr、Yb)一维链配合物的合成、晶体结构及抑菌活性 被引量：3
6
作者 马录芳 王利亚 +3 位作者 杜仲祥 梁福沛 张漫波 郁开北 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期246-249,共4页
合成了N 对甲苯磺酰β 丙氨酸与稀土Pr3+离子和Yb3+离子的配合物,并进行了元素分析及红外光谱表征。测定了 2个配合物的晶体结构。配合物组成为 [Ln2 (H2O)4 (Ts -β -Ala- )6 ]n·4nH2O(Ln为Pr(1)、Yb(2),Ts -β- Ala-为N 对甲苯... 合成了N 对甲苯磺酰β 丙氨酸与稀土Pr3+离子和Yb3+离子的配合物,并进行了元素分析及红外光谱表征。测定了 2个配合物的晶体结构。配合物组成为 [Ln2 (H2O)4 (Ts -β -Ala- )6 ]n·4nH2O(Ln为Pr(1)、Yb(2),Ts -β- Ala-为N 对甲苯磺酰β- 丙氨酸阴离子 ),配合物属单斜晶系,P21 /n空间群;晶胞参数:配合物(1):a=0. 953 2(3)nm,b=1 .909 5(6)nm,c=2. 298 0(8)nm,β=99. 73(2)°;配合物(2):a=0 .956 9(1)nm,b=1 888 0(3)nm,c=2. 286 8(3)nm,β=100 .41(1)°。配合物 (1)和 (2)均为无限一维链结构,但链中羧基桥连方式不同;Pr3+为 9配位而Yb3+为 8配位。抑菌实验表明,配合物的抑菌效果明显好于配体。 展开更多
关键词 对甲苯磺酰β-丙氨酸 稀土配合物 晶体结构 抑菌活性
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背照射和正照射p-i-n结构GaN紫外探测器的i-GaN和p-GaN厚度设计 被引量：2
7
作者 周梅 李春燕 赵德刚 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期1034-1040,共7页
研究了i-Ga N和p-Ga N厚度对背照射和正照射p-i-n结构Ga N紫外探测器响应光谱的影响。模拟计算发现:对于背照射结构,适当地减小i-Ga N厚度有利于提高探测器的响应,降低i-Ga N层的本底载流子浓度也有利于提高探测器的响应;p-Ga N的欧姆... 研究了i-Ga N和p-Ga N厚度对背照射和正照射p-i-n结构Ga N紫外探测器响应光谱的影响。模拟计算发现:对于背照射结构,适当地减小i-Ga N厚度有利于提高探测器的响应,降低i-Ga N层的本底载流子浓度也有利于提高探测器的响应;p-Ga N的欧姆接触特性好坏对探测器的响应影响不大,适当地增加p-Ga N厚度可以改善探测器性能。而正照射结构则不同,i-Ga N厚度对探测器的响应度影响不大,但欧姆接触特性差将严重降低探测器的响应,适当地减小p-Ga N厚度可以大幅度改善探测器的响应特性。能带结构和入射光吸收的差别导致了正照射和背照射探测器结构中i层和p层厚度的选择和设计不同。 展开更多
关键词 GAn p-i-n结构 紫外探测器 量子效率
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p-InGaN层厚度对p-i-n结构InGaN太阳电池性能的影响及机理 被引量：3
8
作者 周梅 赵德刚 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期534-538,共5页
研究了p-In Ga N层厚度对p-i-n结构In Ga N太阳电池性能的影响。模拟计算发现,随着p-In Ga N层厚度的增加,In Ga N太阳电池效率降低。较差的p-In Ga N欧姆接触特性会破坏In Ga N太阳电池性能。计算结果还表明,无论欧姆接触特性好坏,随着... 研究了p-In Ga N层厚度对p-i-n结构In Ga N太阳电池性能的影响。模拟计算发现,随着p-In Ga N层厚度的增加,In Ga N太阳电池效率降低。较差的p-In Ga N欧姆接触特性会破坏In Ga N太阳电池性能。计算结果还表明,无论欧姆接触特性好坏,随着p-In Ga N层厚度的增加,短路电流下降是导致In Ga N电池效率降低的主要原因。选择较薄的p-In Ga N层有利于提高p-i-n结构In Ga N太阳电池的效率。 展开更多
关键词 InGAn 太阳电池 p-i-n结构
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In组分梯度渐变的n-i-p结构InGaN太阳能电池性能研究 被引量：1
9
作者 鲁麟 李明潮 +2 位作者 许福军 江明 陈其工 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期682-687,共6页
为了优化InGaN太阳能电池结构并有效地指导实际电池的制备,研究了n-i-p(p层在下)In组分梯度渐变结构的InGaN太阳能电池的性能特征。通过APSYS软件模拟计算,对比采用p-i-n渐变结构(p层在上)和n-i-p渐变结构(p层在下)的InGaN太阳能电池的... 为了优化InGaN太阳能电池结构并有效地指导实际电池的制备,研究了n-i-p(p层在下)In组分梯度渐变结构的InGaN太阳能电池的性能特征。通过APSYS软件模拟计算,对比采用p-i-n渐变结构(p层在上)和n-i-p渐变结构(p层在下)的InGaN太阳能电池的器件性能。结果表明,采用n-i-p渐变结构的InGaN电池,i-InGaN层在低In组分下没有明显的优势,而在高In组分下的器件性能较好。在In组分为0.62时,转换效率最高达到8.48%。分析表明,p层在下的n-i-p渐变结构使得InGaN电池的极化电场与耗尽区的内建电场方向一致,有利于载流子的输运。采用n-i-p渐变结构有利于制备高性能的InGaN太阳能电池。 展开更多
关键词 InGAn 太阳能电池 n-i-p结构
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应用焊接头P—S—N曲线估算结构疲劳强度的若干问题 被引量：2
10
作者 赵永翔 王金诺 高庆 《机械设计》 CSCD 北大核心 1997年第3期13-16,共4页
根据疲劳寿命的分散性规律，本文探索了Ｐ—Ｓ—Ｎ曲线的合理描述模型；考虑平均应力和焊接头与结构相似性的影响，提出了Ｐ—Ｓ—Ｎ曲线的当量对称循环应力幅化的方法和确定疲劳影响系数的相对疲劳影响系数法。实际结构的试验结果与估... 根据疲劳寿命的分散性规律，本文探索了Ｐ—Ｓ—Ｎ曲线的合理描述模型；考虑平均应力和焊接头与结构相似性的影响，提出了Ｐ—Ｓ—Ｎ曲线的当量对称循环应力幅化的方法和确定疲劳影响系数的相对疲劳影响系数法。实际结构的试验结果与估算结果的比较表明，本文的工作是有效的和合理的。 展开更多
关键词 焊接头 p-S-n曲线 估算结构 疲劳强度
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AlGaN/GaN P-I-N紫外探测器的电子辐照效应
11
作者 白云 邵秀梅 +2 位作者 张燕 李向阳 龚海梅 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期867-869,873,共4页
制备了Al0.1Ga0.9N/GaN异质结P-I-N结构可见盲正照射紫外探测器。用能量为0.8MeV的电子对器件依次进行注量为5×1014,5×1015和5×1016n/cm2的辐照。通过测量辐照前后器件的I-V曲线和光谱响应曲线,讨论了不同注量的电子辐照... 制备了Al0.1Ga0.9N/GaN异质结P-I-N结构可见盲正照射紫外探测器。用能量为0.8MeV的电子对器件依次进行注量为5×1014,5×1015和5×1016n/cm2的辐照。通过测量辐照前后器件的I-V曲线和光谱响应曲线,讨论了不同注量的电子辐照对Al0.1Ga0.9N/GaN异质结P-I-N器件性能的影响。实验表明,小注量的电子辐照对器件的反向暗电流影响不大,当电子注量≥5×1016n/cm2时才使器件的暗电流增大一个数量级。为了分析器件的辐照失效机理,制备SiN/GaN的MIS结构,并对其进行电子辐照,发现SiN/GaN之间的界面态随着电子辐照注量的增加而增加。这表明,器件的暗电流的增大的原因之一为钝化层与GaN材料之间因为辐照诱生的界面态。辐照前后器件的光谱响应曲线表明,电子辐照对器件的响应率没有产生明显的影响。 展开更多
关键词 ALGAn p-I-n 电子辐照 MIS结构
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p+n组合结构半导体甲苯气体传感器
12
作者 杨留方 王玉林 王玉德 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2010年第10期12-14,23,共4页
p+n型半导体气体传感器是基于气体传感器互补增强和互补反馈原理的一种新结构半导体气体传感器。该传感器由两种传导类型不同的敏感体A和B构成,A是p型半导体材料,B是n型半导体材料。理论分析表明:当敏感体A和B满足一定条件时,该种传感... p+n型半导体气体传感器是基于气体传感器互补增强和互补反馈原理的一种新结构半导体气体传感器。该传感器由两种传导类型不同的敏感体A和B构成,A是p型半导体材料,B是n型半导体材料。理论分析表明:当敏感体A和B满足一定条件时,该种传感器具有高的灵敏度、好的选择性和热稳定性。在理论的指导下,通过实验获得了性能较好的p+n组合结构半导体甲苯敏气体传感器。 展开更多
关键词 气体传感器 p%pLUS%n组合结构 互补增强 互补反馈 灵敏度 热稳定性 甲苯
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P·Zn组合对小麦生长·产量和籽粒含氮量的影响
13
作者 尹恩 武际 郭熙盛 《安徽农业科学》 CAS 北大核心 2009年第15期6920-6922,共3页
[目的]探讨P、Zn组合对小麦生长的影响机理。[方法]采用盆栽试验,研究砂姜黑土中P、Zn配施对小麦生长期产量以及籽粒氮素含量的影响。[结果]结果表明,小麦苗期和抽穗期P、Zn呈协同关系,成熟期明显出现P、Zn拮抗。适当的P、Zn配比有利于... [目的]探讨P、Zn组合对小麦生长的影响机理。[方法]采用盆栽试验,研究砂姜黑土中P、Zn配施对小麦生长期产量以及籽粒氮素含量的影响。[结果]结果表明,小麦苗期和抽穗期P、Zn呈协同关系,成熟期明显出现P、Zn拮抗。适当的P、Zn配比有利于小麦籽粒产量的提高和经济效益的增加。P0.3Zn0.2处理的产量最高,与其他处理间在0.05水平有差异,P0.3Zn0.4、P0.9Zn0.2、P0.9Zn0.4间的产量在0.05水平无差异,Zn0处理的产量最低。[结论]低P背景下,施Zn肥能促进小麦根系的生长;高P背景下,施适量Zn肥能促进小麦根系生长,但高Zn时出现P、Zn拮抗。 展开更多
关键词 小麦 p、Zn配施 产量 氮素吸收
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双核钆混配配合物[Gd(Ts-p-aba)_3(phen)]_2·2DMF·4.4H_2O的合成与晶体结构
14
作者 李文杰 陈婉贞 黄妙龄 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期2113-2117,2134,共6页
采用溶剂热合成法合成了双核钆混配配合物[Gd(Ts-p-aba)_3(phen)]_2·2DMF·4.4H_2O(Ts-p-aba-=N-对甲苯磺酰对氨基苯甲酸根离子,phen=1,10-邻菲罗啉,DMF=N,N-二甲基甲酰胺),并利用红外光谱(FT-IR)、热重分析(TG-DSC)和X-射线... 采用溶剂热合成法合成了双核钆混配配合物[Gd(Ts-p-aba)_3(phen)]_2·2DMF·4.4H_2O(Ts-p-aba-=N-对甲苯磺酰对氨基苯甲酸根离子,phen=1,10-邻菲罗啉,DMF=N,N-二甲基甲酰胺),并利用红外光谱(FT-IR)、热重分析(TG-DSC)和X-射线单晶衍射等实验手段研究了配合物的组成、结构和性质。X-射线单晶衍射结果表明:该配合物晶体属三斜晶系,P1空间群,晶胞参数是:a=1.10505(12)nm,b=1.74570(18)nm,c=1.78163(19)nm,α=70.321(2)°,β=85.357(2)°,γ=82.600(2)°,V=3.2066(6)nm^3,M_r=2633.99,D_c=1.364 g/cm^3,Z=1,μ=1.197mm^(-1)。6个氧原子和2个氮原子在钆离子周围形成一个变形的反四方棱柱体配位环境。配合物存在着丰富的氢键,将配合物连接成二维层状超分子结构。 展开更多
关键词 n-对甲苯磺酰对氨基苯甲酸 钆配合物 1 10-邻菲罗啉 晶体结构
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NP配施对平茬后云南松苗木N、P、K化学计量比的影响 被引量：6
15
作者 陆庄跃 杨振欣 +3 位作者 郑超凡 罗茜 蔡年辉 许玉兰 《植物研究》 CAS CSCD 北大核心 2023年第2期218-230,共13页
为了解NP配施对平茬后云南松(Pinus yunnanensis)苗木各器官N、P、K化学计量比的影响,分析云南松苗木不同器官(根、茎、叶、萌条)的ω(N)∶ω(P)、ω(N)∶ω(K)、ω(P)∶ω(K)化学计量比的季节变化特征,探讨各器官间N、P、K化学计量比... 为了解NP配施对平茬后云南松(Pinus yunnanensis)苗木各器官N、P、K化学计量比的影响,分析云南松苗木不同器官(根、茎、叶、萌条)的ω(N)∶ω(P)、ω(N)∶ω(K)、ω(P)∶ω(K)化学计量比的季节变化特征,探讨各器官间N、P、K化学计量比的相关性及其变异来源。采用N、P二因素三水平的3×3回归设计开展不同施肥试验,并对苗木采样测定,研究NP配施对平茬后云南松根、叶、茎及其萌条N、P、K化学计量特征的影响。结果表明:平茬后云南松苗木不同器官的营养元素分配没有统一的规律,展现出丰富的变异。随着施肥季节的变化,ω(N)∶ω(P)在根、茎和萌条中逐渐下降,在叶中先下降后上升,但总体差异不大。单施N肥、P肥和NP配施均对云南松苗木生长的影响产生一定差异,总体来看NP配施更有利于促进苗木的生长,且以处理5(N_(1)P_(1))表现为极显著(P<0.01)。云南松苗木各器官N、P、K化学计量比主要受N×P交互作用的影响,其次是N,影响最小的是P。除在根和叶中ω(N)∶ω(P)与ω(N)∶ω(K)之间相关性发生改变之外,其余两两间的正负相关性均保持不变,而ω(N)∶ω(P)与ω(P)∶ω(K)、ω(N)∶ω(K)与ω(P)∶ω(K)的相关性均随着施肥季节的变化相关性发生改变,且相关系数降低,分别受P和K的调控。平茬改变植株体内的营养元素含量,不同施肥处理促使云南松各器官中N、P、K化学计量特征差异极显著(P<0.01)。NP配施可以有效缓解单施N肥、P肥对植株的限制作用,使养分处于一个平衡状态,从而满足植株对生长的需要。 展开更多
关键词 云南松 np配施 施肥季节 化学计量比
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Na,N双受主共掺杂p型ZnO第一原理研究 被引量：3
16
作者 解晓宇 孙慧卿 +3 位作者 王度阳 许轶 韩世洋 肖永能 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期257-260,共4页
采用基于密度泛函理论的第一原理平面波超软赝势法,对六方纤锌矿结构ZnO晶体,Na、N分别掺杂ZnO晶体,Na、N共掺杂ZnO晶体的几何结构进行了优化,其中Na、N共掺杂又分为Na、N相连和分开两种情况,以此为基础计算得到了这几种情况下ZnO晶体... 采用基于密度泛函理论的第一原理平面波超软赝势法,对六方纤锌矿结构ZnO晶体,Na、N分别掺杂ZnO晶体,Na、N共掺杂ZnO晶体的几何结构进行了优化,其中Na、N共掺杂又分为Na、N相连和分开两种情况,以此为基础计算得到了这几种情况下ZnO晶体的能带结构,总态密度和分波态密度。结果表明,Na、N共掺得到的p型ZnO比单掺要好;两种共掺情况中Na、N分开会比Na、N相连p掺杂效果更好。 展开更多
关键词 光电子学 ZnO电子结构 第一原理 p型ZnO na、n共掺杂
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ZnO纳米管阵列/p-Si异质结构的低温控制合成及其光电性能 被引量：3
17
作者 徐玉睿 田永涛 +5 位作者 王文闯 贺川 陈文丽 赵晓峰 王新昌 李新建 《郑州大学学报（理学版）》 CAS 北大核心 2012年第2期56-61,共6页
通过选择性腐蚀ZnO纳米棒,在p型Si衬底上低温合成了ZnO纳米管阵列,构成ZnO纳米管阵列/p-Si异质结构(n-ZnONT/p-Si).ZnO纳米管阵列光致发光谱显示,在378 nm处出现了很强的紫外发射峰,而在500 nm左右有一个较宽的绿色发光峰,表明ZnO纳米... 通过选择性腐蚀ZnO纳米棒,在p型Si衬底上低温合成了ZnO纳米管阵列,构成ZnO纳米管阵列/p-Si异质结构(n-ZnONT/p-Si).ZnO纳米管阵列光致发光谱显示,在378 nm处出现了很强的紫外发射峰,而在500 nm左右有一个较宽的绿色发光峰,表明ZnO纳米管具有较好的结晶性.电流-电压曲线显示,n-ZnONT/p-Si异质结构在光暗两种条件下都表现出了较好的整流特性.在紫外光照射下,反向偏压区电流出现了较大的变化,反映出n-ZnONT/p-Si异质结构有较强的紫外光响应,有望成为潜在的紫外光探测器件. 展开更多
关键词 ZnO纳米管阵列 n-ZnOnT/p-Si异质结构 光致发光 电流-电压曲线
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氮添加对长序榆C、N、P养分含量及非结构性碳水化合物含量的影响 被引量：12
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作者 洪琮浩 洪震 +2 位作者 雷小华 汪俊峰 闫道良 《林业科学》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期186-192,共7页
【目的】通过研究外源氮添加,模拟氮沉降对濒危植物长序榆碳、氮、磷养分积累及其之间的计量关系及非结构性碳水化合物(NSC)含量的影响,以期为在氮沉降持续增加的背景下保护该极小种群提供参考。【方法】通过精确定量对1年生长序榆实生... 【目的】通过研究外源氮添加,模拟氮沉降对濒危植物长序榆碳、氮、磷养分积累及其之间的计量关系及非结构性碳水化合物(NSC)含量的影响,以期为在氮沉降持续增加的背景下保护该极小种群提供参考。【方法】通过精确定量对1年生长序榆实生苗施加不同浓度的氮素,分析施氮后长序榆根、茎、叶中总碳、氮和磷的积累及其之间的计量关系和非结构性碳水化合物含量的变化。【结果】高氮量(N:262.3 mg·L-1)添加后,显著降低长序榆叶生物量,对根茎生物量没有明显影响。低氮(N:52.46 mg·L-1)和高氮均会提高根中总碳含量,但显著降低叶中总碳含量。高氮处理下,根茎叶中的总氮含量显著提高,总磷含量则会随着施氮水平的提高而显著降低。低氮和高氮处理均会降低植株中的C∶N值,C∶P和N∶P均表现在高氮处理下最高。低氮和高氮处理均会提高根、茎中可溶性多糖和淀粉含量。高氮处理显著降低叶中可溶性多糖和淀粉含量。非结构性碳水化合物含量随施氮水平的增加,在根和茎中先降低后升高,在叶中为先升高后降低。高氮处理导致Pn、Gs、Tr、WUE和Ls不同程度下降,Ci表现上升。【结论】高氮处理长序榆,提高了叶片N含量,抑制叶片的光合性能,降低碳物质积累,加剧磷素限制,由此提高其濒危的风险。同时,更多的非结构性碳水化合物在长序榆根中积累,以应对高氮对其造成的不利影响。 展开更多
关键词 长序榆 氮添加 C、n、p养分 非结构性碳水化合物
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基于吡嗪空穴传输层的合成及在p-i-n型钙钛矿太阳能电池中的应用 被引量：2
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作者 许桂英 薛荣明 +2 位作者 张默瑶 李耀文 李永舫 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2021年第4期167-175,共9页
钙钛矿太阳能电池由于具有高的光电转换效率,简单的溶液加工工艺,较低的成本等优势因而拥有广阔的应用前景。有机小分子空穴传输层材料在钙钛矿太阳能电池中扮演着极其重要的角色。在本工作中,我们设计和合成了基于吡嗪为分子中心核,三... 钙钛矿太阳能电池由于具有高的光电转换效率,简单的溶液加工工艺,较低的成本等优势因而拥有广阔的应用前景。有机小分子空穴传输层材料在钙钛矿太阳能电池中扮演着极其重要的角色。在本工作中,我们设计和合成了基于吡嗪为分子中心核,三苯胺为分枝的X型空穴传输层材料PT-TPA。与Si-OMeTPA对比,吡嗪的引入不仅不会影响其结晶性,并且能够改善其电荷转移特性和分子中心共平面性,从而显著提升了PT-TPA的空穴迁移率。在非掺杂的情况之下,基于PT-TPA空穴传输层的p-i-n型钙钛矿太阳能电池展现出17.52%的光电转换效率,与相同条件下基于Si-OMeTPA空穴传输层的器件相比,效率提高了近15%。 展开更多
关键词 吡嗪 空穴传输层 有机小分子 p-i-n型钙钛矿太阳能电池 结构与性能关系
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生长速度对N型和P型Bi-Te热电材料性能的影响
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作者 顾永明 郭燕明 《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1999年第4期311-316,共6页
本文报导了采用移动加热器法生长 Ｎ 型和 Ｐ型 Ｂｉ Ｔｅ 热电材料时不同生长速度对其性能影响的研究结果．结果表明较低的生长速度导致 Ｎ 型和 Ｐ型合金较完整的晶体结构和较高的优值系数．然而生长速度对各自的热电参数的影响是... 本文报导了采用移动加热器法生长 Ｎ 型和 Ｐ型 Ｂｉ Ｔｅ 热电材料时不同生长速度对其性能影响的研究结果．结果表明较低的生长速度导致 Ｎ 型和 Ｐ型合金较完整的晶体结构和较高的优值系数．然而生长速度对各自的热电参数的影响是不同的．对 Ｎ 型合金来说，慢的生长速度导致塞贝克系数增大，热导率和电阻率减小．对 Ｐ型合金来说，塞贝克系数和热导率（较小程度上）随生长速度的变化类似 Ｎ 型合金的变化，但电阻率随生长速度减小而增大，这种现象与 Ｐ型合金中富 Ｔｅ 的第二相存在有关．在研究中也发现，当生长速度较慢且添加的过量 Ｔｅ 较少时，在整个 展开更多
关键词 生长速度 n型 p型 热电材料 晶体结构 铋碲合金
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