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嵌入式薄膜应变传感器的铣削力测量刀具系统结构设计与优化
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作者 闫旭辉 宋相弢 武文革 《工具技术》 北大核心 2025年第6期140-148,共9页
为提高铣削过程中测力系统的灵敏度,提出一种具有弹性梁结构的铣削力测量刀具系统。建立弹性梁的简化力学模型,研究3种铣削力分量作用下弹性梁的应变与力的关系,为后续铣削力测量刀具系统标定试验提供指导。铣削力测量刀具系统由基底、... 为提高铣削过程中测力系统的灵敏度,提出一种具有弹性梁结构的铣削力测量刀具系统。建立弹性梁的简化力学模型,研究3种铣削力分量作用下弹性梁的应变与力的关系,为后续铣削力测量刀具系统标定试验提供指导。铣削力测量刀具系统由基底、过渡层、绝缘层和电阻栅等构成,薄膜应变传感器在该系统中处于中心位置,电阻栅对薄膜应变传感器的性能影响尤为显著。为进一步提高薄膜应变传感器的灵敏度,对基底、过渡层、绝缘层和电阻栅的形状进行优化研究。设计一种新型薄膜应变传感器,该传感器由绝缘层和两端支承在过渡层上的电阻栅构成。针对薄膜应变传感器湿蚀刻过程的流程展开研究,并获得样品。用超景深显微镜、共聚焦显微镜和原子力显微镜观察传感器样品的表面微观形貌。可以看出,电阻栅图边界整齐且尺寸精度高,基本达到设计的预期效果。在搭建的实验平台上对样品的电学性能进行测试,结果表明,与普通薄膜应变传感器相比,样品的应变系数GF提高约60.2%,满足设计要求。 展开更多
关键词 薄膜应变传感器 铣削力 湿蚀刻工艺 性能表征
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多孔石墨烯薄膜结构优化及其电容性能研究
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作者 钟厉 廖声朝 +1 位作者 康俊 韩西 《表面技术》 北大核心 2025年第4期221-232,共12页
目的解决多孔石墨烯薄膜作为电极时离子传输受阻碍的问题。方法提出一种先将石墨烯前驱体预碳化处理,随后利用多步激光刻蚀方法来优化所制备的多孔石墨烯薄膜结构的方法,对石墨烯薄膜的表面形貌、晶体质量、湿润性和电化学性能进行表征... 目的解决多孔石墨烯薄膜作为电极时离子传输受阻碍的问题。方法提出一种先将石墨烯前驱体预碳化处理,随后利用多步激光刻蚀方法来优化所制备的多孔石墨烯薄膜结构的方法,对石墨烯薄膜的表面形貌、晶体质量、湿润性和电化学性能进行表征,并探索其在电化学储能器件中的应用。结果将石墨烯前驱体在300℃的温度下预碳化处理2 h后,可以使其在后续的激光刻蚀处理中形成具有稳定结构的石墨烯薄膜材料,这与预碳化导致前驱体中的有机小分子分解,使内部交联程度更高有关,从而在CO_(2)激光的重复作用下保持良好的基底稳定性。拉曼光谱的分析结果表明,预碳化处理后的样品在激光重复刻蚀的过程中可以对石墨烯结构优化过程进行直接观测,且在温度300℃下处理后具有更宽的演化范围。SEM扫描电子显微镜的表征结果显示,300℃预碳化后前驱体衍生的石墨烯薄膜具有典型的三维网络多孔结构,形成天然的离子传输通道。此外,电阻行为分析结果表明石墨烯薄膜具有一定程度的晶体缺陷能获得更优异的离子传输能力,促进电化学反应的发生,在1 mol/L的H2SO4电解质中面积比电容为124.6 mF/cm^(2),将其组装成微型电化学储能器件后也保持了优异的储电能力和循环稳定性。结论通过优化多孔石墨烯薄膜的结构来解决离子传输问题,进而获得显著提高的电化学性能,为制备兼具高储电能力和优异稳定性的电极材料提供了设计思路。 展开更多
关键词 多孔石墨烯薄膜 结构优化 预碳化处理 多步激光刻蚀 电容性能
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川渝碳酸盐岩储层酸蚀裂缝导流能力
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作者 盖祥福 王庆国 +4 位作者 管公帅 单永卓 李旭阳 王冰 郑存川 《科学技术与工程》 北大核心 2025年第1期146-156,共11页
为明确不同酸液体系的储层适用性,了解储层酸岩刻蚀形态对裂缝导流能力的影响,给出不同层位的最佳段塞组合方式。通过在川渝碳酸盐岩储层开展酸蚀裂缝导流能力实验,结果显示,不同酸液体系之间段塞组合对茅口组白云岩酸蚀后的导流能力比... 为明确不同酸液体系的储层适用性,了解储层酸岩刻蚀形态对裂缝导流能力的影响,给出不同层位的最佳段塞组合方式。通过在川渝碳酸盐岩储层开展酸蚀裂缝导流能力实验,结果显示,不同酸液体系之间段塞组合对茅口组白云岩酸蚀后的导流能力比灰岩高;不同单一酸液体系酸蚀裂缝后形态不同,其中转向酸刻蚀后有极深的沟槽,自生酸沟槽最浅;对于茅口组,胶凝酸与压裂液和胶凝酸与自生酸的交替级数为三级交替时,其导流能力最高,且胶凝酸与自生酸三级交替后60 MPa下导流能力可达4.53μm^(2)·cm;栖霞组和灯影组选择压裂液与胶凝酸的二级交替时其导流能力最高,60 MPa下导流能力分别为6.72μm^(2)·cm和7.47μm^(2)·cm。在川渝探区,通过对酸液的酸蚀裂缝导流能力进行了现场应用和深入的考察验证,结果表明酸液入井后酸蚀效果良好,改造后现场产气量可达208×10^(4)m^(3)/d,增产效果达到预期,为川渝碳酸盐岩储层的酸压工艺提供了理论和试验指导。 展开更多
关键词 高温储层 碳酸盐岩 导流能力 刻蚀形态 酸压工艺
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SiC材料的水导激光工艺参数影响规律研究
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作者 张青 乔红超 +3 位作者 王顺山 梁金盛 张雨庭 赵吉宾 《激光与红外》 北大核心 2025年第5期694-702,共9页
为探究水导激光技术在加工SiC材料孔与刻蚀过程中不同工艺参数对加工孔出入口质量与刻蚀深度的影响规律,设计了多组包括激光功率、扫描速度及加工次数在内的三个关键工艺参数,来进行水导激光加工SiC材料孔以及刻蚀研究,加工后试件通过... 为探究水导激光技术在加工SiC材料孔与刻蚀过程中不同工艺参数对加工孔出入口质量与刻蚀深度的影响规律,设计了多组包括激光功率、扫描速度及加工次数在内的三个关键工艺参数,来进行水导激光加工SiC材料孔以及刻蚀研究,加工后试件通过白光干涉仪进行形貌观测和数据测量,数据结果通过Origin数据处理软件进行分析。实验结果表明:在加工孔过程中,激光功率的增加有利于减少孔锥度、提升圆度,同时由于在高温情况下SiC材料导热性急速下降且熔点高,因而对孔直径影响较少。而扫描速度对加工后微孔的入口、出口直径变化不大,对出口圆度影响较大;在刻蚀过程中,随着激光功率增加、扫描速度减小、加工次数增多,材料的刻蚀深度显著增加。水导激光相比于传统激光,在加工SiC材料方面更具优势,可显著减少热损伤、重铸层等缺陷。本研究为水导激光技术加工SiC材料工艺参数方面提供参考。 展开更多
关键词 水导激光加工技术 SIC材料 加工孔工艺研究 刻蚀工艺研究
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金刚石等离子体刻蚀技术研究进展
5
作者 焦硕沛 张旭芳 +2 位作者 李明坤 张雪恰 张静 《表面技术》 北大核心 2025年第7期34-49,共16页
金刚石因其优越的电学、物理及化学性质,如超宽的禁带宽度、高硬度、高热导率和高稳定性,被广泛应用于电子器件、光学元件及微机电系统(MEMS)等领域。然而,由于其高度稳定的物理和化学性质,使得金刚石的加工具有极大的挑战性。在众多金... 金刚石因其优越的电学、物理及化学性质,如超宽的禁带宽度、高硬度、高热导率和高稳定性,被广泛应用于电子器件、光学元件及微机电系统(MEMS)等领域。然而,由于其高度稳定的物理和化学性质,使得金刚石的加工具有极大的挑战性。在众多金刚石刻蚀方法中,等离子体刻蚀技术因其高精度和低损伤的优势,成为金刚石微加工的重要手段。综述了不同类型等离子体刻蚀金刚石的研究进展,分别介绍了氧等离子体、氢等离子体以及其他混合气体的刻蚀特点,详细阐明了各种等离子体刻蚀金刚石的刻蚀机理。此外,还分析了影响刻蚀的主要因素,包括气压、功率、温度和金刚石类型等,这些参数共同决定了刻蚀的速率、粗糙度和选择比。最后,探讨了等离子体刻蚀拓展工艺的研究进展,说明了激光诱导等离子体刻蚀的工作原理和其在金刚石加工领域的应用前景,以及金属催化等离子体刻蚀的刻蚀机理及此方法在金刚石薄膜图案化上的应用前景。通过总结不同刻蚀气体及工艺参数对刻蚀效果的影响,本文旨在为实现对金刚石的精确刻蚀提供理论依据,并为不同用途的金刚石器件的制备提供参考。最后,展望了等离子体刻蚀技术在金刚石微纳加工领域的未来发展方向,包括新型刻蚀气体的探索、与其他加工技术的结合以及工艺参数的进一步优化。 展开更多
关键词 金刚石 等离子体刻蚀 微纳加工 金属催化 图案化 激光诱导
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基于法布里-珀罗腔产生飞秒激光脉冲串在ITO薄膜表面精密加工
6
作者 李重周 王培尧 +3 位作者 龙明泉 许宇锋 韩若中 贾天卿 《光子学报》 北大核心 2025年第5期33-46,共14页
利用法布里-珀罗腔对飞秒激光进行时域整形,得到输出子脉冲间隔在1~1500 ps内灵活可调的飞秒激光脉冲串,在厚度为185 nm的ITO薄膜上加工出高质量的刻蚀线。实验结果显示,利用飞秒激光脉冲串加工得到的单根刻蚀线在线边沿粗糙度上明显优... 利用法布里-珀罗腔对飞秒激光进行时域整形,得到输出子脉冲间隔在1~1500 ps内灵活可调的飞秒激光脉冲串,在厚度为185 nm的ITO薄膜上加工出高质量的刻蚀线。实验结果显示,利用飞秒激光脉冲串加工得到的单根刻蚀线在线边沿粗糙度上明显优于原始高斯光加工的刻蚀线。利用子脉冲间隔为150 ps、激光能流密度为0.49 J/cm^(2)、扫线速度为0.2 mm/s的脉冲串加工得到的刻蚀线质量较高,线宽度仅有1.45μm(顶部)和0.95μm(底部),线边沿粗糙度仅有9.48 nm。该加工工艺配合平移台,实现了高质量的排线和任意曲线的导线。 展开更多
关键词 激光加工 法布里-珀罗腔 飞秒激光脉冲串 刻蚀线 ITO薄膜
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基于机器学习的K424合金刻蚀深度预测 被引量:2
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作者 张青 乔红超 +1 位作者 王顺山 赵吉宾 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期701-709,共9页
为探究水导激光加工过程中不同工艺参数对K424高温合金刻蚀深度的作用,对K424高温合金进行了包括激光功率、进给速度及加工次数在内的三个关键工艺参数的影响刻蚀实验,实验结果表明:较大的功率、较小的进给速度和多次加工会产生更深的... 为探究水导激光加工过程中不同工艺参数对K424高温合金刻蚀深度的作用,对K424高温合金进行了包括激光功率、进给速度及加工次数在内的三个关键工艺参数的影响刻蚀实验,实验结果表明:较大的功率、较小的进给速度和多次加工会产生更深的刻蚀。此外采用XGBoost、RF、BPNN以及SVR四种模型建立了激光功率、进给速度和加工次数与加工深度之间的预测模型。在拟合效果上XGBoost与SVR模型表现优异,最大误差百分比均不到0.3%;在预测结果方面显示,XGBoost最大误差百分比6.698%,优于另三种模型。最后得出XGBoost模型在拟合和预测K424高温合金加工深度方面有更好的性能。与传统的干式激光加工相比,水导激光加工技术减少了材料热损伤,提高了加工质量。该研究为水导激光加工K424高温合金提供了参考。 展开更多
关键词 水导激光加工技术 K424高温合金 XGBoost 刻蚀深度预测
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晶圆级薄膜铌酸锂波导制备工艺与性能表征 被引量:2
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作者 叶志霖 李世凤 +5 位作者 崔国新 尹志军 王学斌 赵刚 胡小鹏 祝世宁 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期426-433,共8页
随着光子集成和光通信技术的快速发展,低损耗波导是实现高效光子传输的关键元件,其性能直接影响整个集成芯片的性能。因此,低损耗波导的制备技术是当前铌酸锂集成光子技术研究的热点和难点。本研究针对晶圆级低损耗薄膜铌酸锂波导的制... 随着光子集成和光通信技术的快速发展,低损耗波导是实现高效光子传输的关键元件,其性能直接影响整个集成芯片的性能。因此,低损耗波导的制备技术是当前铌酸锂集成光子技术研究的热点和难点。本研究针对晶圆级低损耗薄膜铌酸锂波导的制备工艺进行了深入研究,在4英寸的薄膜铌酸锂晶圆上,基于深紫外光刻和电感耦合等离子体刻蚀技术,成功制备出了传输损耗低于0.15 dB/cm的波导,同时刻蚀深度误差控制在10%以内,极大地提高了波导结构的精确度。此外,本研究还提出了一种基于微环谐振腔的晶圆上波导损耗的表征方案,能更精确地评估波导性能。通过测试,发现所制备的波导合格率超过85%,显示出良好的可重复性和可靠性。本文中发展的晶圆级薄膜铌酸锂加工工艺,对推进铌酸锂波导的大规模制备和应用具有重要意义。 展开更多
关键词 薄膜铌酸锂 晶圆级加工 波导损耗测量 深紫外光刻 ICP刻蚀 集成光子技术
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聚焦离子束工艺参数对单像素线刻蚀的影响 被引量:2
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作者 李美霞 施展 +2 位作者 陆熠磊 王英 杨明来 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第9期818-824,共7页
单像素线刻蚀是制备微纳米器件中的基本单元及加工其他复杂结构的基础,对聚焦离子束(FIB)加工具有重要的意义。通过改变离子束流的大小、驻留时间、扫描步长百分比及离子剂量等参数,对硅表面进行单像素线刻蚀的研究。结果表明,在聚焦离... 单像素线刻蚀是制备微纳米器件中的基本单元及加工其他复杂结构的基础,对聚焦离子束(FIB)加工具有重要的意义。通过改变离子束流的大小、驻留时间、扫描步长百分比及离子剂量等参数,对硅表面进行单像素线刻蚀的研究。结果表明,在聚焦离子束加工中,离子剂量与刻蚀线条宽度和深度之间呈正相关,与宽深比之间呈负相关;离子束流大小的变化对刻蚀深度影响不明显,但刻蚀宽度和宽深比随离子束流的增大而增大。此外,随着离子束流驻留时间增加,刻蚀宽度增大而深度减小;随着扫描步长百分比的增大,刻蚀深度增大,刻蚀宽度减小,分析结果表明这些变化与加工过程中再沉积作用有关。本研究成果为后续复杂图形的精密加工提供了重要参考依据。 展开更多
关键词 聚焦离子束(FIB)刻蚀 加工参数 刻蚀形貌 单像素线 再沉积 宽深比
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InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究综述
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作者 张翔宇 蒋洞微 +1 位作者 贺雯 王金忠 《航空兵器》 CSCD 北大核心 2024年第5期41-49,共9页
本文综述了InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究。从湿法和干法刻蚀的物理化学机理以及参数调控等方面进行分析,旨在阐明工艺条件对台面形貌的影响,以抑制带隙较窄的长波和甚长波超晶格表面漏电流。结果表明,湿法刻蚀中恰当的腐蚀液配比可... 本文综述了InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究。从湿法和干法刻蚀的物理化学机理以及参数调控等方面进行分析,旨在阐明工艺条件对台面形貌的影响,以抑制带隙较窄的长波和甚长波超晶格表面漏电流。结果表明,湿法刻蚀中恰当的腐蚀液配比可以实现两种组分的均匀性刻蚀,而不会导致粗糙的表面和严重的下切;干法刻蚀中,采用Cl_(2)基和CH 4基混合气体,通过调整刻蚀气体类型及比例可实现物理和化学刻蚀两个过程的平衡,保证台面侧壁平滑性和倾角的垂直度。另外,对于不同组分的超晶格,需要选择不同的工艺参数才能满足InAs和GaSb的协同性刻蚀。最后对InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺作出了展望。 展开更多
关键词 INAS/GASB超晶格 湿法刻蚀 干法刻蚀 刻蚀机理 工艺优化
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芯片制造用含氟电子特气的研究进展 被引量:2
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作者 张呈平 权恒道 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期330-340,390,共12页
含氟电子特气主要用于芯片制造过程中的刻蚀和清洁工段,是不可或缺的关键性化工材料。该文比较了传统含氟电子特气和新型含氟电子特气,重点总结了新型含氟电子特气的主要合成路线,并指出最佳的产业化路线;介绍了芯片制造用含氟电子特气... 含氟电子特气主要用于芯片制造过程中的刻蚀和清洁工段,是不可或缺的关键性化工材料。该文比较了传统含氟电子特气和新型含氟电子特气,重点总结了新型含氟电子特气的主要合成路线,并指出最佳的产业化路线;介绍了芯片制造用含氟电子特气的发展现状;最后,针对当前含氟电子特气的主要知识产权被国外发达国家所垄断,且刻蚀和清洁工序的分步操作导致工序繁复且效率低下,难以满足高端芯片集成度和良品率等更高的精度需求问题,提出今后研究应开发满足国家重大战略需求的新一代含氟电子特气,具备刻蚀/清洁协同双功能,具有简化工序、提高效率、提升芯片制造良品率的优点,实现对当前刻蚀和清洁仅能分步操作的含氟电子特气的理想替代。 展开更多
关键词 电子特气 刻蚀 清洁 芯片制造 高端芯片 先进制程 刻蚀/清洁协同
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基于仿生蛾眼结构制备减反射微晶玻璃 被引量:1
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作者 胡伟 尹勇明 +1 位作者 郝霞 孟鸿 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第18期183-191,共9页
目的采用湿法刻蚀制备减反射微晶玻璃,分析晶化时间对透过率、反射率和形貌的影响。方法通过熔融法制备得到基础玻璃,调整晶化时间制备得到一系列不同晶粒尺寸(12.2~27.4nm)的微晶玻璃,将制备得到的基础玻璃及不同晶粒尺寸的微晶玻璃放... 目的采用湿法刻蚀制备减反射微晶玻璃,分析晶化时间对透过率、反射率和形貌的影响。方法通过熔融法制备得到基础玻璃,调整晶化时间制备得到一系列不同晶粒尺寸(12.2~27.4nm)的微晶玻璃,将制备得到的基础玻璃及不同晶粒尺寸的微晶玻璃放置在配制好的5%(质量分数)HF、2%(质量分数)SiO_(2)、1.5%(质量分数)BaSO_(4)、2%(质量分数)羧甲基纤维素钠、89.5%(质量分数)H_(2)O的刻蚀液中,在25℃条件下,以40 kHz的超声频率双面蚀刻60 min,通过分光光度计测试刻蚀前后样品的透过率和反射率,利用扫描电子显微镜对刻蚀前后样品的表面和断面形貌进行表征。结果基础玻璃在500℃核化230 min,665℃晶化135 min后,制备得到微晶玻璃的晶粒尺寸约为25.1 nm,进一步经过湿法刻蚀后,刻蚀深度约为150 nm,蛾眼玻璃透过率最高为98.02%。结论微晶玻璃经过湿法刻蚀后增透效果明显,对X射线衍射(XRD)、掠入射X射线衍射(GIXRD)、扫描电子显微镜(SEM)的测试结果进行分析可知,微晶玻璃中存在晶体相和残余玻璃相,经过酸蚀处理后,表面能形成以透锂长石晶体和二硅酸锂晶体均匀分布的蛾眼结构,晶体尺寸为12.2~27.4 nm的微晶玻璃进行湿法刻蚀后透过率分布在95.99%~98.02%。 展开更多
关键词 微晶玻璃 湿法刻蚀 蛾眼结构 晶粒大小 透过率 晶化工艺
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石英湿法腐蚀及谐振器制作工艺研究
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作者 龙雪松 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期328-332,共5页
随着石英谐振器向小型化、高频化发展,其尺寸越来越小,因此,低成本的谐振器精准制造工艺尤为重要。该文对石英晶片进行腐蚀实验以确定精准制造矩形谐振器的最佳工艺条件,研究了温度对金属保护层完整性的影响,以及腐蚀时间对石英表面粗... 随着石英谐振器向小型化、高频化发展,其尺寸越来越小,因此,低成本的谐振器精准制造工艺尤为重要。该文对石英晶片进行腐蚀实验以确定精准制造矩形谐振器的最佳工艺条件,研究了温度对金属保护层完整性的影响,以及腐蚀时间对石英表面粗糙度的影响。腐蚀速率稳定且适中,有利于谐振器的精准制造。设计了石英谐振器工艺流程,得到质量较好的超薄矩形AT切高频石英谐振器。分析其尺寸误差产生的原因,并总结了一套精度较好的湿法腐蚀工艺,有望采用低成本手段使矩形谐振器的厚度小于10μm。 展开更多
关键词 AT切石英 湿法腐蚀 制作工艺
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ICP深硅刻蚀工艺研究 被引量:21
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作者 许高斌 皇华 +4 位作者 展明浩 黄晓莉 王文靖 胡潇 陈兴 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期832-835,共4页
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是微机电系统器件加工中的关键技术之一。利用英国STS公司STS Multiplex刻蚀机,研究了ICP刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/钝化周期、气体流量等工艺参数对刻蚀形貌的影响,分析了刻蚀速率和侧壁垂直度的... 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是微机电系统器件加工中的关键技术之一。利用英国STS公司STS Multiplex刻蚀机,研究了ICP刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/钝化周期、气体流量等工艺参数对刻蚀形貌的影响,分析了刻蚀速率和侧壁垂直度的影响原因,给出了深硅刻蚀、侧壁光滑陡直刻蚀和高深宽比刻蚀等不同形貌刻蚀的优化工艺参数。 展开更多
关键词 感应耦合等离子体刻蚀 深硅刻蚀 侧壁光滑陡直刻蚀 高深宽比刻蚀 工艺参数
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衍射光学元件的反应离子束蚀刻研究 被引量:5
15
作者 杨李茗 虞淑环 +2 位作者 许乔 舒晓武 杨国光 《光子学报》 EI CAS CSCD 1998年第2期147-151,共5页
本文提出了一种制作衍射光学元件的新方法———反应离子束蚀刻法对此技术研究的结果表明:反应离子束蚀刻法具有高蚀刻速率、蚀刻过程各向异性好、蚀刻参数控制灵活等特点,对于衍射光学元件和微光学元件的精细结构制作十分有利本... 本文提出了一种制作衍射光学元件的新方法———反应离子束蚀刻法对此技术研究的结果表明:反应离子束蚀刻法具有高蚀刻速率、蚀刻过程各向异性好、蚀刻参数控制灵活等特点,对于衍射光学元件和微光学元件的精细结构制作十分有利本文详细总结了反应离子束蚀刻过程中各工艺参数对蚀刻速率的影响。 展开更多
关键词 反应离子束蚀刻 衍射 光学元件 蚀刻工艺
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石英湿法腐蚀及侧壁晶棱修平工艺研究 被引量:7
16
作者 王浩旭 谢立强 +1 位作者 吴学忠 李圣怡 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1713-1716,共4页
以石英陀螺的微结构为研究对象,对石英的湿法腐蚀规律进行研究。选用500μm厚Z切向石英片,蒸镀10nm厚Cr膜和200nm厚金膜作为掩模层,选用40%氢氟酸和40%氟化铵的1:1混合溶液作为腐蚀液。通过在不同温度下的腐蚀试验,表明腐蚀速率随温度... 以石英陀螺的微结构为研究对象,对石英的湿法腐蚀规律进行研究。选用500μm厚Z切向石英片,蒸镀10nm厚Cr膜和200nm厚金膜作为掩模层,选用40%氢氟酸和40%氟化铵的1:1混合溶液作为腐蚀液。通过在不同温度下的腐蚀试验,表明腐蚀速率随温度增加而增大,温度过低腐蚀过慢影响腐蚀效率,温度过高使石英侧壁表面粗糙度增加。经过试验摸索,在70℃下腐蚀,可获得表面质量较好的石英微结构。石英在湿法腐蚀中结构侧壁会产生两级晶棱,根据侧壁主要晶面的腐蚀速率,计算出修平侧壁两级晶棱所需时间分别为8h和27h,经过试验验证,在预计时间内,石英侧壁晶棱基本修平。 展开更多
关键词 石英 湿法腐蚀 侧壁晶棱 修平工艺
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有机薄膜晶体管钛/金电极的刻蚀工艺研究 被引量:2
17
作者 严剑飞 吴志明 +2 位作者 太惠玲 李娴 付嵩琦 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第A02期361-364,共4页
采用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀和湿法刻蚀的方法,分别刻蚀有机薄膜晶体管(OTFT)的钛/金薄膜电极。改变刻蚀的工艺条件,研究了不同的刻蚀工艺对OTFT器件性能的影响,并对刻蚀结果进行了比较与分析。结果表明,ICP干法刻蚀不适合用来刻... 采用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀和湿法刻蚀的方法,分别刻蚀有机薄膜晶体管(OTFT)的钛/金薄膜电极。改变刻蚀的工艺条件,研究了不同的刻蚀工艺对OTFT器件性能的影响,并对刻蚀结果进行了比较与分析。结果表明,ICP干法刻蚀不适合用来刻蚀OTFT器件的钛/金电极,而湿法刻蚀工艺可用于刻蚀关键尺寸为5μm及其以上的钛/金电极,其最佳工艺条件分别是n(HF):n(HNO3):n(H2O)=1:1:5和n(KI):n(I2):n(H2O)=4:1:40。 展开更多
关键词 刻蚀 有机薄膜晶体管 钛/金 最佳工艺条件
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激光冲击效应下的力学电化学微细刻蚀加工 被引量:8
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作者 张朝阳 李中洋 +1 位作者 王耀民 毛卫平 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1310-1315,共6页
在所构建的纳秒脉冲激光电化学加工系统中,利用激光辐照和脉冲电化学刻蚀复合的方法对铝合金进行了加工试验,研究了激光穿过溶液作用于物质时产生的力效应和电化学效应对加工质量的影响。试验结果表明:高能脉冲激光透过电解液辐照在工... 在所构建的纳秒脉冲激光电化学加工系统中,利用激光辐照和脉冲电化学刻蚀复合的方法对铝合金进行了加工试验,研究了激光穿过溶液作用于物质时产生的力效应和电化学效应对加工质量的影响。试验结果表明:高能脉冲激光透过电解液辐照在工件表面时,激光在电解液中产生的冲击波力效应和射流冲击力效应会使工件发生弹性变形,从而改变电极电势,提高电流密度,加速了对工件的刻蚀。激光产生的力效应能够去除加工区的钝化层,使其发生电化学反应,而非加工区不发生反应,从而显著增强了电化学的定域蚀除能力。最后,利用力学电化学效应,在浓度为0.5mol/L的NaNO3溶液中实现了线宽140μm左右、深宽比较大的微细刻蚀加工,获得了较好的加工质量和成形精度。 展开更多
关键词 脉冲激光 激光冲击 电化学刻蚀 力学电化学效应 复合加工
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水射流辅助激光刻蚀Al_2O_3陶瓷的试验研究 被引量:8
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作者 陈雪辉 袁根福 郑伟 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期1568-1571,共4页
设计了一套用于实验的水射流辅助激光刻蚀加工装置,将激光和介质射流冲蚀加工相结合,研究激光加工参数和射流加工参数对试样材料激光复合刻蚀量和截面质量的影响。实验结果表明,激光工艺参数和射流加工参数对工件加工表面的质量优劣有... 设计了一套用于实验的水射流辅助激光刻蚀加工装置,将激光和介质射流冲蚀加工相结合,研究激光加工参数和射流加工参数对试样材料激光复合刻蚀量和截面质量的影响。实验结果表明,激光工艺参数和射流加工参数对工件加工表面的质量优劣有着决定性的影响;该复合加工工艺可以清除加工时产生的90%以上熔渣,能有效地降低材料表面粗糙度,使得加工出的盲孔成为较为规则的倒三角(▽)形。 展开更多
关键词 激光加工 射流加工 复合加工 激光刻蚀
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碳化硅(SiC)器件制造工艺中的干法刻蚀技术 被引量:4
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作者 柴常春 杨银堂 +1 位作者 朱作云 李跃进 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期659-663,共5页
简述了在SiC材料半导体器件制造工艺中,对SiC材料采用干法刻蚀工艺的必要性.总结了近年来SiC干法刻蚀技术的工艺发展状况.
关键词 碳化硅 干法刻蚀 制造工艺
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