近年来随着手机薄型化趋势的发展以及对可靠性要求的提高,OLED(Organic Light-Emitting Diode)屏幕孔区出现彩虹纹现象的比例有一定的上升。本文定性、定量地分析了OLED屏幕孔区出现彩虹纹现象的原因,并基于此,建立了一套相对完备的可...近年来随着手机薄型化趋势的发展以及对可靠性要求的提高,OLED(Organic Light-Emitting Diode)屏幕孔区出现彩虹纹现象的比例有一定的上升。本文定性、定量地分析了OLED屏幕孔区出现彩虹纹现象的原因,并基于此,建立了一套相对完备的可以相互交叉印证结果的多维度分析测试方法。对薄膜封装(Thin Film Encapsulation,TFE)膜层结构成分的进一步优化,可以最大限度地降低可靠性测试后出现与孔区彩虹纹相关的暗斑风险。通过裂片,分析了高温高湿实验条件下孔区发生彩虹纹的区域和位置;并以透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)、飞行时间二次离子质谱(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry,TOF-SIMS)和X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS)系统分析了孔区产生现象的原因。实验结果表明,CVD1(Chemical Vapor Deposition 1)中SiON在高温高湿条件下,会逐步向SiO膜层转化。TEM和TOF-SIMS的结果表明,被氧化后膜层的含氮量小于2%;XPS分峰结果显示,CVD1-2表面的SiON几乎全部转化为SiO膜层。通过将TFE中CVD1-1的SiON膜层折光率从1.72提升为1.76,CVD1-1的SiON膜层被氧化的深度下降了70%。该分析方法的建立不仅解释了孔区CVD膜层被氧化后生成的SiO是造成出现彩虹纹现象的原因,而且提出了彩虹纹区域对OLED面板孔区可靠性的影响。该方案策略为OLED显示未来在车载、IT(Information Technology)、广告牌等具有更高可靠性要求领域的应用提供了相应的解决思路。展开更多
随着双有源桥(Dual active bridge,DAB)变换器工作频率的不断提高,开关损耗对传输效率的影响也在不断增加。DAB变换器通过采用合适的软开关控制策略,来尽可能实现全开关器件的软开关,但轻载工况下的死区重叠现象使软开关条件产生了冲突...随着双有源桥(Dual active bridge,DAB)变换器工作频率的不断提高,开关损耗对传输效率的影响也在不断增加。DAB变换器通过采用合适的软开关控制策略,来尽可能实现全开关器件的软开关,但轻载工况下的死区重叠现象使软开关条件产生了冲突,这种现象在高频轻载条件下尤为突出。为了提高DAB变换器在高频轻载条件下的能量传输效率,对轻载条件下的死区重叠现象进行了分析,结合缓冲电容对死区过程的影响,提出了以电流应力为优化目标的三自由度控制策略。最后,通过试验验证了分析过程的正确性和所提控制策略的有效性。展开更多
文摘近年来随着手机薄型化趋势的发展以及对可靠性要求的提高,OLED(Organic Light-Emitting Diode)屏幕孔区出现彩虹纹现象的比例有一定的上升。本文定性、定量地分析了OLED屏幕孔区出现彩虹纹现象的原因,并基于此,建立了一套相对完备的可以相互交叉印证结果的多维度分析测试方法。对薄膜封装(Thin Film Encapsulation,TFE)膜层结构成分的进一步优化,可以最大限度地降低可靠性测试后出现与孔区彩虹纹相关的暗斑风险。通过裂片,分析了高温高湿实验条件下孔区发生彩虹纹的区域和位置;并以透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)、飞行时间二次离子质谱(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry,TOF-SIMS)和X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS)系统分析了孔区产生现象的原因。实验结果表明,CVD1(Chemical Vapor Deposition 1)中SiON在高温高湿条件下,会逐步向SiO膜层转化。TEM和TOF-SIMS的结果表明,被氧化后膜层的含氮量小于2%;XPS分峰结果显示,CVD1-2表面的SiON几乎全部转化为SiO膜层。通过将TFE中CVD1-1的SiON膜层折光率从1.72提升为1.76,CVD1-1的SiON膜层被氧化的深度下降了70%。该分析方法的建立不仅解释了孔区CVD膜层被氧化后生成的SiO是造成出现彩虹纹现象的原因,而且提出了彩虹纹区域对OLED面板孔区可靠性的影响。该方案策略为OLED显示未来在车载、IT(Information Technology)、广告牌等具有更高可靠性要求领域的应用提供了相应的解决思路。
文摘随着双有源桥(Dual active bridge,DAB)变换器工作频率的不断提高,开关损耗对传输效率的影响也在不断增加。DAB变换器通过采用合适的软开关控制策略,来尽可能实现全开关器件的软开关,但轻载工况下的死区重叠现象使软开关条件产生了冲突,这种现象在高频轻载条件下尤为突出。为了提高DAB变换器在高频轻载条件下的能量传输效率,对轻载条件下的死区重叠现象进行了分析,结合缓冲电容对死区过程的影响,提出了以电流应力为优化目标的三自由度控制策略。最后,通过试验验证了分析过程的正确性和所提控制策略的有效性。
