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半导体材料电子非电离能损的分析法计算
被引量：
1
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作者
于新
何承发
+6 位作者
郭旗
张兴尧
吴雪
张乐情
卢建
胥佳灵
胡天乐
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第7期820-825,共6页
非电离能损(NIEL)可用于预测半导体器件在空间辐射环境中位移损伤引起的性能参数退化,计算模型选用经典NIEL模型,计算了能量范围为100 keV～200 MeV的电子入硅、锗、砷化镓材料的NIEL,及微分散射截面、林哈德因子和位移原子数量等信息...
非电离能损(NIEL)可用于预测半导体器件在空间辐射环境中位移损伤引起的性能参数退化,计算模型选用经典NIEL模型,计算了能量范围为100 keV～200 MeV的电子入硅、锗、砷化镓材料的NIEL,及微分散射截面、林哈德因子和位移原子数量等信息。考虑到经典NIEL模型在入射电子能量较低的情况下得出的位移原子数量不够精确,所以用分子动力学(MD)方法加以改良,得出在低能区域更真实的位移原子数量,用于修正经典NIEL,并分析了MD模型下新的位移阈值能对计算结果的影响。
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关键词
非电离能损
mott
散射截面
林哈德因子
分子动力学模型
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职称材料
题名
半导体材料电子非电离能损的分析法计算
被引量：
1
1
作者
于新
何承发
郭旗
张兴尧
吴雪
张乐情
卢建
胥佳灵
胡天乐
机构
中国科学院新疆理化技术研究所
新疆电子信息材料与器件重点实验室
中国科学院研究生院
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第7期820-825,共6页
文摘
非电离能损(NIEL)可用于预测半导体器件在空间辐射环境中位移损伤引起的性能参数退化,计算模型选用经典NIEL模型,计算了能量范围为100 keV～200 MeV的电子入硅、锗、砷化镓材料的NIEL,及微分散射截面、林哈德因子和位移原子数量等信息。考虑到经典NIEL模型在入射电子能量较低的情况下得出的位移原子数量不够精确,所以用分子动力学(MD)方法加以改良,得出在低能区域更真实的位移原子数量,用于修正经典NIEL,并分析了MD模型下新的位移阈值能对计算结果的影响。
关键词
非电离能损
mott
散射截面
林哈德因子
分子动力学模型
Keywords
NIEL
mott cross section
Lindhard partition factor
molecular dynamics
分类号
O571.33 [理学—粒子物理与原子核物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半导体材料电子非电离能损的分析法计算
于新
何承发
郭旗
张兴尧
吴雪
张乐情
卢建
胥佳灵
胡天乐
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
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