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Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-Pb(ZrTi)O_(3)大应变压电陶瓷的制备及性能研究
1
作者 盖学周 吴凡 +2 位作者 汪跃群 李伟 何超 《功能材料》 北大核心 2025年第2期2010-2017,共8页
提升大应变压电陶瓷的应变量及温度稳定性,具有重要的实际意义。采用传统固相反应法,制备了(0.3-x)Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-x Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-0.7Pb(Zr_(0.42)Ti_(0.58))O_(3)((0.3-x)PMN-xPNN-0.7PZT)大应变压电陶瓷。... 提升大应变压电陶瓷的应变量及温度稳定性,具有重要的实际意义。采用传统固相反应法,制备了(0.3-x)Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-x Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-0.7Pb(Zr_(0.42)Ti_(0.58))O_(3)((0.3-x)PMN-xPNN-0.7PZT)大应变压电陶瓷。研究了PNN固溶量对陶瓷烧结性能、相结构、微观结构、介电性能、铁电性能、压电性能及温度稳定性的影响。结果发现,PNN固溶,引起晶格畸变,促进陶瓷烧结,同时改变准同型相界附近三方相与四方相含量。当x=0.06时,陶瓷具有最佳电学性能:机电耦合系数k_(p)、压电常数d_(33)、居里温度T_(c)、矫顽场E_(c)分别为0.682,692 pC/N,263℃,880 V/mm;单极应变量在30 kV/cm电场及25℃温度条件下达到0.18%,并在25℃~180℃温度范围内,变化幅度<15%;退极化温度T d≈260℃。 展开更多
关键词 大应变压电陶瓷 铌镁酸铅 铌镍酸铅 准同型相界 居里温度
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准同型相界(MPB)附近BS-PT高温压电陶瓷研究 被引量：10
2
作者 冯亚军 徐卓 +2 位作者 李振荣 张麟 姚熹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期1127-1133,共7页
(1-x)BiScO3-xPbTiO3陶瓷(简记BS-PT)在x=64．0％附近存在一个从菱方晶系过渡到四方晶系的准同型相界,在此相界附近材料能获得优良的介电和压电性能．本文选取PbTiO3含量在64．0％-65．5％的准同型相界附近的材料组分,利用传统的固相烧... (1-x)BiScO3-xPbTiO3陶瓷(简记BS-PT)在x=64．0％附近存在一个从菱方晶系过渡到四方晶系的准同型相界,在此相界附近材料能获得优良的介电和压电性能．本文选取PbTiO3含量在64．0％-65．5％的准同型相界附近的材料组分,利用传统的固相烧结反应法合成了纯钙钛矿相结构的BS-PT陶瓷,通过对材料的相结构形成过程和内部形貌分析以及对介电、压电性能的研究,发现在x=64．5％的组分条件下,BS-PT陶瓷材料获得了准同型相界范围内的最优的压电性能,其室温压电常数d33可达500pC／N,且居里温度(Tc)达到了438℃,剩余极化强度和电致应变分别为44μC／cm2和3．5‰．研究表明,准同型相界附近的BS-PT陶瓷是一种优良的压电换能器和传感器材料． 展开更多
关键词 BS-PT 准同型相界 高居里温度 压电陶瓷
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钕掺杂BSPT基高温压电陶瓷的性能研究
3
作者 涂浩 官尚义 +2 位作者 史伟 陈强 邢洁 《压电与声光》 北大核心 2025年第1期81-87,共7页
采用传统固相反应法制备了Nd掺杂的BiScO_(3)-PbTiO_(3)(BSPT)高温压电陶瓷。在确定BSPT准同型相界的基础上,系统研究了Nd掺杂对其结构和性能的影响。结果表明,通过Nd掺杂可调控BSPT陶瓷相结构和畴结构,进而有效提高其压电性能和温度稳... 采用传统固相反应法制备了Nd掺杂的BiScO_(3)-PbTiO_(3)(BSPT)高温压电陶瓷。在确定BSPT准同型相界的基础上,系统研究了Nd掺杂对其结构和性能的影响。结果表明,通过Nd掺杂可调控BSPT陶瓷相结构和畴结构,进而有效提高其压电性能和温度稳定性。当BS掺杂含量(摩尔分数)为37%,Nd掺杂浓度(摩尔分数)为3.0%时,陶瓷具有最佳的压电性能,其压电常数d_(33)为620 pC/N,居里温度约为405℃,且具有良好的温度稳定性。 展开更多
关键词 高温压电陶瓷 BiScO_(3)-PbTiO_(3) mpb 温度稳定性 畴结构
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具有准同型相界(MPB)组成的化合物(Sr_(1-x)Ba_x)_2NaNb_5O_(15)的晶体生长及性质研究
4
作者 仪修杰 陈焕矗 +5 位作者 程振祥 韩建儒 曹文武 翟剑庞 杨长红 姜付义 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期339-342,共4页
用Czochralski方法生长出铁电钨青铜型单晶 (Sr1-xBax) 2 NaNb5O15(简称SBNN) ,晶体沿c轴方向生长。正交 四方相的准同型相界 (简称为MPB)存在于x =0 .4 5～ 0 .5 0之间 ;SBNN晶体是不一致熔融的化合物 ,在晶体成长过程中 ,Sr2 + 的分... 用Czochralski方法生长出铁电钨青铜型单晶 (Sr1-xBax) 2 NaNb5O15(简称SBNN) ,晶体沿c轴方向生长。正交 四方相的准同型相界 (简称为MPB)存在于x =0 .4 5～ 0 .5 0之间 ;SBNN晶体是不一致熔融的化合物 ,在晶体成长过程中 ,Sr2 + 的分凝系数比Ba2 + 的大 ,因此具有高浓度Ba2 + 的SBNN晶体很难生长。晶体的居里温度是 2 4 3℃ ,在此温度下的相变是弥散的 ,随频率的增加 ,介电常数降低。 展开更多
关键词 mpb Czochralski方法 介电常数 铌酸锶钡钠 SBNN 铁电单晶 Sr1-xBax
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Cu^(2+)调控MPB对NBT基陶瓷压电性能的影响 被引量：5
5
作者 王俊 江向平 +4 位作者 陈超 聂鑫 黄枭坤 郑来奇 王衔雯 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2021年第1期69-76,共8页
采用传统固相法制备(Na_(0.47)Bi_(0.47)Ba_(0.06))Ti_(1-x)Cu_(x)O_(3)(NBT-6BT-xCu^(2+),0≤x≤0.025)无铅压电陶瓷。研究了不同含量Cu^(2+)对NBT-6BT-xCu^(2+)陶瓷样品结构以及电学性能的影响。SEM结果显示陶瓷晶粒的大小与Cu^(2+)... 采用传统固相法制备(Na_(0.47)Bi_(0.47)Ba_(0.06))Ti_(1-x)Cu_(x)O_(3)(NBT-6BT-xCu^(2+),0≤x≤0.025)无铅压电陶瓷。研究了不同含量Cu^(2+)对NBT-6BT-xCu^(2+)陶瓷样品结构以及电学性能的影响。SEM结果显示陶瓷晶粒的大小与Cu^(2+)掺入量有关;XRD数据表明Cu^(2+)可以固溶进陶瓷晶格,并且所有样品均为钙钛矿结构;对XRD进行Rietved全谱拟合后发现,所有陶瓷样品具有单斜(Cc)和四方(P4bm)两相,均位于准同型相界(MPB);Cu^(2+)的掺入对MPB处Cc和P4bm相含量造成影响,使得压电和铁电性能增强。在x=0.015时,样品具有最佳的电学性能:压电常数(d_(33))达到178 pC/N,剩余极化强度(P_(r))达到42.93μC/cm^(2)。结果表明,Cu^(2+)可以通过调控MPB处相含量,很好地提高(Na_(0.47)Bi_(0.47)Ba_(0.06))TiO_(3)无铅压电陶瓷的电学性能。 展开更多
关键词 压电陶瓷 (Na_(0.47)Bi_(0.47)Ba_(0.06))TiO_(3) 准同型相界 压电常数
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钛酸铋钠基无铅压电陶瓷掺杂改性研究现状 被引量：1
6
作者 朱合法 邢志国 +4 位作者 郭伟玲 董丽虹 王海斗 董瀚 黄艳斐 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期89-102,共14页
钛酸铋钠(Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_(3),简称BNT)基无铅压电陶瓷因其环境友好型、良好的铁电压电性能等特点在航空航天、舰艇声纳、高速列车及电子产品等领域得到广泛应用。为了克服钛酸铋钠基无铅压电陶瓷高矫顽场并进一步提升其电学性能,... 钛酸铋钠(Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_(3),简称BNT)基无铅压电陶瓷因其环境友好型、良好的铁电压电性能等特点在航空航天、舰艇声纳、高速列车及电子产品等领域得到广泛应用。为了克服钛酸铋钠基无铅压电陶瓷高矫顽场并进一步提升其电学性能,通过对BNT基无铅压电陶瓷进行掺杂改性构建三方相–四方相共存的准同型相界(MPB)。掺杂改性是改善BNT基无铅压电陶瓷性能的一种重要方法,针对BNT基无铅压电陶瓷掺杂改性进行系统总结十分必要。主要从BNT基无铅压电陶瓷多组元改性、A/B位离子掺杂和稀土离子掺杂改性等三方面综合论述近年来BNT基压电陶瓷研究进展。结果表明,引入合适的组元有利于BNT基无铅压电陶瓷构建三方相–四方相共存的准同型相界;A/B离子掺杂是根据离子半径和电价大小的一致性对BNT陶瓷中对应位置的离子进行取代;稀土离子掺杂主要对该陶瓷的光电特性有显著影响。上述三方面从不同角度改善了BNT基无铅压电陶瓷的性能,以期为研究性能更好的BNT基无铅压电陶瓷的科研和技术人员提供参考,并为BNT基无铅压电陶瓷的实际应用奠定基础。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 钛酸铋钠 准同型相界 掺杂 电学性能
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铈掺杂对PSN-PZN-PMS-PZT压电陶瓷性能的影响 被引量：11
7
作者 陆翠敏 孙清池 +1 位作者 孙琳 徐明霞 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期33-35,40,共4页
采用二次合成工艺制备PSN-PZN-PM S-PZT五元系压电陶瓷。研究准同型相界组成点处铈掺杂对压电陶瓷介、压电性能影响。结果发现随着C eO2的添加,介电常数增加,居里温度降低;压电常数增加;机械品质因数和机电耦合系数下降;铈掺杂在强场下... 采用二次合成工艺制备PSN-PZN-PM S-PZT五元系压电陶瓷。研究准同型相界组成点处铈掺杂对压电陶瓷介、压电性能影响。结果发现随着C eO2的添加,介电常数增加,居里温度降低;压电常数增加;机械品质因数和机电耦合系数下降;铈掺杂在强场下对该系统介电性能的影响基本上和弱场下的变化趋势相近,随着外加场强的增加,介电常数和介电损耗增加。 展开更多
关键词 机械品质因数 合成工艺 压电常数 介电性能 PZT压电陶瓷 准同型相界 制备 铈掺杂 压电性能 机电耦合系数
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Na_(1/2)Bi_(1/2)TiO_3-BaTiO_3系陶瓷压电性及弛豫相变研究 被引量：75
8
作者 初宝进 李国荣 +1 位作者 江向平 陈大任 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期815-821,共7页
系统研究了（１－ｘ）Ｎａ１／２Ｂｉ１／２ＴｉＯ３－ｘＢａＴｉＯ３（ｘ＝０．０２、０．０４、０．０６、０．０８、０．１０）无铅压电陶瓷系统的相界、材料压电性能，弛豫特性及相变．这个系统的陶瓷材料具有Ｋｔ／Ｋｐ较大，频率... 系统研究了（１－ｘ）Ｎａ１／２Ｂｉ１／２ＴｉＯ３－ｘＢａＴｉＯ３（ｘ＝０．０２、０．０４、０．０６、０．０８、０．１０）无铅压电陶瓷系统的相界、材料压电性能，弛豫特性及相变．这个系统的陶瓷材料具有Ｋｔ／Ｋｐ较大，频率常数比较高等特点．Ｘ－ｒａｙ衍射结构分析发现此系统的相界在０．０４＜ｘ＜０．０６之间；材料的一些主要性能在相界附近达到极值．利用介电系数－温度曲线，并结合热激电流曲线对此系统的弛豫性进行研究和分析；初步研究了各配方组成的铁电－顺电的相变过程，发现在一定的组成范围内，材料在由铁电相向顺电相的转变过程中经历了一个过渡相区． 展开更多
关键词 压电陶瓷 准同型相界 钛酸钡 驰豫性相变 NBT
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弛豫铁电材料在准同型相界附近结构和性能研究的最新进展 被引量：9
9
作者 张孝文 陈克丕 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期385-391,共7页
铅系钙钛矿结构弛豫铁电材料在准同型相界区域的单晶,因为具有优异的介电、压电性能及潜在的应用前景,近年来已经引起了广泛的重视,本文较详细地介绍了其反常性能的一些特征,以及对其起源在理论及实验观察上的最新进展,重点介绍了自发... 铅系钙钛矿结构弛豫铁电材料在准同型相界区域的单晶,因为具有优异的介电、压电性能及潜在的应用前景,近年来已经引起了广泛的重视,本文较详细地介绍了其反常性能的一些特征,以及对其起源在理论及实验观察上的最新进展,重点介绍了自发极化在外场下进行偏转的理论,以及近年来用同步辐射的Ｘ射线衍射实验研究结果,发现在原先以为只有菱方相和四方相的准同型相界区域存在着单斜相． 展开更多
关键词 驰豫铁电材料 准同型相界 结构 性能 铁电单晶 极化偏转
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PNW-PMS-PZT压电陶瓷准同型相界的压电性能研究 被引量：7
10
作者 裴志斌 杜红亮 +2 位作者 车俊 魏晓勇 屈绍波 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期988-992,共5页
采用传统陶瓷工艺制备了PNW—PMS—PZT四元系压电陶瓷,分析了陶瓷样品的相结构组成,结果表明,所有陶瓷样品的相结构为纯钙钛矿相结构;研究了室温下PMS含量,PNW 含量和Zr/Ti的变化对准同型相界的影响规律,实验表明随着PMS、PNW含量和Zr/T... 采用传统陶瓷工艺制备了PNW—PMS—PZT四元系压电陶瓷,分析了陶瓷样品的相结构组成,结果表明,所有陶瓷样品的相结构为纯钙钛矿相结构;研究了室温下PMS含量,PNW 含量和Zr/Ti的变化对准同型相界的影响规律,实验表明随着PMS、PNW含量和Zr/Ti的增加,材料体系逐渐由四方相向三方相过渡,获得了处于准同型相界附近的材料组成:PMS 的含量在5—6mol%、PNW的含量在2—3mol%、PZT的含量在91—93mol%、Zr/Ti的变化靠近50/50,同时具有高的机电性能. 展开更多
关键词 PNW—PMS—PZT压电陶瓷 准同型相界 三方相 四方相
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PSN-PZN-PMS-PZT五元系压电陶瓷性能的研究 被引量：4
11
作者 陆翠敏 孙清池 +1 位作者 徐明霞 胜鹏 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第5期510-513,共4页
采用二次合成工艺得到了PSN-PZN-PM S-PZT五元系压电陶瓷。实验数据表明:组成在准同型相界处压电陶瓷的综合性能达最佳。在此基础上,分析组成在准同型相界处压电陶瓷的烧结温度与体密度、气孔率、晶粒大小及介电、压电性能的关系。结果... 采用二次合成工艺得到了PSN-PZN-PM S-PZT五元系压电陶瓷。实验数据表明:组成在准同型相界处压电陶瓷的综合性能达最佳。在此基础上,分析组成在准同型相界处压电陶瓷的烧结温度与体密度、气孔率、晶粒大小及介电、压电性能的关系。结果表明,在合成温度为860°C时可得到钙钛矿结构。烧结温度1 260°C保温3 h条件下,得到一种综合性能优良的压电材料。主要参数为:3Tε3/0ε=1390,tanδ=0.32%,d33=303 pC/N,kp=55.1%,Qm=1 180。定量S r2+、B a2+的加入使相界向富锆方向移动,性能参数为,3Tε3/0ε=1 162,tanδ=0.30%,d33=307 pC/N,kp=56.8%,Qm=1 230。 展开更多
关键词 五元系 二次合成 准同型相界 烧结温度
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溶胶-凝胶法制备Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3-K_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3体系无铅压电陶瓷的研究(英文) 被引量：9
12
作者 廖润华 李月明 +2 位作者 江向平 王竹梅 张玉平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期652-656,共5页
采用溶胶-凝胶法制备(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-xK0.5Bi0.5TiO3体系无铅压电陶瓷。XRD分析表明,用溶胶-凝胶法可以在650℃下合成具有钙钛矿结构的(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-xK0.5Bi0.5TiO3粉体,且在x=0.18～0.30之间存在三方-四方准同型相界(MPB)... 采用溶胶-凝胶法制备(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-xK0.5Bi0.5TiO3体系无铅压电陶瓷。XRD分析表明,用溶胶-凝胶法可以在650℃下合成具有钙钛矿结构的(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-xK0.5Bi0.5TiO3粉体,且在x=0.18～0.30之间存在三方-四方准同型相界(MPB)。陶瓷的压电性能参数表明,该体系在MPB组成范围内具有最佳的压电性能:x=0.30时,压电常数d33达到最大值(d33=150pC.N-1),平面机电耦合系数kp与介电常数ε3T3/ε0均在x=0.26时达到最大值,分别为36.7%和1107。 展开更多
关键词 钛酸铋钠 溶胶-凝胶法 准同型相界 无铅压电陶瓷
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复合添加剂对(Zr_(0.8)Sn_(0.2))TiO_4介质材料介电性能的影响 被引量：8
13
作者 吴坚强 李亚萍 +1 位作者 黄正初 陈志雪 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期19-22,22,共4页
讨论在(Zr0.8Sn0.2)TiO4主晶相系统中,不同的添加剂对介电性能的影响,固定添加1%ZnO,用单因素法,探讨这种添加剂CuO、CuO-V2O5、G1玻璃和G2玻璃的量与(Zr0.8Sn0.2)TiO4材料介电性能的关系。找出一种既能有效改善主晶相又低成本的添加剂,... 讨论在(Zr0.8Sn0.2)TiO4主晶相系统中,不同的添加剂对介电性能的影响,固定添加1%ZnO,用单因素法,探讨这种添加剂CuO、CuO-V2O5、G1玻璃和G2玻璃的量与(Zr0.8Sn0.2)TiO4材料介电性能的关系。找出一种既能有效改善主晶相又低成本的添加剂,用X射线衍射仪对其进行物相分析。研究结果表明,当G2玻璃的添加量等于2%时,得到了介质损耗tgδ最小、烧成温度为1320℃的材料,有望用作微波陶瓷。 展开更多
关键词 (Zr0.8Sn0.2)TiO4陶瓷 复合添加剂 烧成温度 介质损耗
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xPb(Y_(1/2)Nb_(1/2))O_(3-y)PbTiO_(3-z)PbZrO_3压电陶瓷的研究 被引量：5
14
作者 董火民 王矜奉 +4 位作者 王勇军 刘宏 陈洪存 张沛霖 钟维烈 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第4期329-331,336,共4页
对ｘ Ｐｂ（ Ｙ１／２ Ｎｂ１／２ ） Ｏ３ｙ Ｐｂ Ｔｉ Ｏ３ｚ Ｐｂ Ｚｒ Ｏ３ 三元系陶瓷材料进行了研究，对其压电与介电性能进行了测量，发现该三元系材料在 ｘ＝ ０．２～０．５，ｙ＝ ０．４３～０．４６，ｚ＝ ０．５５～０... 对ｘ Ｐｂ（ Ｙ１／２ Ｎｂ１／２ ） Ｏ３ｙ Ｐｂ Ｔｉ Ｏ３ｚ Ｐｂ Ｚｒ Ｏ３ 三元系陶瓷材料进行了研究，对其压电与介电性能进行了测量，发现该三元系材料在 ｘ＝ ０．２～０．５，ｙ＝ ０．４３～０．４６，ｚ＝ ０．５５～０．５８ 具有优异的压电性能，在该范围内，陶瓷材料的居里点在 ４００ ° Ｃ以上。实验表明该材料是一种具有良好应用前景的压电材料。 展开更多
关键词 三元系陶瓷 压电陶瓷 介电 准同型相界
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原位Raman光谱技术研究PLZT铁电陶瓷相变 被引量：3
15
作者 张飒 刘莹 +2 位作者 刘怡萱 程璇 张颖 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期399-404,共6页
采用传统固相反应法制备了原子比Zr/Ti≈52/48,掺杂少量镧的锆钛酸铅(PLZT)铁电陶瓷材料,X射线衍射分析表明得到的陶瓷粉末样品为纯钙钛矿相。对PLZT铁电陶瓷材料进行不同温度下的原位Raman谱观测,得到了各Raman特征谱的频率和峰强随温... 采用传统固相反应法制备了原子比Zr/Ti≈52/48,掺杂少量镧的锆钛酸铅(PLZT)铁电陶瓷材料,X射线衍射分析表明得到的陶瓷粉末样品为纯钙钛矿相。对PLZT铁电陶瓷材料进行不同温度下的原位Raman谱观测,得到了各Raman特征谱的频率和峰强随温度的变化规律。结果表明,从-200℃升温至600℃过程中,准同型相界附近的PLZT铁电陶瓷分别发生了两种相变:在0℃发生了单斜相到四方相的转变,而在350℃发生了四方相到立方相的转变;并且,在-150℃和250℃附近还可能分别发生低温单斜相到高温单斜相和混合相的相变。 展开更多
关键词 PLZT铁电陶瓷 相变 准同型相界 原位Raman光谱
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组成对PMN-PNN-PZT系压电陶瓷性能的影响 被引量：7
16
作者 刘涛 孙清池 左孝杰 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2003年第2期30-33,共4页
通过两步合成工艺研究了xPb(Mg1/ 3Nb2 / 3)O3 yPb(Ni1/ 3Nb2 / 3)O3 zPbZrO3 wPbTiO3四元系的大量组成 ,获得了位于准同型相界 (morphotropicphaseboundary)处的组成范围及所有选取组成的压电性能、介电性能和机械特性。实验结果表明 ... 通过两步合成工艺研究了xPb(Mg1/ 3Nb2 / 3)O3 yPb(Ni1/ 3Nb2 / 3)O3 zPbZrO3 wPbTiO3四元系的大量组成 ,获得了位于准同型相界 (morphotropicphaseboundary)处的组成范围及所有选取组成的压电性能、介电性能和机械特性。实验结果表明 :准同型相界位于 0 .2 5Pb(Mg1/ 3Nb2 / 3)O3 0 .1 5Pb(Ni1/ 3Nb2 / 3)O3 zPbZrO3 wPbTiO3,其中w/z在 1 .60～ 1 .65之间。在此区间内 ,材料具有良好的综合性能。其各项主要参数为 :居里温度Tc=2 0 2～ 2 0 5℃ ;室温下相对介电常数εTr3=3 3 5 0～ 3 5 4 0 ;介电损耗tanδ =(1 .8～ 2 .1 ) % ;压电常数d33=(5 4 0～ 5 5 0 )× 1 0 -12 pC/N ;机械品质因素Qm =63 ;机电耦合系数Kp =0 .5 7～ 0 .5 8。 展开更多
关键词 组成 PMN-PNN-PZT系 压电陶瓷 性能 影响 两步合成 准同型相界 压电性能 介电性能
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准同型相界附近PMN-PT陶瓷的介电性能 被引量：7
17
作者 曹林洪 姚熹 徐卓 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期439-441,共3页
采用铌铁矿预产物合成法制备了组成在相界附近的(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMN-PT)弛豫铁电陶瓷。陶瓷样品X-射线衍射相组成和相结构分析表明:所有陶瓷样品均为纯钙钛矿相,无任何其他杂相出现;且组成在x=0.33处存在一准同型相界(MP... 采用铌铁矿预产物合成法制备了组成在相界附近的(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMN-PT)弛豫铁电陶瓷。陶瓷样品X-射线衍射相组成和相结构分析表明:所有陶瓷样品均为纯钙钛矿相,无任何其他杂相出现;且组成在x=0.33处存在一准同型相界(MPB),在该相界附近三方相和四方相共存,而远离该相界则分别为纯三方相和四方相。相界附近组成随PT摩尔分数增加,介电峰变得尖锐,频率弥散减弱,即介电弛豫程度减弱。这主要是由于四方相增多,三方相减少,从而使弛豫铁电体变为正常铁电体。 展开更多
关键词 PMN-PT陶瓷 铌铁矿预产物合成法 准同型相界 介电性能.
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锰掺杂对PZNT相结构和机电性能的影响 被引量：3
18
作者 刘彭义 陈亚君 +1 位作者 祝兰 武春红 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期386-388,共3页
采用二步合成法制备了Pb(Zn1/3Nb2/3)0.20(Zr0.52Ti0.48)0.80O3+xMnO2压电陶瓷,探讨了不同剂量锰掺杂对陶瓷样品的相结构和机电性能的影响。结果表明,在1 200℃下烧结2 h,可得到处在准同型相界附近纯钙钛矿结构的压电陶瓷;随着MnO2掺杂... 采用二步合成法制备了Pb(Zn1/3Nb2/3)0.20(Zr0.52Ti0.48)0.80O3+xMnO2压电陶瓷,探讨了不同剂量锰掺杂对陶瓷样品的相结构和机电性能的影响。结果表明,在1 200℃下烧结2 h,可得到处在准同型相界附近纯钙钛矿结构的压电陶瓷;随着MnO2掺杂量的增加,试样的压电常数d33和机电耦合系数kp先增大后减小,当掺杂w(MnO2)=0.2%时,d33和kp均达到最大值,分别为250 pC/N和0.52;而介电损耗tanδ持续下降,机械品质因数Qm则持续上升。当掺杂w(MnO2)=0.5%时,tanδ达到最小值,Qm达到最大值,其值分别为0.004 6和1 434。 展开更多
关键词 准同型相界 相结构 机电性能
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弛豫型铁电体在准同型相界的压电性能 被引量：10
19
作者 夏峰 姚熹 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期582-584,共3页
　ＰＭＮ、ＰＺＮ、ＰＮＮ 等弛豫型铁电体与ＰＴ 形成的固溶体在准同型相界附近具有良好的压电性能。在ＰＭＮ、ＰＺＮ 的单晶材料中，ｋｐ 高达９２ ％ ，ｄ３３ 达到１５００ｐＣ／ Ｎ， 在以ＰＭＮ、ＰＺＮ、ＰＮＮ 为基的陶瓷材料... 　ＰＭＮ、ＰＺＮ、ＰＮＮ 等弛豫型铁电体与ＰＴ 形成的固溶体在准同型相界附近具有良好的压电性能。在ＰＭＮ、ＰＺＮ 的单晶材料中，ｋｐ 高达９２ ％ ，ｄ３３ 达到１５００ｐＣ／ Ｎ， 在以ＰＭＮ、ＰＺＮ、ＰＮＮ 为基的陶瓷材料中，ｄ３３ 分别达到６９０ｐＣ／ Ｎ、６８０ｐＣ／Ｎ 和５４０ｐＣ／ Ｎ，Ｑｍ 在１００ 左右。这类材料的共同特点是机电耦合系数和压电系数较大，而品质因数较小，在压电换能器和致动器领域具有很好的应用前景。 展开更多
关键词 弛豫型铁电体 准同型相界 压电性能
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(0.84-x)Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3-0.16K_(0.5)Bi_(0.5)TiO_(3-x)SrTiO_3系无铅压电陶瓷结构与电性能 被引量：3
20
作者 郑凯平 江向平 +2 位作者 陈超 李小红 李璐 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期90-94,共5页
采用固相法制备了Bi补偿的(0.84-x)Na0.5Bi0.5TiO3-0.16K0.5Bi0.5TiO3-x SrTiO3(简称NBTKBT-xST)无铅压电陶瓷,研究不同ST掺量对体系陶瓷的结构与电性能的影响规律。结果表明,在掺杂范围内(0≤x≤0.06),材料均能形成单一的钙钛矿固溶体... 采用固相法制备了Bi补偿的(0.84-x)Na0.5Bi0.5TiO3-0.16K0.5Bi0.5TiO3-x SrTiO3(简称NBTKBT-xST)无铅压电陶瓷,研究不同ST掺量对体系陶瓷的结构与电性能的影响规律。结果表明,在掺杂范围内(0≤x≤0.06),材料均能形成单一的钙钛矿固溶体结构。随着x的增加,陶瓷晶体结构逐渐由三方相向四方相过渡,且该体系的三方-四方准同型相界(MPB)位于0.03≤x≤0.04。在此组成区域内,体系陶瓷的铁电与压电性能较好,其中x=0.04时,材料的电性能较好:压电常数d33=156 pC/N,平面机电耦合系数k p=0.29,相对介电常数εr=1116,介质损耗tanδ=4.1%,剩余极化强度P r=30.5μC/cm2,矫顽场E c=23.9 kV/cm。介电温谱和变温电滞回线表明体系陶瓷在T d以上可能存在极性相与非极性相共存。 展开更多
关键词 钙钛矿 无铅压电陶瓷 准同型相界 电性能
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