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题名40nm一体化刻蚀工艺技术研究
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作者
盖晨光
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机构
上海华力微电子有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第8期589-595,共7页
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基金
国家科技重大专项资助项目(2011ZX02501)
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文摘
用金属硬掩模层(MHM)进行一体化(AIO)刻蚀的工艺是40 nm节点后道工序的关键工艺技术。阐述了40 nm低功耗芯片工艺研发过程中,一体化刻蚀工艺开发所遇到的诸多工艺难题,并对其产生的机理进行了深入分析。结合工艺设备与工艺特性,进行了刻蚀实验并对刻蚀工艺条件进行了优化,使用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品形貌进行了观测,采用电迁移测试结构对通孔样品的可靠性进行了测试,结果表明,氮化钛厚度、沟槽剖面形貌和顶部缺口形貌得到优化,双大马士革凹槽形貌、通孔剖面形貌以及通孔底部完整性得到较好控制,解决了氟化钛残留问题,有效解决了一体化刻蚀的工艺难题。
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关键词
一体化刻蚀
金属硬掩模层
双大马士革
后道工艺(BEOL)
沟槽刻蚀
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Keywords
AIO etch
metal hard mask （mhm）
dual-damascene
back end of line （BEOL）
trench etch
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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