检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

基于分形理论的高低阻抗线低通滤波器被引量：8: 1; 作者陈文灵王光明 +2 位作者齐谊娜赵然梁建刚《电波科学学报》 EI CSCD 北大核心 2008年第3期506-509,共4页; 提出了具有分形形状的高低阻抗线低通滤波器,仿真结果表明,与传统的高低阻抗线低通滤波器相比,其通带性能得到了巨大的改善,其良好的通带性能是由于分形形状微带线的宽度阶梯渐变减弱了其电流不连续性。为了验证所提出方法的有效性,设... 展开更多; 关键词分形高低阻抗线低通滤波器低反射损耗; 在线阅读下载PDF 职称材料

低副瓣膜片加载方形棱锥喇叭天线设计被引量：1: 2; 作者汤一铭薄亚明《南京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期853-857,共5页; 为了降低方形棱锥喇叭天线的E面方向图副瓣电平,该文对具有相同外形尺寸、不同加载方式的方形棱锥喇叭天线进行建模分析。采用基于有限元法的电磁软件,对传统无加载、金属四脊加载、金属膜片非周期阵列对称加载三种方形棱锥喇叭天线的... 展开更多; 关键词膜片加载棱锥喇叭天线低副瓣回波损耗方向图隔离度; 在线阅读下载PDF 职称材料

7～13.5GHz单片低噪声放大器设计被引量：5: 3; 作者朱思成默立冬《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期497-501,524,共6页; 采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款7～13.5 GHz宽带低噪声放大器单片集成电路。该单片集成电路可用于点对点、点对多点通信以及测试仪器和测试系统中。电路采用两级级联的放大结构,每级采用自偏压技术实现单电源供电。电路中增加... 展开更多; 关键词赝高电子迁移率晶体管电子迁移率晶体管(PHEMT) 低噪声放大器负反馈噪声系数回波损耗; 在线阅读下载PDF 职称材料

新型热隔离高频信号传输结构: 4; 作者廖翱唐彬浛 +2 位作者张童童吕晓萌景飞《光通信技术》 2023年第5期50-52,共3页; 为了保持直调电/光转换组件激光器恒温区域温度不变,提出了一种新型的热隔离高频信号传输结构。该结构采用低热导率介质的电容来传输高频信号,有效增大了电/光转换组件中射频和激光器芯片之间的传热热阻,降低了从射频到激光器芯片恒温... 展开更多; 关键词热隔离电容低热导率电/光转换组件半导体制冷器回波损耗; 在线阅读下载PDF 职称材料

应用于1.4GHz的紧凑型可穿戴阵列贴片天线设计被引量：1: 5; 作者付梦晗丰励庞恺《激光杂志》 CAS 北大核心 2023年第3期33-38,共6页; 针对天线可最大限度探测人体深层组织需降低天线的回波损耗和增加带宽性能问题,提出了一种可穿戴阵列贴片天线。该天线尺寸大小为40 mm×40 mm×2.54 mm,上下两层的介质基板厚度均为1.27 mm,添加上层介质基板是为了天线与更深... 展开更多; 关键词可穿戴设备阵列贴片天线回波损耗小型化; 在线阅读下载PDF 职称材料

1.1dB噪声系数的单片微波集成低噪声放大器被引量：1: 6; 作者郑新年杨浩 +1 位作者张海英戴志伟《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期321-325,共5页; 设计与实现了一款两级赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA）。考虑到实际片上无源电感的性能（低Q值），最优噪声匹配往往不能获得最好的噪声性能，相反因为输入电感的存在会增加芯片的面积。... 展开更多; 关键词赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 低噪声放大器(LNA) 单片微波集成电路 (MMIC) 噪声优化回波损耗; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于分形理论的高低阻抗线低通滤波器被引量：8: 1; 作者陈文灵王光明齐谊娜赵然梁建刚; 机构空军工程大学导弹学院中国人民解放军空军装备研究院科技部; 出处《电波科学学报》 EI CSCD 北大核心 2008年第3期506-509,共4页; 基金国家高科技发展计划资助项目(2003AA005044); 文摘提出了具有分形形状的高低阻抗线低通滤波器,仿真结果表明,与传统的高低阻抗线低通滤波器相比,其通带性能得到了巨大的改善,其良好的通带性能是由于分形形状微带线的宽度阶梯渐变减弱了其电流不连续性。为了验证所提出方法的有效性,设计、加工、测量了一组不同迭代次数的分形高低阻抗线低通滤波器,结果表明,高低阻抗线低通滤波器通带内反射损耗的最大值由-17.8 dB降低到-28.6dB,而其它性能并不因此而改变。; 关键词分形高低阻抗线低通滤波器低反射损耗; Keywords fractal-shape Hi-Lo microstripline low-pass filter （LPF） low return loss; 分类号 TN713 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低副瓣膜片加载方形棱锥喇叭天线设计被引量：1: 2; 作者汤一铭薄亚明; 机构南京邮电大学电子科学与工程学院; 出处《南京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期853-857,共5页; 基金南京邮电大学引进人才科研启动基金(NY209008); 文摘为了降低方形棱锥喇叭天线的E面方向图副瓣电平,该文对具有相同外形尺寸、不同加载方式的方形棱锥喇叭天线进行建模分析。采用基于有限元法的电磁软件,对传统无加载、金属四脊加载、金属膜片非周期阵列对称加载三种方形棱锥喇叭天线的回波损耗、方向图及隔离度仿真特性进行比较分析。研制了中心频率为12 GHz的膜片阵列加载方形棱锥喇叭天线,该天线在10～14 GHz频带上的方向性系数大于14 dB,E面方向图第一副瓣电平比主瓣低17 dB以上,双正交线极化隔离度及工作主模与其它模式的模式隔离度均高于40 dB。仿真和实测结果证明了膜片加载方法对于改善方形棱锥喇叭天线副瓣电平特性的有效性。; 关键词膜片加载棱锥喇叭天线低副瓣回波损耗方向图隔离度; Keywords diaphragm loading pyramidical horn antenna low sidelobe levels return losses radiation patterns isolations; 分类号 TN62 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名7～13.5GHz单片低噪声放大器设计被引量：5: 3; 作者朱思成默立冬; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期497-501,524,共6页; 文摘采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款7～13.5 GHz宽带低噪声放大器单片集成电路。该单片集成电路可用于点对点、点对多点通信以及测试仪器和测试系统中。电路采用两级级联的放大结构,每级采用自偏压技术实现单电源供电。电路中增加并联负反馈结构,以提高增益平坦度。电路输出后端增加阻性电路,提高部分频段的稳定性,在全频段上满足无条件稳定的条件。在频率为7～13.5 GHz范围内,外加工作电压3 V,对低噪声放大器芯片进行了在片测试,测试结果表明,在带内放大器的噪声系数小于1.6 dB,小信号增益大于17 dB,输入回波损耗低于-12 dB,输出回波损耗低于-15 dB;低噪声放大器芯片面积为2.15 mm×1.15 mm。; 关键词赝高电子迁移率晶体管电子迁移率晶体管(PHEMT) 低噪声放大器负反馈噪声系数回波损耗; Keywords pseudomorphic high electron mobility transistor （PHEMT） low noise amplifier negative feedback noise figure return loss; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN722.3 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新型热隔离高频信号传输结构: 4; 作者廖翱唐彬浛张童童吕晓萌景飞; 机构中国电子科技集团公司第二十九研究所四川省宽带微波电路高密度集成工程研究中心; 出处《光通信技术》 2023年第5期50-52,共3页; 文摘为了保持直调电/光转换组件激光器恒温区域温度不变,提出了一种新型的热隔离高频信号传输结构。该结构采用低热导率介质的电容来传输高频信号,有效增大了电/光转换组件中射频和激光器芯片之间的传热热阻,降低了从射频到激光器芯片恒温区之间的热传导。仿真结果表明:与传统的电路片搭接结构、金丝级联结构相比,所提传输结构使半导体制冷器的热负载分别降低了20.5%、10%,电流分别降低了100、60 mA;同时,该传输结构在2~18 GHz频段内的回波损耗最大只有-16.7 dB,具备良好的射频传输性能。; 关键词热隔离电容低热导率电/光转换组件半导体制冷器回波损耗; Keywords thermal insulation capacitance low conduction electrical/optical conversion module thermal electric cooler return loss; 分类号 TN929.1 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名应用于1.4GHz的紧凑型可穿戴阵列贴片天线设计被引量：1: 5; 作者付梦晗丰励庞恺; 机构湖北工业大学电气与电子工程学院; 出处《激光杂志》 CAS 北大核心 2023年第3期33-38,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(No.41601399) 博士科研启动基金(No.BSQD2020011) 太阳能高效利用及储能运行控制湖北省重点实验室开放基金项目(No.HBSEES202007)。; 文摘针对天线可最大限度探测人体深层组织需降低天线的回波损耗和增加带宽性能问题,提出了一种可穿戴阵列贴片天线。该天线尺寸大小为40 mm×40 mm×2.54 mm,上下两层的介质基板厚度均为1.27 mm,添加上层介质基板是为了天线与更深的组织层匹配,将单元贴片天线以2×2的形式集成到单个基板上组成阵列,并用HFSS仿真软件搭建人体组织模型进行仿真。仿真结果表明,单元贴片天线在中心频率1.4 GHz处的回波损耗达到-20 dB,-10 dB处的阻抗带宽为1.384×1.411 GHz,阵列贴片天线在中心频率1.4 GHz处的回波损耗达到-25 dB,在-10 dB处的阻抗带宽为1.383×1.424 GHz,由于天线加工误差导致实物测量时天线的中心频率发生右移,但总体与仿真结果一致。两款天线对比可知阵列天线相较于单元天线的回波损耗更低,带宽更宽。; 关键词可穿戴设备阵列贴片天线回波损耗小型化; Keywords wearable devices array patch antenna low return loss miniaturization; 分类号 TN82 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名1.1dB噪声系数的单片微波集成低噪声放大器被引量：1: 6; 作者郑新年杨浩张海英戴志伟; 机构中国科学院微电子研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期321-325,共5页; 基金国家科技重大专项资助项目(2010ZX03007); 文摘设计与实现了一款两级赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA）。考虑到实际片上无源电感的性能（低Q值），最优噪声匹配往往不能获得最好的噪声性能，相反因为输入电感的存在会增加芯片的面积。设计旨在选择合适的输入晶体管，以免除输入电感的使用，减小芯片的面积。经过优化设计，芯片尺寸为o．8mm×0．8mm。测试结果表明，放大器在3．4～3．6GHz频段内实现了1．1dB的噪声系数以及25．8dB的小信号增益，带内回波损耗最大值为-16．5dB。在回波损耗小于-10dB的范围内，电路带宽拓展到2．8～4．7GHz，此时增益最小值为20dB，噪声最大值为1．3dB。; 关键词赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 低噪声放大器(LNA) 单片微波集成电路 (MMIC) 噪声优化回波损耗; Keywords pseudomorphic high electron mobility transistor （PHEMT） low nolse amplifier（LNA） monolithic microwave integrated circuit （MMIC） noise optimization return loss; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于分形理论的高低阻抗线低通滤波器	陈文灵王光明齐谊娜赵然梁建刚	《电波科学学报》 EI CSCD 北大核心	2008	8	在线阅读下载PDF 职称材料
2	低副瓣膜片加载方形棱锥喇叭天线设计	汤一铭薄亚明	《南京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	7～13.5GHz单片低噪声放大器设计	朱思成默立冬	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2013	5	在线阅读下载PDF 职称材料
4	新型热隔离高频信号传输结构	廖翱唐彬浛张童童吕晓萌景飞	《光通信技术》	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	应用于1.4GHz的紧凑型可穿戴阵列贴片天线设计	付梦晗丰励庞恺	《激光杂志》 CAS 北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	1.1dB噪声系数的单片微波集成低噪声放大器	郑新年杨浩张海英戴志伟	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	1	在线阅读下载PDF 职称材料