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双层场板长漂移区LDMOS热载流子退化研究
1
作者
姜一波
王晓磊
+5 位作者
徐曙
顾刘强
梁艳
魏义
韩宇锋
李辉
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
2017年第5期339-344,360,共7页
以中国科学院微电子研究所开发的双层场板长漂移区LDMOS为研究对象,通过长效(Long-term)可靠性实验展示了其特殊性退化过程,即I_(dss)快速下降—略微增长—再缓慢下降。通过TCAD仿真对双层场板长漂移区LDMOS的特殊退化现象进行仿真与分...
以中国科学院微电子研究所开发的双层场板长漂移区LDMOS为研究对象,通过长效(Long-term)可靠性实验展示了其特殊性退化过程,即I_(dss)快速下降—略微增长—再缓慢下降。通过TCAD仿真对双层场板长漂移区LDMOS的特殊退化现象进行仿真与分析,展示了器件内部物理量的变化。从理论上阐明了双层场板长漂移区LDMOS热载流子退化机理并对其特殊退化过程进行了解释说明。
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关键词
长效可靠性
热载流子退化
双层场板长漂移区横向双扩散金属氧化物场效应晶体管
热空穴注入
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职称材料
题名
双层场板长漂移区LDMOS热载流子退化研究
1
作者
姜一波
王晓磊
徐曙
顾刘强
梁艳
魏义
韩宇锋
李辉
机构
常州工学院
中国科学院微电子研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
2017年第5期339-344,360,共7页
基金
江苏高校品牌专业建设工程资助项目(PPZY2015B129)
江苏省高等学校自然科学研究项目(17KJB416001)
+3 种基金
<江苏省电气工程及其自动化品牌专业建设一期工程项目>
<江苏省"电气工程"省重点建设学科>
<江苏省高校"特种电机研究与应用"重点建设实验室>
<基于22nm制程以下FinFET静电防护机理研究>等项目资助
文摘
以中国科学院微电子研究所开发的双层场板长漂移区LDMOS为研究对象,通过长效(Long-term)可靠性实验展示了其特殊性退化过程,即I_(dss)快速下降—略微增长—再缓慢下降。通过TCAD仿真对双层场板长漂移区LDMOS的特殊退化现象进行仿真与分析,展示了器件内部物理量的变化。从理论上阐明了双层场板长漂移区LDMOS热载流子退化机理并对其特殊退化过程进行了解释说明。
关键词
长效可靠性
热载流子退化
双层场板长漂移区横向双扩散金属氧化物场效应晶体管
热空穴注入
Keywords
long
term reliability
hot carrier degradation
long drift region of double field shield ldmos
hot hole injection
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
双层场板长漂移区LDMOS热载流子退化研究
姜一波
王晓磊
徐曙
顾刘强
梁艳
魏义
韩宇锋
李辉
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
2017
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