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一种应用于全球导航卫星系统接收机的低功耗宽带压控振荡器
被引量：
1
1
作者
尹喜珍
肖时茂
+1 位作者
马成炎
叶甜春
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2012年第4期1002-1006,共5页
该文设计了一种应用于全球导航卫星系统（GNSS）射频接收芯片的新型低功耗小面积宽频率调节范围的压控振荡器（VCO）。根据全波段GNSS信号的特点,将VCO分成两个离散的频率工作区域,可分别对这两个区域进行功耗、相位噪声的优化,减小了VC...
该文设计了一种应用于全球导航卫星系统（GNSS）射频接收芯片的新型低功耗小面积宽频率调节范围的压控振荡器（VCO）。根据全波段GNSS信号的特点,将VCO分成两个离散的频率工作区域,可分别对这两个区域进行功耗、相位噪声的优化,减小了VCO结构的复杂度,并节省了芯片面积。利用调谐曲线线性化技术,克服了传统的VCO控制电压有效调节范围窄的问题,使VCO在整个控制电压范围内调节曲线线性,减小了幅度调制转频率调制（AM-FM）,降低了相位噪声。测试结果显示,该VCO频率调节范围为49.5%,控制电压在0.1~0.9 V内,VCO增益（KVCO）恒定,当频率偏移为1 MHz时相位噪声小于-120 dBc/Hz,消耗电流2 mA,占用芯片面积为0.24mm2。提出的VCO在0.13μm 1P6M工艺上实现,已成功应用于全波段GNSS接收机中。
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关键词
全球导航卫星系统(GNSS)
压控振荡器(VCO)
离散工作区域
调谐曲线线性化
滤波
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职称材料
高压LDMOS准饱和效应研究
2
作者
翟宪振
吴海峰
罗向东
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期466-471,共6页
借助于SILVACO TCAD仿真工具,研究了高压LDMOS电流准饱和效应(Quasi-saturation effect)的形成原因。通过分析不同栅极电压下漂移区的耗尽情况以及沟道与漂移区电势、电场和载流子漂移速度的分布变化,认为当栅压较低时,LDMOS的本征MOSFE...
借助于SILVACO TCAD仿真工具,研究了高压LDMOS电流准饱和效应(Quasi-saturation effect)的形成原因。通过分析不同栅极电压下漂移区的耗尽情况以及沟道与漂移区电势、电场和载流子漂移速度的分布变化,认为当栅压较低时,LDMOS的本征MOSFET工作在饱和区,栅压对源漏电流的钳制明显,此时沟道载流子速度饱和;而在大栅压下,随着沟道导电能力的增加以及漂移区两端承载的电压的增大,本征MOSFET两端压降迅速降低,器件不能稳定地工作在饱和区而进入线性工作区,此时沟道中的载流子速度不饱和。LDMOS器件的源漏电流的增大主要受漂移区影响,栅压逐渐失去对器件电流的控制,此时增大栅压LDMOS器件的源漏电流变化很少,形成源漏电流的准饱和效应。最后,从器件工作过程对电流与栅压的关系进行了理论分析,并从理论结果对电流准饱和效应进行了深入分析。
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关键词
横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
准饱和效应
线性工作区
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职称材料
题名
一种应用于全球导航卫星系统接收机的低功耗宽带压控振荡器
被引量：
1
1
作者
尹喜珍
肖时茂
马成炎
叶甜春
机构
中国科学院微电子研究所
杭州中科微电子有限公司
出处
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2012年第4期1002-1006,共5页
基金
"核高基"重大专项(2009ZX01031-002-008)
国家863计划项目(2009AA011601)资助课题
文摘
该文设计了一种应用于全球导航卫星系统（GNSS）射频接收芯片的新型低功耗小面积宽频率调节范围的压控振荡器（VCO）。根据全波段GNSS信号的特点,将VCO分成两个离散的频率工作区域,可分别对这两个区域进行功耗、相位噪声的优化,减小了VCO结构的复杂度,并节省了芯片面积。利用调谐曲线线性化技术,克服了传统的VCO控制电压有效调节范围窄的问题,使VCO在整个控制电压范围内调节曲线线性,减小了幅度调制转频率调制（AM-FM）,降低了相位噪声。测试结果显示,该VCO频率调节范围为49.5%,控制电压在0.1~0.9 V内,VCO增益（KVCO）恒定,当频率偏移为1 MHz时相位噪声小于-120 dBc/Hz,消耗电流2 mA,占用芯片面积为0.24mm2。提出的VCO在0.13μm 1P6M工艺上实现,已成功应用于全波段GNSS接收机中。
关键词
全球导航卫星系统(GNSS)
压控振荡器(VCO)
离散工作区域
调谐曲线线性化
滤波
Keywords
Global Navigation Satellite System（GNSS）
Voltage-Controlled-Oscillator（VCO）
Discrete
work
ing
region
s
Tuning curve
linear
ization
Filtering
分类号
TN752 [电子电信—电路与系统]
TN965.5 [电子电信—信号与信息处理]
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职称材料
题名
高压LDMOS准饱和效应研究
2
作者
翟宪振
吴海峰
罗向东
机构
江苏省专用集成电路设计重点实验室南通大学
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期466-471,共6页
基金
江苏省自然科学基金资助项目(BK2012656)
文摘
借助于SILVACO TCAD仿真工具,研究了高压LDMOS电流准饱和效应(Quasi-saturation effect)的形成原因。通过分析不同栅极电压下漂移区的耗尽情况以及沟道与漂移区电势、电场和载流子漂移速度的分布变化,认为当栅压较低时,LDMOS的本征MOSFET工作在饱和区,栅压对源漏电流的钳制明显,此时沟道载流子速度饱和;而在大栅压下,随着沟道导电能力的增加以及漂移区两端承载的电压的增大,本征MOSFET两端压降迅速降低,器件不能稳定地工作在饱和区而进入线性工作区,此时沟道中的载流子速度不饱和。LDMOS器件的源漏电流的增大主要受漂移区影响,栅压逐渐失去对器件电流的控制,此时增大栅压LDMOS器件的源漏电流变化很少,形成源漏电流的准饱和效应。最后,从器件工作过程对电流与栅压的关系进行了理论分析,并从理论结果对电流准饱和效应进行了深入分析。
关键词
横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
准饱和效应
线性工作区
Keywords
LDMOS
quasi-saturation effect
linear work region
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种应用于全球导航卫星系统接收机的低功耗宽带压控振荡器
尹喜珍
肖时茂
马成炎
叶甜春
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2012
1
在线阅读
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职称材料
2
高压LDMOS准饱和效应研究
翟宪振
吴海峰
罗向东
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
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职称材料
已选择
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引证文献
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