现代HVDC换流阀设计特点及其技术动向 被引量：15

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作者 赵中原 邱毓昌 +3 位作者 方志 冯建强 王建生 马振军 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期3-5,共3页

介绍了现代 HVDC换流阀的设计特点及新增特性。并从晶闸管器件、均压阻尼电路、冷却系统、机械和绝缘结构、晶闸管监控系统等方面探讨了现代换流阀的技术动向 ,认为其发展趋势是减少所需器件数 。

关键词 高压直流输电 HVDC 换流阀 设计

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光触发晶闸管换流阀技术及其应用 被引量：17

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作者 白光亚 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期55-56,59,共3页

对近年来新发展起来的一种直流输电换流技术—光触发晶闸管换流阀LTT的技术特点及其应用做了较详尽的描述。与传统的电触发换流方式ETT相比 ,LTT技术先进且性能有所提高 ,随着其在国内外的不断应用 ,应对其有足够的关注和进一步的深入... 对近年来新发展起来的一种直流输电换流技术—光触发晶闸管换流阀LTT的技术特点及其应用做了较详尽的描述。与传统的电触发换流方式ETT相比 ,LTT技术先进且性能有所提高 ,随着其在国内外的不断应用 ,应对其有足够的关注和进一步的深入研究。 展开更多

关键词 直流输电 晶闸管 换流阀 光电混合触发 光触发

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一种用于高压大电流脉冲放电的晶闸管间接强触发电路 被引量：2

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作者 董招辉 孙崭鹏 +1 位作者 黄嘉琪 陈文光 《工矿自动化》 北大核心 2017年第3期81-85,共5页

高压大电流放电技术普遍采用晶闸管串联作为电路放电的主开关,放电时如果晶闸管的导通过程较慢,则会导致芯片内部产生大量焦耳热,使晶闸管损坏;同时晶闸管在串联模式下,导通时间不一致也会导致导通较慢的晶闸管受到高电压而被击穿。针... 高压大电流放电技术普遍采用晶闸管串联作为电路放电的主开关,放电时如果晶闸管的导通过程较慢,则会导致芯片内部产生大量焦耳热,使晶闸管损坏;同时晶闸管在串联模式下,导通时间不一致也会导致导通较慢的晶闸管受到高电压而被击穿。针对该种复杂苛刻的工况,提出了一种可以用于高压大电流脉冲放电的晶闸管间接强触发电路,该电路利用间接光触发方式,在触发回路中,串联的晶闸管触发信号由同一个控制信号通过光纤进行控制,经过光电转换后产生强触发脉冲电流,使晶闸管同步快速可靠导通。实验结果表明,该电路可实现串联晶闸管可靠触发,晶闸管触发脉宽时间可调,放电电压为9kV,放电电流高达32kA,满足脉冲放电电源模块的应用要求。 展开更多

关键词 岩石破碎 晶闸管串联 高压大电流脉冲源 强触发 间接光触发

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±800kV楚雄换流站光流触发晶闸管故障分析及措施 被引量：2

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作者 马向南 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2017年第11期236-245,共10页

换流阀是高压直流系统的核心部分,而晶闸管则是换流阀的核心元件,是实现整流和逆变的关键。±800 kV楚雄换流站换流阀采用的是T2563 N80T-S34型光触发晶闸管(light-triggered thyristor,LTT)。LTT具有集成过压保护功能,失效率低。但... 换流阀是高压直流系统的核心部分,而晶闸管则是换流阀的核心元件,是实现整流和逆变的关键。±800 kV楚雄换流站换流阀采用的是T2563 N80T-S34型光触发晶闸管(light-triggered thyristor,LTT)。LTT具有集成过压保护功能,失效率低。但自2012年4月22日云广直流系统第4阶段孤岛调试结束至5月10日,累计有8只换流阀晶闸管失效。文中针对短时间内多个晶闸管失效这一情况,介绍了±800 kV楚雄换流站换流阀的基本结构和组成元件;阐明了LTT的导通原理和失效机理;结合晶闸管故障情况、晶闸管失效时的系统暂态工况分析、换流阀相关参数对比分析以及避雷器动作分析,总结了造成LTT失效的原因;并提出了解决办法和预防措施。 展开更多

关键词 换流阀 光触发晶闸管(light-triggered thyristor LTT) 失效 过电压 措施

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受光区具有薄n层结构的光控晶闸管的研究

5

作者 赵善麒 高鼎三 潘福泉 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1990年第3期47-50,共4页

本文研讨了具有薄n层结构的受光区,对提高光控晶闸管的光触发灵敏度的作用及触发灵敏度与dV/dt耐量间的协调关系,结果表明,这种结构可使其具有较高的触发灵敏度,可较好的协调灵敏度与dV/dt耐量间的关系。并利用这一结构,研制出了高灵敏... 本文研讨了具有薄n层结构的受光区,对提高光控晶闸管的光触发灵敏度的作用及触发灵敏度与dV/dt耐量间的协调关系,结果表明,这种结构可使其具有较高的触发灵敏度,可较好的协调灵敏度与dV/dt耐量间的关系。并利用这一结构,研制出了高灵敏度的500A,2000V直接光触发晶闸管。 展开更多

关键词 光控管可控硅 触发灵敏度 受光区

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光控晶闸管的集成BOD转折电压

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作者 高山城 罗艳红 +2 位作者 吴飞鸟 李玉玲 高飞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期414-418,共5页

介绍了新型光控晶闸管,其集成了一个非常重要的电气功能,即正向过压保护功能。通过在光控晶闸管光敏区内集成转折二极管(BOD),实现光控晶闸管正向保护功能。如果集成BOD转折电压太高,不能有效保护晶闸管;若转折电压太低,则达不到光控晶... 介绍了新型光控晶闸管,其集成了一个非常重要的电气功能,即正向过压保护功能。通过在光控晶闸管光敏区内集成转折二极管(BOD),实现光控晶闸管正向保护功能。如果集成BOD转折电压太高,不能有效保护晶闸管;若转折电压太低,则达不到光控晶闸管设计的阻断电压要求。通过计算机仿真技术和工艺实验方法,成功地揭示了光控晶闸管集成BOD转折电压与硅材料电阻率、pn结结构尺寸和温度的关系,从而精确设计了光控晶闸管集成BOD转折电压,研制了5英寸(1英寸=2.54 cm)3 125 A/7 600 V特高压光控晶闸管,并成功应用于"云南-广东±800 kV/5 000 MW"特高压直流输电工程中。 展开更多

关键词 光控晶闸管(LTT) 光敏区 转折二极管(BOD) 正向保护 转折电压 特高压直流输电(UHVDC)

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HVDC直接光控换流阀中激光发射电路监测中几个问题的探讨 被引量：7

7

作者 张建峰 马振军 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期106-107,111,共3页

我国贵州-广东Ⅰ回、Ⅱ回±500 kV高压直流输电和西北-华中(灵宝)联网直流背靠背工程中,均采用了用激光脉冲直接触发晶闸管的直接光控晶闸管换流阀(以下简称LTT阀)。为了确保触发光脉冲的可靠性,在阀底部电子设备柜(VBE)中设置了对... 我国贵州-广东Ⅰ回、Ⅱ回±500 kV高压直流输电和西北-华中(灵宝)联网直流背靠背工程中,均采用了用激光脉冲直接触发晶闸管的直接光控晶闸管换流阀(以下简称LTT阀)。为了确保触发光脉冲的可靠性,在阀底部电子设备柜(VBE)中设置了对光发射电路进行在线实时监测的功能。笔者就近年来运行中激光发射监测出现的一些问题进行探讨。 展开更多

关键词 光控晶闸管 阀底部电子设备 激光发射板 光分配器

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6.5 kV SiC光控晶闸管的研制

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作者 杨燎 陈宏 +2 位作者 郑昌伟 白云 杨成樾 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第11期861-865,共5页

基于Sentaurus TCAD软件,研制了一款6.5 kV SiC光控晶闸管。通过优化雪崩击穿模型,对多层外延材料的规格及渐变终端技术进行研究,有效抑制了芯片表面峰值电场,实现了6.5 kV的耐压设计;此外结合实际应用需求,对器件的开通特性进行了仿真... 基于Sentaurus TCAD软件,研制了一款6.5 kV SiC光控晶闸管。通过优化雪崩击穿模型,对多层外延材料的规格及渐变终端技术进行研究,有效抑制了芯片表面峰值电场,实现了6.5 kV的耐压设计;此外结合实际应用需求,对器件的开通特性进行了仿真模拟。在4英寸(1英寸=2.54 cm)SiC工艺平台制备了6.5 kV SiC光控晶闸管,并对器件性能进行了测试。测试结果显示,芯片击穿电压超过6.5 kV,在4 kV电源电压以及365 nm波长紫外光触发的条件下,器件导通延迟约为200 ns,脉冲峰值电流约为2.1 kA,最大导通电流变化率(di/dt)达到6.3 kA/μs,测试结果与仿真模拟结果基本一致。 展开更多

关键词 碳化硅(SiC) 光控晶闸管(LTT) 脉冲开关 击穿电压 电流变化率(di/dt)

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高压直流输电光触发换流阀塔均压电极除垢技术和工艺研究 被引量：11

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作者 付纪华 李庆宇 +3 位作者 谷永刚 孙海涛 焦宇峰 左坤 《陕西电力》 2014年第10期72-75,共4页

由于晶闸管铝制散热器的电化学腐蚀,光触发换流阀塔均压电极在电场的作用下容易形成垢质。结合宝鸡换流站均压电极除垢检修经验,介绍了光触发换流阀塔均压电极除垢工艺及流程,总结了电极除垢过程中的关键环节。

关键词 高压直流输电 光触发换流阀 均压电极 除垢

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基于模块化风冷换流阀的中压直流输电系统 被引量：2

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作者 杨锐 罗海云 +5 位作者 程晓绚 任军辉 张雷 张丽霞 雷妮 刘海东 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期161-167,共7页

为探索中国国内中压直流输电(MVDC)市场的未来,文中通过已经建成的德国亚琛大学的10 kV直流配电工程案例,重点介绍了中国西电集团完全自主化制造、具有全部自主知识产权的一个中压直流输电系统。该系统采用了完全自主化设计的模块化风... 为探索中国国内中压直流输电(MVDC)市场的未来,文中通过已经建成的德国亚琛大学的10 kV直流配电工程案例,重点介绍了中国西电集团完全自主化制造、具有全部自主知识产权的一个中压直流输电系统。该系统采用了完全自主化设计的模块化风冷光触发晶闸管(LTT)换流阀、箔绕干式换流变压器及完全数字化接口的控制保护系统。整个系统紧凑简洁、可靠性高、便于维护,已经具备了进行示范工程应用的条件。此外,还对中压直流输电的技术经济性进行了初步分析,结果说明针对交流配网增容受限的城市负荷中心、远距离电缆输电区域、具有分布电源或大容量直流负载的负荷区域以及中压直流输电都具有相当的竞争力。 展开更多

关键词 中压直流输电(MVDC) 光触发晶闸管(LTT) 模块化风冷换流阀 箔绕干式换流变压器 数字化直流控制保护系统

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电力变流设备中的激光光源控制

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作者 高金铠 陈军 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 1997年第1期47-50,共4页

论述了在电力变流技术中，应用红外波段激光光源控制高压大功率光控晶闸管（ＬＴＴ）换流阀的一些技术与理论问题．给出了激光光源的选取原则．论述了光耦合问题。

关键词 电力变流设备 激光光源控制 光控晶闸管

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高压晶闸管换流阀电控型和光控型晶闸管反向恢复期的不同保护策略 被引量：13

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作者 苟锐锋 马振军 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期3982-3988,共7页

随着我国高压直流输电(HVDC)的发展,不管是电控型(ETT)还是光控型(LTT)晶闸管换流阀,在运行中其反向恢复期(reverse recovery period)保护功能均出现了一些缺陷和问题,导致换流阀强迫停运。为此,作者在对这两种不同技术换流阀反向恢复... 随着我国高压直流输电(HVDC)的发展,不管是电控型(ETT)还是光控型(LTT)晶闸管换流阀,在运行中其反向恢复期(reverse recovery period)保护功能均出现了一些缺陷和问题,导致换流阀强迫停运。为此,作者在对这两种不同技术换流阀反向恢复期的机理和不同的保护策略进行分析研究的基础上,针对在工程运行中该保护出现误判、误动、延时形成死区等缺陷的原因进行了分析,得出主要原因为ETT阀未能采用直接的正向电压变换率(du/dt)探测,而LTT阀则因该保护无双重化配置和监测功能。针对此,进而提出ETT阀改进为直接du/dt保护的策略;在LTT阀的RPU保护单元增加双重化配置和监测功能的优化方案,为这一关键保护更加精准有效提出了一种自主国产化的新思路。 展开更多

关键词 电控晶闸管 光控晶闸管 晶闸管控制单元 晶闸管电压监测板 反向恢复期保护单元 阀底部电子设备

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