a-Si:HSchotky 势垒结构太阳能电池中的载流子俘获效应a-Si:H太阳能电池稳定性研究

1

作者 林鸿生 《北京大学学报（自然科学版）》 CSCD 北大核心 1997年第3期346-353,共8页

基于实验结果，应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对经高强度光辐照过的ａ－ＳｉＨＳｃｈｏｔｋｙ势垒结构太阳能电池进行计算机数值分析。计算结果与实验一致并且进一步指明，随着光辐照发生的... 基于实验结果，应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对经高强度光辐照过的ａ－ＳｉＨＳｃｈｏｔｋｙ势垒结构太阳能电池进行计算机数值分析。计算结果与实验一致并且进一步指明，随着光辐照发生的载流子俘获造成的ａ－ＳｉＨ中空间电荷净增加或减少都会使电池内部电场分布发生变化和准中性区（低场“死层”）的出现，从而导致载流子收集长度的减少。这是ａ－ＳｉＨＳｃｈｏｔｋｙ势垒结构太阳能电池光致性能衰退的重要原因。于是。 展开更多

关键词 载流子 俘获效应 太阳能电池 势垒结构

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a－Si：Hp－i－n型太阳能电池中的载流子俘获效应──a－Si：H太阳能电池稳定性研究 被引量：1

2

作者 林鸿生 《中国科学技术大学学报》 CSCD 北大核心 1996年第2期137-142,共6页

本文基于我们的实验结果，应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对经高强度光辐照过的ａ－Ｓｉ：ＨＰ－ｉ－ｎ型太阳能电池进行计算机数值分析。结果表明，随着光辐照发生的载流子俘获所造成的ａ... 本文基于我们的实验结果，应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对经高强度光辐照过的ａ－Ｓｉ：ＨＰ－ｉ－ｎ型太阳能电池进行计算机数值分析。结果表明，随着光辐照发生的载流子俘获所造成的ａ－Ｓｉ：Ｈ中空间电荷净增加或减少都会使电池内部电场分布产生变化和准中性区（低场“死层”）的出现。这是ａ－Ｓｉ：Ｈｐ－ｉ－ｎ型太阳能电池光致性能衰退的重要原因。于是，一条提高ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳能电池稳定性的新途径有可能被提出。 展开更多

关键词 载流子俘获效应 太阳能电池 稳定性

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a－Si∶H　Schottky势垒太阳能电池结构中载流子俘获对电场的调制效应

3

作者 林鸿生 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期193-198,共6页

本文应用计算机数值模拟方法研究了ａ－Ｓｉ：ＨＳｃｈｏｔｔｋｙ势主太阳能电池结构中载流子俘获对电场的调制效应．结果表明，无论先生空穴或电子俘获都将改变电池中的电场分布，导致准中性区（低场“死层”）出现或扩大，从而减小了... 本文应用计算机数值模拟方法研究了ａ－Ｓｉ：ＨＳｃｈｏｔｔｋｙ势主太阳能电池结构中载流子俘获对电场的调制效应．结果表明，无论先生空穴或电子俘获都将改变电池中的电场分布，导致准中性区（低场“死层”）出现或扩大，从而减小了电池的载流子收集长度，这是引起ａ－Ｓｉ：ＨＳｃｈｏｔｔｋｙ势垒太阳能电池光致性能衰退的一个重要原因． 展开更多

关键词 载流子俘获 太阳能电池 电场 调制效应

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a-Si/CIS叠层太阳能电池的光诱导性能衰退和稳定性分析 被引量：2

4

作者 林鸿生 马雷 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第1期33-36,共4页

基于pin结构a Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论a Si/CIS叠层太阳能电池的稳定性。结果表明 ,光生空穴俘获造成的a Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si∶H薄膜中电场强度。在光照射下 ,空间电荷效... 基于pin结构a Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论a Si/CIS叠层太阳能电池的稳定性。结果表明 ,光生空穴俘获造成的a Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si∶H薄膜中电场强度。在光照射下 ,空间电荷效应不会给a Si/CIS叠层结构中的a Si∶H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,因而没有发生a Si/CIS叠层太阳能电池顶电池 (p i na Si∶H)的光诱导性能衰退 ,a Si/CIS叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性。 展开更多

关键词 光诱导性能衰退 a-si:h隙态密度分布 Newton-Raphson解法 稳定性 a-si:h太阳能电池 硅太阳能电池

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a-Si/poly-Si叠层太阳能电池稳定性研究 被引量：1

5

作者 林鸿生 林罡 段开敏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期50-52,56,共4页

通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解泊松方程,对经高强度光辐照过的a-Si/poly-Si叠层太阳能电池进行计算机数值模拟分析。结果表明,光生空穴俘获造成的a-Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布,普遍抬高a-Si∶H薄膜... 通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解泊松方程,对经高强度光辐照过的a-Si/poly-Si叠层太阳能电池进行计算机数值模拟分析。结果表明,光生空穴俘获造成的a-Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布,普遍抬高a-Si∶H薄膜中电场强度。在光照射下,空间电荷效应不会给a-Si/poly-Si叠层结构中的a-Si∶H薄膜带来准中性区(低场“死层”),因而没有发生a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的光诱导性能衰退。a-Si/poly-Si叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性。 展开更多

关键词 太阳能电池 稳定性 叠层 硅

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a-Si/poly-Si叠层太阳电池稳定性的数值模拟分析

6

作者 林鸿生 段开敏 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期245-248,共4页

通过应用Scharfetter Gummel解法数值求解Poisson方程 ,对热平衡态a Si/ poli Si叠层太阳电池的光稳定性进行计算机数值模拟 ,详细分析光照射前后a Si/ poli Si叠层太阳电池中电场强度分布 ,指出在光照射下 ,光生空穴俘获造成的a Si:H... 通过应用Scharfetter Gummel解法数值求解Poisson方程 ,对热平衡态a Si/ poli Si叠层太阳电池的光稳定性进行计算机数值模拟 ,详细分析光照射前后a Si/ poli Si叠层太阳电池中电场强度分布 ,指出在光照射下 ,光生空穴俘获造成的a Si:H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si:H薄膜中的电场强度 ,没有给a Si/ poli Si叠层结构中的a Si:H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,不会发生a Si/poli Si叠层太阳电池的光诱导性能衰退 ,因而a Si/ poli Si叠层结构太阳电池具有较高的稳定性。 展开更多

关键词 a-si:h光诱导性能衰退 a-si:h隙态密度分布 Newton-Raphson解法

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热丝辅助MWECR-CVD法沉积氢化非晶硅薄膜研究 被引量：1

7

作者 刘国汉 丁毅 +3 位作者 朱秀红 何斌 陈光华 贺德衍 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期986-989,共4页

为了降低a-Si:H薄膜中的氢含量,提高其稳定性,在我们MWECR-CVD系统中引入了热丝装置,热丝对等离子体的热辐射使等离子体升温,既促进了气体的进一步分解和电离,获得较多的低氢原子基团,也减少了活性高硅烷聚合物的生成,从而使薄膜中的(Si... 为了降低a-Si:H薄膜中的氢含量,提高其稳定性,在我们MWECR-CVD系统中引入了热丝装置,热丝对等离子体的热辐射使等离子体升温,既促进了气体的进一步分解和电离,获得较多的低氢原子基团,也减少了活性高硅烷聚合物的生成,从而使薄膜中的(SiH2)n的含量降低。同时,热丝对样品表面提供的热辐射和光辐射也可以进一步降低薄膜的氢含量。实验结果表明,用这种装置沉积的a-Si:H薄膜,氢含量可降低到4.5at%左右,稳定性明显增强,光敏性也有一定改善。 展开更多

关键词 电子回旋共振 等离子体增强化学气相沉积 氢化非晶硅薄膜 热丝 光致衰退效应

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掺硼p型晶体硅太阳电池B-O缺陷致光衰及其抑制的研究进展 被引量：4

8

作者 艾斌 邓幼俊 《中山大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期1-7,共7页

掺硼p型晶体硅太阳电池一直牢牢占据着光伏市场的主导地位,但硼-氧(B-O)缺陷引起的光衰(LID:Light induced degradation)极大地限制了它的发展。最新的对太阳电池加热同时注入少数载流子的B-O缺陷"复原"(regeneration)技术有... 掺硼p型晶体硅太阳电池一直牢牢占据着光伏市场的主导地位,但硼-氧(B-O)缺陷引起的光衰(LID:Light induced degradation)极大地限制了它的发展。最新的对太阳电池加热同时注入少数载流子的B-O缺陷"复原"(regeneration)技术有望彻底解决掺硼p型晶体硅太阳电池的LID问题。鉴于掺硼p型晶体硅太阳电池LID及其抑制措施的研究对提高晶体硅太阳电池性能表现的长期稳定性有重要作用,回顾了近年在掺硼p型晶体硅太阳电池LID及其抑制措施方面的研究进展,并对最新发展出的B-O缺陷"复原"技术给予了重点介绍。 展开更多

关键词 晶体硅太阳电池 硼-氧缺陷 光衰 复原

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非晶/微晶相变区硅基薄膜太阳能电池研究进展

9

作者 范闪闪 杨彦斌 +1 位作者 于威 傅广生 《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2016年第5期468-473,共6页

综述了非晶/微晶相变区硅基薄膜的微观结构、光电特性及其在太阳能电池中的应用进展.稳定优质的宽带隙初始晶硅薄膜处于非晶/微晶相变区的非晶硅一侧,其相比于非晶硅具有更高的中程有序性和更低的光致衰退特性.低缺陷密度的窄带隙纳米... 综述了非晶/微晶相变区硅基薄膜的微观结构、光电特性及其在太阳能电池中的应用进展.稳定优质的宽带隙初始晶硅薄膜处于非晶/微晶相变区的非晶硅一侧,其相比于非晶硅具有更高的中程有序性和更低的光致衰退特性.低缺陷密度的窄带隙纳米晶硅薄膜处于非晶/微晶相变区的微晶硅一侧,有效钝化的纳米硅晶粒具有较高的载流子迁移率和较好的长波响应特性.基于上述相变区硅薄膜材料的叠层电池已经达到13.6%的稳定转换效率.掺锗制备的硅锗薄膜可进一步降低薄膜的带隙宽度,引入相变区硅锗合金薄膜后,三结叠层电池初始效率已经达到16.3%,四结叠层太阳能电池理论效率可以超过20%. 展开更多

关键词 非晶/微晶相变区 中程有序性 光致衰退 叠层电池

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高效晶硅太阳电池的发展与抑制光衰的研究进展 被引量：5

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作者 杨淑云 李宁 +2 位作者 丰云恺 任丽 任丙彦 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2533-2537,共5页

晶硅太阳电池在光伏发电中占有80%以上的市场份额,其科技进步主导着光伏发电的走向。随着晶硅太阳电池光电转换效率的提高,其光衰也随之提高,成为高效晶硅电池科技发展的瓶颈。研究发现,硅中的杂质补偿度和B-O复合体均能造成电池的"... 晶硅太阳电池在光伏发电中占有80%以上的市场份额,其科技进步主导着光伏发电的走向。随着晶硅太阳电池光电转换效率的提高,其光衰也随之提高,成为高效晶硅电池科技发展的瓶颈。研究发现,硅中的杂质补偿度和B-O复合体均能造成电池的"光衰"。利用掺镓硅单晶替代掺硼硅单晶并严格控制硅中的杂质补偿度能够大大抑制光衰,其机理和工艺的研究对高效晶硅电池的发展意义重大。 展开更多

关键词 太阳电池 光衰减 单晶硅 掺杂

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晶体硅太阳电池光衰减现象研究的新进展 被引量：7

11

作者 任先培 程浩然 +1 位作者 何发林 陈朝 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期15-21,共7页

晶体硅太阳电池一直占据光伏市场的主导地位,关于其光衰减的研究也因此受到了广泛关注。综合评述了近年来国内外晶体硅太阳电池光衰减现象的研究进展,介绍了硼氧缺陷、铁硼对以及铜相关的缺陷导致光衰减的基本机制,着重阐述了硼氧缺陷... 晶体硅太阳电池一直占据光伏市场的主导地位,关于其光衰减的研究也因此受到了广泛关注。综合评述了近年来国内外晶体硅太阳电池光衰减现象的研究进展,介绍了硼氧缺陷、铁硼对以及铜相关的缺陷导致光衰减的基本机制,着重阐述了硼氧缺陷的产生率、钝化率以及相应的激活能大小与硼氧含量的关系。最后介绍了减弱或避免光衰减的一些措施。 展开更多

关键词 光衰减 晶体硅太阳电池 硼氧缺陷 铁硼对 铜相关缺陷

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晶硅掺镓抑制太阳电池光致衰减效应的研究 被引量：7

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作者 张三洋 沈鸿烈 +4 位作者 魏青竹 倪志春 邢正伟 姚函妤 吴斯泰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期1100-1105,1114,共7页

采用掺镓晶硅和掺硼晶硅制备的寿命片和太阳电池片分别进行光致衰减实验,用WT-2000少子寿命测试仪和Halm电池电学性能测试仪等研究了它们受光照前后少子寿命和电学性能的变化。发现掺镓单晶寿命片的少子寿命衰减率比掺硼单晶寿命片低50... 采用掺镓晶硅和掺硼晶硅制备的寿命片和太阳电池片分别进行光致衰减实验,用WT-2000少子寿命测试仪和Halm电池电学性能测试仪等研究了它们受光照前后少子寿命和电学性能的变化。发现掺镓单晶寿命片的少子寿命衰减率比掺硼单晶寿命片低50%左右,掺镓单晶PERC电池和掺镓多晶常规电池转换效率的衰减率比掺硼单晶PERC电池和掺硼多晶常规电池分别降低3.41%和0.92%。这些结果表明晶硅太阳电池的光致衰减效应主要是晶硅中少子寿命降低导致的,晶硅掺镓后能有效抑制太阳电池的光致衰减现象。 展开更多

关键词 光致衰减效应 晶硅太阳电池 掺镓晶硅 少子寿命 衰减率

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电注入退火对多晶硅PERC太阳电池性能的影响 被引量：3

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作者 彭嘉琪 沈鸿烈 +4 位作者 魏青竹 倪志春 赵磊 顾浩 王明明 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期117-125,共9页

对掺镓和掺硼的二种多晶硅钝化发射极和背面电池进行了电注入退火研究,分别用Halm电学性能测试仪和量子效率测试仪分析了它们在不同条件处理后的电学性能和外量子效率变化.结果表明,以8.0A的注入电流在260℃的温度下处理2h,有利于促进... 对掺镓和掺硼的二种多晶硅钝化发射极和背面电池进行了电注入退火研究,分别用Halm电学性能测试仪和量子效率测试仪分析了它们在不同条件处理后的电学性能和外量子效率变化.结果表明,以8.0A的注入电流在260℃的温度下处理2h,有利于促进电池由衰减态向再生态转变,电注入退火后电池的转换效率增加了0.83%,在光照5h后比初始值仅衰减了0.61%.电注入退火能有效降低多晶硅钝化发射极和背面电池的光致衰减效应,掺镓多晶硅钝化发射极和背面电池具有更低的光致衰减效应,相比掺硼多晶硅钝化发射极和背面电池光致衰减值降低了约50%. 展开更多

关键词 光电材料 太阳能 电注入退火 多晶硅钝化发射极和背面电池 光致衰减效应

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利用正交实验法探究掺硼p型单晶硅PERC电池的电致复原最优条件 被引量：5

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作者 梁润雄 艾斌 +5 位作者 金井升 叶家兴 张卫民 庞毅聪 何溢懿 沈辉 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期81-89,共9页

为了减小掺硼p型单晶硅PERC电池的光衰,利用正交实验方法对其电注入复原处理条件进行了最优化研究。采用VS-6821M型太阳电池I-V特性测试仪测量PERC电池在复原处理前后及随后12 h光衰过程中效率的变化,以光衰12 h后的效率与复原处理前的... 为了减小掺硼p型单晶硅PERC电池的光衰,利用正交实验方法对其电注入复原处理条件进行了最优化研究。采用VS-6821M型太阳电池I-V特性测试仪测量PERC电池在复原处理前后及随后12 h光衰过程中效率的变化,以光衰12 h后的效率与复原处理前的效率的比值作为衡量复原处理工艺优劣的指标。三水平正交实验结果表明,不论是否考虑交互作用,在所研究的参数范围(10~30 min,140~200℃,6~18 A),电注入复原处理最优条件均为30 min,170℃,18 A。在此基础上,利用五水平正交实验进一步将电注入复原处理的最优条件优化为30 min,175℃,18 A。经最优化条件复原处理的电池相对于复原处理前的初始效率有1%~2%的增益,且电池效率在1 Sun光强、45℃、12 h光衰过程中基本保持稳定,12 h光衰后的效率比初始效率也有约1%的增益。 展开更多

关键词 掺硼直拉单晶硅 PERC电池 光衰 复原 正交实验方法

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光热退火对多晶PERC太阳电池光致衰减效应的影响 被引量：3

15

作者 周肃 贾佳 +3 位作者 王丽婷 黄惜惜 黄国平 李菁楠 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第9期170-175,共6页

针对多晶PERC电池严重的光致衰减问题,研究不同退火方式对多晶PERC太阳电池光诱导衰减效应的影响,通过设计不同退火条件,对退火后的寿命片和电池片光电性能进行系统表征,发现不同退火条件对多晶寿命片和电池片的光衰有较大影响。通过研... 针对多晶PERC电池严重的光致衰减问题,研究不同退火方式对多晶PERC太阳电池光诱导衰减效应的影响,通过设计不同退火条件,对退火后的寿命片和电池片光电性能进行系统表征,发现不同退火条件对多晶寿命片和电池片的光衰有较大影响。通过研究对比确定最佳工艺,可较大程度地抑制多晶PERC太阳电池的光衰效应,同时又不影响电池片的转换效率,为探究抑制多晶PERC太阳电池光衰提供了方法和思路。 展开更多

关键词 退火 光致衰减效应 多晶PERC太阳电池 少子寿命

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n型晶体硅太阳电池光诱导衰减现象研究 被引量：1

16

作者 李能能 马继奎 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第7期540-544,549,共6页

基于n型晶体硅太阳电池,分析了经光辐照后电池各性能参数的变化,探究了n型晶体硅太阳电池光诱导衰减机理。使用工业化设备在大面积（156 mm×156 mm）n型单晶硅片上制备太阳电池。利用太阳光谱模拟仪对制备的太阳电池进行光照处理,... 基于n型晶体硅太阳电池,分析了经光辐照后电池各性能参数的变化,探究了n型晶体硅太阳电池光诱导衰减机理。使用工业化设备在大面积（156 mm×156 mm）n型单晶硅片上制备太阳电池。利用太阳光谱模拟仪对制备的太阳电池进行光照处理,对比各阶段太阳电池电性能参数。结果表明,光照时会导致太阳电池表面减反射膜SiN∶H/Si界面处积聚大量固定电荷,增大界面态密度,破坏电池表面钝化层结构,导致开路电压和短路电流产生较大衰减,35 kWh/m^2光辐照后n型硅太阳电池效率衰减3.6%。在380℃低温退火处理后电池效率基本可恢复到初始状态。内量子效率测试结果表明光辐照后电池短波区域响应减弱,前表面界面效应导致电池效率发生较大衰减。 展开更多

关键词 N型硅 太阳电池 光诱导衰减 光辐照 退火

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烧结曲线对多晶PERC太阳电池光致衰减效应的影响 被引量：1

17

作者 赵磊 沈鸿烈 +3 位作者 勾宪芳 周肃 黄国平 黄青松 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第3期331-337,共7页

针对多晶PERC太阳电池其较大的光衰效应会影响功率输出的问题,研究烧结曲线对多晶PERC太阳电池光致衰减效应的影响。在常规烧结曲线1的基础上通过改变烧结曲线峰值温度位置得到优化烧结曲线2和优化烧结曲线3,然后将双面沉积Al2O3/SiNx... 针对多晶PERC太阳电池其较大的光衰效应会影响功率输出的问题,研究烧结曲线对多晶PERC太阳电池光致衰减效应的影响。在常规烧结曲线1的基础上通过改变烧结曲线峰值温度位置得到优化烧结曲线2和优化烧结曲线3,然后将双面沉积Al2O3/SiNx叠层钝化膜的寿命片和丝网印刷后的多晶PERC电池分别采用不同烧结曲线热处理,最后将样品在70℃、800 W/m2环境下进行45 h光衰处理。结果发现经过烧结曲线1~曲线3处理后的寿命片少子寿命衰减率分别为63%、42%和23%,多晶PERC太阳电池转换效率的衰减率分别为6.46%、3.55%和2.30%,光衰处理后的多晶PERC电池的EL测试结果显示烧结曲线1亮度最小,曲线2次之,曲线3最大。以上结果表明,仅通过烧结炉的烧结曲线优化就可以很明显地减小多晶PERC太阳电池的光致衰减幅度,可为探究抑制多晶PERC太阳电池光致衰减效应的方法提供一种全新的思路。 展开更多

关键词 硅太阳电池 载流子寿命 光致衰减 烧结曲线 PERC太阳电池

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基于不同位置掺硼直拉单晶硅片的PERC电池的原位光衰及电注入复原 被引量：1

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作者 丁思琪 覃诚 +1 位作者 杨宸 艾斌 《中山大学学报（自然科学版）（中英文）》 CAS CSCD 北大核心 2023年第1期115-123,共9页

将1根商业化太阳能级掺硼直拉单晶硅(Cz-Si,Czochralski silicon)棒,从头至尾间隔一定距离切割出5组硅片,采用标准工业化工艺流程将它们制成钝化发射极和背面电池(PERC,passivated emitter and rear cell),然后对其进行了暗退火(200℃,3... 将1根商业化太阳能级掺硼直拉单晶硅(Cz-Si,Czochralski silicon)棒,从头至尾间隔一定距离切割出5组硅片,采用标准工业化工艺流程将它们制成钝化发射极和背面电池(PERC,passivated emitter and rear cell),然后对其进行了暗退火(200℃,30 min)→第1次光衰(45℃,1 sun,12 h)→电注入复原(175℃,18 A,30 min)→第2次光衰(45℃,1 sun,12 h)处理,并对其在处理过程中的性能变化进行了跟踪测试。结果表明,所制备的PERC电池的光衰(LID,light induced degradation)和复原(regeneration)由B-O缺陷的光衰和复原反应起主导作用,而Fe-B对的分解起次要作用。第1次光衰时7.03%~9.69%的效率相对降级率,由B-O缺陷引起的光衰和Fe-B对的分解共同造成;而第2次光衰时0.43%~0.81%的效率相对降级率,由Fe-B对的分解单独造成。电注入复原能够完全钝化PERC电池内部的B-O缺陷,且钝化后的B-O缺陷在第2次光衰条件下是稳定的。由硅棒中部硅片制成的PERC电池具有更高的效率和开路电压以及更低的相对衰减率。此外,光衰和复原处理只影响PERC电池在中长波段的光谱响应。 展开更多

关键词 PERC电池 光致衰减 电注入复原 B-O缺陷

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掺硼直拉单晶硅棒不同位置硅片制备的PERC电池光衰及复原

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作者 袁帅 艾斌 +8 位作者 张卫民 庞毅聪 何溢懿 杨锦 吴浩彬 叶雄新 杨江海 孙小菩 梁学勤 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2020年第6期93-101,共9页

为了探究产业化发射极和背面钝化电池(Passivated Emitter and Rear Cells,简称PERC电池)光衰以及复原随硅片在硅棒位置的变化规律,将一根产业化掺硼直拉单晶硅棒从头至尾每隔一定距离进行切割得到6组硅片。在测量了硼、氧、碳、过渡金... 为了探究产业化发射极和背面钝化电池(Passivated Emitter and Rear Cells,简称PERC电池)光衰以及复原随硅片在硅棒位置的变化规律,将一根产业化掺硼直拉单晶硅棒从头至尾每隔一定距离进行切割得到6组硅片。在测量了硼、氧、碳、过渡金属杂质含量以及少子寿命之后,采用标准化工业过程将它们制成PERC电池。然后,使用太阳电池I-V特性测试仪测量在45℃、1 sun、12 h光衰→100℃、1 sun、24 h复原→45℃、1 sun、12 h再光衰实验中各参数随时间的变化。结果表明,尾部硅片制备的PERC电池的效率、开路电压和短路电流具有最高的复原上升幅度,在第二次光衰时其不仅效率最高而且最初光衰的幅度也较小,这说明100℃、1 sun光强、24 h的复原条件足以让PERC电池内部的硼氧缺陷近乎完全失活。第二次光衰时效率在初始阶段的小幅光衰可归因于未达到复原状态的硼氧缺陷所致,也证明了达到复原状态的硼氧缺陷具有很好的抗光衰性能。 展开更多

关键词 掺硼直拉单晶硅 PERC电池 光致衰减 复原

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基于1/f噪声表征研究非晶硅薄膜太阳电池的光致退化机理

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作者 程基宽 胡林娜 +3 位作者 何亮 郭永刚 宋志成 屈小勇 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期230-233,共4页

太阳电池的可靠性是决定光伏产品性能与寿命的关键因素,研究表明太阳电池在实际应用过程中的各种退化与可靠性问题都与电池中的缺陷性质密切相关。该文选用1/f噪声对非晶硅薄膜太阳电池中缺陷性质进行表征研究,结果表明非晶硅电池中1/f... 太阳电池的可靠性是决定光伏产品性能与寿命的关键因素,研究表明太阳电池在实际应用过程中的各种退化与可靠性问题都与电池中的缺陷性质密切相关。该文选用1/f噪声对非晶硅薄膜太阳电池中缺陷性质进行表征研究,结果表明非晶硅电池中1/f噪声是由带尾态缺陷导致的载流子迁移率涨落所致;通过噪声模型,分析了缺陷在光致衰减(LID)过程中所起的作用;同时与常规电学参量的对比,验证了噪声在表征LID过程中的有效性与灵敏性。 展开更多

关键词 非晶硅薄膜太阳电池 带尾态缺陷 光致衰减 1/f噪声

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