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干法刻蚀和氢等离子体处理制备增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT特性
被引量：
1
1
作者
冯玉昆
于国浩
+4 位作者
吴冬东
杜仲凯
张炳良
李新宇
张宝顺
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第12期932-936,985,共6页
增强型p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅与源漏之间的沟道特性对器件性能具有重要的影响。在同一晶圆衬底上,采用干法刻蚀和氢等离子体处理栅与源、漏之间的p-GaN,制备增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT。对器件静态、动态特性...
增强型p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅与源漏之间的沟道特性对器件性能具有重要的影响。在同一晶圆衬底上,采用干法刻蚀和氢等离子体处理栅与源、漏之间的p-GaN,制备增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT。对器件静态、动态特性和栅极漏电特性进行研究,采用两种方法制备的器件均具有较高的击穿电压(>850 V@10μA/mm)。通过氢等离子体处理制备的器件的方块电阻较大,导致输出电流密度较低,在动态特性和栅极漏电方面具有明显的优势,氢等离子体处理技术提高了界面态的缺陷激活能,从而实现了较低的栅极反向漏电。
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关键词
高电子迁移率晶体管(H
e
MT)
ALGAN/GAN异质结
p-GaN栅
增强型
栅漏电
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职称材料
提高线路绝缘子防污闪及抗泄漏性能的新方法
被引量：
24
2
作者
李晓峰
李正瀛
+3 位作者
陈俊武
王燕
张国胜
J.M.K.MacAlpine
《电网技术》
EI
CSCD
北大核心
2001年第10期69-72,共4页
文章介绍了通过在传统的瓷质或玻璃线路绝缘子的铁帽底部加装一表面覆盖硅橡胶的金属环 片的新方法，可以使绝缘子表面电场分布更均匀，以提高起晕和闪络电压；使电场方 向更垂直于绝缘子上表面，以抑制放电的发展；同时金属环片外 ...
文章介绍了通过在传统的瓷质或玻璃线路绝缘子的铁帽底部加装一表面覆盖硅橡胶的金属环 片的新方法，可以使绝缘子表面电场分布更均匀，以提高起晕和闪络电压；使电场方 向更垂直于绝缘子上表面，以抑制放电的发展；同时金属环片外 表面覆盖的具有良好防污性能的硅橡胶材料可以极大地增加爬电距离，降低泄漏电流和提高 闪络电压。实验结果和理论分析相吻合，证实了采用该方法改进后的新型绝缘子的优良性 能。经１０克／升的氯化钠溶液充分浸泡后，新型绝缘子的干污闪电压比普通绝缘子至少提高 了１７０％，起晕电压提高了近７０％，泄漏电流减少了近３０％。
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关键词
输电线路
绝缘子
防污闪
抗泄漏性能
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职称材料
题名
干法刻蚀和氢等离子体处理制备增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT特性
被引量：
1
1
作者
冯玉昆
于国浩
吴冬东
杜仲凯
张炳良
李新宇
张宝顺
机构
桂林理工大学理学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
苏州能屋电子科技有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第12期932-936,985,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61774014,12164013)
中国科学院青年创新促进会资助项目(20200321)。
文摘
增强型p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅与源漏之间的沟道特性对器件性能具有重要的影响。在同一晶圆衬底上,采用干法刻蚀和氢等离子体处理栅与源、漏之间的p-GaN,制备增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT。对器件静态、动态特性和栅极漏电特性进行研究,采用两种方法制备的器件均具有较高的击穿电压(>850 V@10μA/mm)。通过氢等离子体处理制备的器件的方块电阻较大,导致输出电流密度较低,在动态特性和栅极漏电方面具有明显的优势,氢等离子体处理技术提高了界面态的缺陷激活能,从而实现了较低的栅极反向漏电。
关键词
高电子迁移率晶体管(H
e
MT)
ALGAN/GAN异质结
p-GaN栅
增强型
栅漏电
Keywords
high
e
l
e
ctron mobility transistor(H
e
MT)
AlGaN/GaN h
e
t
e
rojunction
p-GaN gat
e
e
-mod
e
gat
e
leakag
e
current
分类号
TN386.3 [电子电信—物理电子学]
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
提高线路绝缘子防污闪及抗泄漏性能的新方法
被引量：
24
2
作者
李晓峰
李正瀛
陈俊武
王燕
张国胜
J.M.K.MacAlpine
机构
华中科技大学电力系
香港理工大学电力系
出处
《电网技术》
EI
CSCD
北大核心
2001年第10期69-72,共4页
文摘
文章介绍了通过在传统的瓷质或玻璃线路绝缘子的铁帽底部加装一表面覆盖硅橡胶的金属环 片的新方法，可以使绝缘子表面电场分布更均匀，以提高起晕和闪络电压；使电场方 向更垂直于绝缘子上表面，以抑制放电的发展；同时金属环片外 表面覆盖的具有良好防污性能的硅橡胶材料可以极大地增加爬电距离，降低泄漏电流和提高 闪络电压。实验结果和理论分析相吻合，证实了采用该方法改进后的新型绝缘子的优良性 能。经１０克／升的氯化钠溶液充分浸泡后，新型绝缘子的干污闪电压比普通绝缘子至少提高 了１７０％，起晕电压提高了近７０％，泄漏电流减少了近３０％。
关键词
输电线路
绝缘子
防污闪
抗泄漏性能
Keywords
lin
e
insulator
corona
pollution flashov
e
r
leakag e current
分类号
TM726 [电气工程—电力系统及自动化]
TM216 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
干法刻蚀和氢等离子体处理制备增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT特性
冯玉昆
于国浩
吴冬东
杜仲凯
张炳良
李新宇
张宝顺
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
提高线路绝缘子防污闪及抗泄漏性能的新方法
李晓峰
李正瀛
陈俊武
王燕
张国胜
J.M.K.MacAlpine
《电网技术》
EI
CSCD
北大核心
2001
24
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职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
统计分析
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