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题名版图邻近效应的高精度标准单元波动检测电路
被引量：1
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作者
胡心仪
林殷茵
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机构
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第10期754-758,共5页
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文摘
随着集成电路的发展,工艺尺寸进一步微缩,工艺波动导致的器件波动对电路性能以及可靠性的影响越来越严重。版图邻近效应就是先进工艺下影响工艺波动的重要因素。为了应对先进工艺下版图邻近效应(LPE)的影响,代工厂需要确立器件波动最小且最优标准单元版图。如何精确测量相同标准单元的不同版图的器件波动具有很大的挑战。提出了一个高分辨率、高速且测试便利的器件波动检测电路,用来对6种优化LPE引入的器件波动影响的标准单元版图进行测试。电路在28 nm工艺上进行了流片验证,电路面积为690μm×350μm,并对全晶圆进行了测试。通过分析NMOS和PMOS的测试结果,对比了不同版图形式应对LPE影响的效果,进而为代工厂设计和优化标准单元版图,尽可能减小LPE引入的器件波动提供参考。
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关键词
工艺波动
版图邻近效应(lpe)
标准单元
阈值电压
压控环形振荡器(VCO)
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Keywords
process variation
layout proximity effect（lpe）
standard cell
threshold voltage
voltage controlled oscillator（VCO）
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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