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功率LIGBT热载流子退化机理及环境温度影响: 1; 作者张艺张春伟 +2 位作者刘斯扬周雷雷孙伟锋《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期255-259,共5页; 研究了横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)的热载流子退化机理及环境温度对其热载流子退化的影响.结果表明,器件的主导退化机制是鸟嘴处大量界面态的产生,从而导致饱和区阳极电流Iasat和线性区阳极电流Ialin存在较大的退化的主要原因,同时,... 展开更多; 关键词横向绝缘栅双极型晶体管环境温度热载流子效应退化; 在线阅读下载PDF 职称材料

500V沟槽阳极LIGBT的设计与优化: 2; 作者邵雷李婷 +1 位作者陈宇贤王颖《北京工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期1153-1157,共5页; 介绍一种双外延绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)结构的沟槽阳极横向绝缘栅双极型晶体管(trenchanode lateral insulated-gate bipolar transistor,TA-LIGBT).沟槽阳极结构使电流在N型薄外延区几乎均匀分布,并减小了元胞面积;双外... 展开更多; 关键词沟槽横向绝缘栅双极晶体管击穿电压导通压降阈值电压特征导通电阻; 在线阅读下载PDF 职称材料

带有p型柱体的三维阳极短路LIGBT结构: 3; 作者王柳敏金锐 +2 位作者徐晓轶谢刚盛况《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期280-285,共6页; 为了有效消除器件的逆阻现象,提出了一种带有p型柱体的三维阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管(SA-LIGBT)结构。p型柱体位于n型缓冲层中,提高了集电极区域的短路电阻,从而使逆阻现象完全消失。另一方面,p型柱体会向漂移区注入更多的空穴,... 展开更多; 关键词三维横向绝缘栅双极型晶体管(ligbt) 阳极短路 p型柱体逆阻效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

超薄顶硅层SOI基新颖阳极快速LIGBT: 4; 作者陈文锁张培建钟怡《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期509-513,555,共6页; 提出一种利用浅槽隔离(STI)技术的超薄顶硅层绝缘体上硅(SOI)基新颖阳极快速横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT),简称STI-SOI-LIGBT。该新结构器件整体构建在顶硅层厚度为1μm、介质层厚度为2μm的SOI材料上,其阳极采用STI和p+埋层结构设计... 展开更多; 关键词绝缘体上硅(SOI) 浅槽隔离(STI) 横向绝缘栅双极型晶体管(ligbt) 负微分电阻(NDR) 功率集成电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名功率LIGBT热载流子退化机理及环境温度影响: 1; 作者张艺张春伟刘斯扬周雷雷孙伟锋; 机构东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心; 出处《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期255-259,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(61204083) 江苏省杰出青年基金资助项目(BK20130021) +3 种基金江苏省"青蓝工程"资助项目江苏省普通高校研究生科研创新计划资助项目(SJLX-0076); 文摘研究了横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)的热载流子退化机理及环境温度对其热载流子退化的影响.结果表明,器件的主导退化机制是鸟嘴处大量界面态的产生,从而导致饱和区阳极电流Iasat和线性区阳极电流Ialin存在较大的退化的主要原因,同时,由于Ialin的分布比Iasat的分布更靠近器件表面,故Ialin的退化比Iasat的退化更严重;而器件沟道区的碰撞电离和热载流子损伤很小,使得阈值电压Vth在应力前后没有明显的退化.在此基础上,进一步研究了环境温度对LIGBT器件的热载流子退化的影响.结果表明,LIGBT呈现正温度系数,且高温下LIGBT的阈值电压会降低,使得相同应力下其电流增大,导致器件碰撞电离的增大,增强了器件的热载流子损伤.; 关键词横向绝缘栅双极型晶体管环境温度热载流子效应退化; Keywords lateral insulated gate bipolar transistor（ligbt） ambient temperature hot-carrier effect degradation; 分类号 TN386.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名500V沟槽阳极LIGBT的设计与优化: 2; 作者邵雷李婷陈宇贤王颖; 机构哈尔滨工程大学信息与通信工程学院; 出处《北京工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期1153-1157,共5页; 基金哈尔滨市科技创新人才研究专项基金资助项目(RC2007QN009016); 文摘介绍一种双外延绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)结构的沟槽阳极横向绝缘栅双极型晶体管(trenchanode lateral insulated-gate bipolar transistor,TA-LIGBT).沟槽阳极结构使电流在N型薄外延区几乎均匀分布,并减小了元胞面积;双外延结构使漂移区耗尽层展宽,实现了薄外延层上高耐压低导通压降器件的设计.通过器件建模与仿真得到最佳TA-LIGBT的结构参数和模拟特性曲线,所设计器件击穿电压大于500 V,栅源电压Vgs=10 V时导通压降为0.2 V,特征导通电阻为123.6 mΩ.cm2.; 关键词沟槽横向绝缘栅双极晶体管击穿电压导通压降阈值电压特征导通电阻; Keywords trench lateral insulated-gate bipolar transistor （ligbt） breakdown voltage forward voltage threshold voltage specific on-resistance; 分类号 TN342.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名带有p型柱体的三维阳极短路LIGBT结构: 3; 作者王柳敏金锐徐晓轶谢刚盛况; 机构浙江大学电气工程学院国网智能电网研究院电工新材料与微电子研究所国家电网公司南通供电公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期280-285,共6页; 基金国家高科技发展研究计划(863计划)资助项目(2014AA052401) 国网科技项目(SGRI-WD-71-14-005); 文摘为了有效消除器件的逆阻现象,提出了一种带有p型柱体的三维阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管(SA-LIGBT)结构。p型柱体位于n型缓冲层中,提高了集电极区域的短路电阻,从而使逆阻现象完全消失。另一方面,p型柱体会向漂移区注入更多的空穴,可以增强通态条件下器件的电导调制效应,降低器件的通态压降。利用三维仿真软件Crosslight-APSYS仿真研究了p型柱体的高度、宽度和长度对逆阻现象以及对器件通态压降和关断速度的影响。结果表明,当p型柱体的高度为1μm,宽度为12μm,长度为20μm时,器件的逆阻现象完全消失。通态压降为1.61 V,关断时间为110.3 ns,而传统结构LIGBT的通态压降为1.56 V,关断时间为2.33μs。; 关键词三维横向绝缘栅双极型晶体管(ligbt) 阳极短路 p型柱体逆阻效应; Keywords three-dimensional lateral insulated gate bipolar transistor（ligbt） anode short circuit p-pillar snap-back; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名超薄顶硅层SOI基新颖阳极快速LIGBT: 4; 作者陈文锁张培建钟怡; 机构重庆中科渝芯电子有限公司中国电子科技集团公司第二十四研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期509-513,555,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61404013) 重庆市基础与前沿研究计划(一般)资助项目(cstc2013jcyj A40060) 重庆市博士后研究人员科研项目特别资助项目(xm2014085); 文摘提出一种利用浅槽隔离(STI)技术的超薄顶硅层绝缘体上硅(SOI)基新颖阳极快速横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT),简称STI-SOI-LIGBT。该新结构器件整体构建在顶硅层厚度为1μm、介质层厚度为2μm的SOI材料上,其阳极采用STI和p+埋层结构设计。新器件STI-SOI-LIGBT的制造方法可以采用半导体工艺生产线常用的带有浅槽隔离工艺的功率集成电路加工技术,关键工艺的具体实现步骤也进行了讨论。器件+电路联合仿真实验说明:新器件STISOI-LIGBT完全消除了正向导通过程中的负微分电阻现象,与常规结构LIGBT相比,正向压降略微增加6%,而关断损耗大幅降低86%。此外,对关键参数的仿真结果说明新器件还具有工艺容差大的设计优点。新器件STI-SOI-LIGBT非常适用于SOI基高压功率集成电路。; 关键词绝缘体上硅(SOI) 浅槽隔离(STI) 横向绝缘栅双极型晶体管(ligbt) 负微分电阻(NDR) 功率集成电路; Keywords silicon on insulator（SOI） shallow trench isolation（STI） lateral insulated gate bipolar transistor（ligbt） negative differential resistance（NDR） power IC; 分类号 TN386.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	操作
1	功率LIGBT热载流子退化机理及环境温度影响	张艺张春伟刘斯扬周雷雷孙伟锋	《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	在线阅读下载PDF 职称材料
2	500V沟槽阳极LIGBT的设计与优化	邵雷李婷陈宇贤王颖	《北京工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	在线阅读下载PDF 职称材料
3	带有p型柱体的三维阳极短路LIGBT结构	王柳敏金锐徐晓轶谢刚盛况	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	在线阅读下载PDF 职称材料
4	超薄顶硅层SOI基新颖阳极快速LIGBT	陈文锁张培建钟怡	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	在线阅读下载PDF 职称材料