铟锡复合氧化物(ITO,Indium and Tin Oxide)膜是铟的主要应用领域。在其制备工艺中,产出大量的ITO废靶需回收处理。研究了硫化沉淀法分离ITO废靶硫酸浸出液中铟、锡的工艺。平衡计算证明了硫化沉淀分离铟、锡的可行性。试验研究了温度...铟锡复合氧化物(ITO,Indium and Tin Oxide)膜是铟的主要应用领域。在其制备工艺中,产出大量的ITO废靶需回收处理。研究了硫化沉淀法分离ITO废靶硫酸浸出液中铟、锡的工艺。平衡计算证明了硫化沉淀分离铟、锡的可行性。试验研究了温度、酸度及反应时间对分离过程的影响,正交试验得出最佳工艺条件:温度323 K,反应时间20 min,溶液起始酸度100 g H2SO4/L。在此条件下,除锡率可达100%,铟在渣中的损失率仅为0.47%。展开更多
采用直流磁控溅射方法在室温下玻璃基板上制备ITO（Indium tin oxide）薄膜，并在真空中不同温度（100℃-400℃）下退火处理。研究了退火对薄膜表面形貌、电光特性的影响。XRD测试发现薄膜在200℃退火后结晶，优选晶向为（222）。随退...采用直流磁控溅射方法在室温下玻璃基板上制备ITO（Indium tin oxide）薄膜，并在真空中不同温度（100℃-400℃）下退火处理。研究了退火对薄膜表面形貌、电光特性的影响。XRD测试发现薄膜在200℃退火后结晶，优选晶向为（222）。随退火温度升高，方块电阻迅速下降，表面更加平整，薄膜在可见光范围平均透过率提高到85％。展开更多
基金Project supported by the Key Special Projects of the Ministry of Science and Technology(China:2021YFE0104300 and Uzbekistan:MUK-2021-45)Project(202302AH360001)supported by the Science Research Project of Yunnan Province,ChinaProject(2021P4FZG09A)supported by the Key Laboratory of Vanadium and Titanium Resources Comprehensive Utilization,China。
文摘铟锡复合氧化物(ITO,Indium and Tin Oxide)膜是铟的主要应用领域。在其制备工艺中,产出大量的ITO废靶需回收处理。研究了硫化沉淀法分离ITO废靶硫酸浸出液中铟、锡的工艺。平衡计算证明了硫化沉淀分离铟、锡的可行性。试验研究了温度、酸度及反应时间对分离过程的影响,正交试验得出最佳工艺条件:温度323 K,反应时间20 min,溶液起始酸度100 g H2SO4/L。在此条件下,除锡率可达100%,铟在渣中的损失率仅为0.47%。
文摘采用直流磁控溅射方法在室温下玻璃基板上制备ITO（Indium tin oxide）薄膜，并在真空中不同温度（100℃-400℃）下退火处理。研究了退火对薄膜表面形貌、电光特性的影响。XRD测试发现薄膜在200℃退火后结晶，优选晶向为（222）。随退火温度升高，方块电阻迅速下降，表面更加平整，薄膜在可见光范围平均透过率提高到85％。
