期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
氮化物外延生长在线监测技术
被引量：
3
1
作者
王超
张泽展
+6 位作者
陈磊
王飞
胡俊
梁莹林
姜晶
杨萍
马铁中
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期650-658,共9页
金属有机化学气相沉积外延技术(MOCVD)是利用金属有机化合物进行金属输运的一种气相外延生长技术,是大规模生产第三代半导体光电子、微电子器件的重要方法,也是制备半导体异质结、超晶格、量子阱等低维结构的主要手段。第三代半导体材...
金属有机化学气相沉积外延技术(MOCVD)是利用金属有机化合物进行金属输运的一种气相外延生长技术,是大规模生产第三代半导体光电子、微电子器件的重要方法,也是制备半导体异质结、超晶格、量子阱等低维结构的主要手段。第三代半导体材料的飞速发展对MOCVD设备提出了更高的要求,MOCVD在线监测技术作为控制生长过程的前提,面临更多的挑战。该文综合介绍和比较了当今各种MOCVD在线监测技术的发展情况,并对MOCVD在线监测技术中的关键技术——红外测温、生产信息、曲率测量、光致发光做出简要介绍和看法。
展开更多
关键词
曲率测量
生长信息
红外测温
mocvd
在线监测技术
光致发光
在线阅读
下载PDF
职称材料
GaN生长工艺流程实时监控系统
2
作者
王三胜
顾彪
+2 位作者
徐茵
王知学
杨大智
《大连理工大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期701-706,共6页
分析了在 ECR-MOCVD装置上外延生长 Ga N单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响 Ga N结晶质量的主要因素 .在此基础上 ,设计了一套由 80 C31单片机为核心的光电隔离电路和 PC机组成的两级系统 ,用于 Ga N薄膜外延生长的工艺流程监控 ...
分析了在 ECR-MOCVD装置上外延生长 Ga N单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响 Ga N结晶质量的主要因素 .在此基础上 ,设计了一套由 80 C31单片机为核心的光电隔离电路和 PC机组成的两级系统 ,用于 Ga N薄膜外延生长的工艺流程监控 .并提出了一种合适的工艺流程监控策略 ,阐述了如何从软件上确保工艺流程的连续可靠运行 .实践证明 ,软硬件系统设计合理、抗干扰措施完善 ,很好地保证了工艺流程的连续可靠运行 ,实验数据的可靠性和工艺流程的可重复性也大大提高 ,并对类似系统的工艺过程自动化设计具有一定的指导借鉴意义 .
展开更多
关键词
半导体工艺
ECR-
mocvd
外延生长
实时监控
光电隔离
氮化镓
GAN
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
氮化物外延生长在线监测技术
被引量：
3
1
作者
王超
张泽展
陈磊
王飞
胡俊
梁莹林
姜晶
杨萍
马铁中
机构
电子科技大学微电子与固体电子学院
北京智朗芯光科技有限公司
出处
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期650-658,共9页
基金
四川省科技计划(2014GZ0151
2016JQ0022)
中央高校基本科研业务费(ZYGX2013J115)
文摘
金属有机化学气相沉积外延技术(MOCVD)是利用金属有机化合物进行金属输运的一种气相外延生长技术,是大规模生产第三代半导体光电子、微电子器件的重要方法,也是制备半导体异质结、超晶格、量子阱等低维结构的主要手段。第三代半导体材料的飞速发展对MOCVD设备提出了更高的要求,MOCVD在线监测技术作为控制生长过程的前提,面临更多的挑战。该文综合介绍和比较了当今各种MOCVD在线监测技术的发展情况,并对MOCVD在线监测技术中的关键技术——红外测温、生产信息、曲率测量、光致发光做出简要介绍和看法。
关键词
曲率测量
生长信息
红外测温
mocvd
在线监测技术
光致发光
Keywords
curvature measurement
growth information
infrared temperature measurement
in-situ monitoring technology for mocvd
PL
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
GaN生长工艺流程实时监控系统
2
作者
王三胜
顾彪
徐茵
王知学
杨大智
机构
大连理工大学电气工程与应用电子技术系
大连理工大学材料工程系
出处
《大连理工大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期701-706,共6页
基金
国家"8 6 3"项目新材料领域课题 ( 715 -0 11-0 0 33)
国家自然科学基金资助项目 ( 6 9976 0 0 8)
文摘
分析了在 ECR-MOCVD装置上外延生长 Ga N单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响 Ga N结晶质量的主要因素 .在此基础上 ,设计了一套由 80 C31单片机为核心的光电隔离电路和 PC机组成的两级系统 ,用于 Ga N薄膜外延生长的工艺流程监控 .并提出了一种合适的工艺流程监控策略 ,阐述了如何从软件上确保工艺流程的连续可靠运行 .实践证明 ,软硬件系统设计合理、抗干扰措施完善 ,很好地保证了工艺流程的连续可靠运行 ,实验数据的可靠性和工艺流程的可重复性也大大提高 ,并对类似系统的工艺过程自动化设计具有一定的指导借鉴意义 .
关键词
半导体工艺
ECR-
mocvd
外延生长
实时监控
光电隔离
氮化镓
GAN
Keywords
semiconductor
technology
/ECR
mocvd
epitaxy growth
real time
monitoring
photoelectric isolation
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TP277 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氮化物外延生长在线监测技术
王超
张泽展
陈磊
王飞
胡俊
梁莹林
姜晶
杨萍
马铁中
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
GaN生长工艺流程实时监控系统
王三胜
顾彪
徐茵
王知学
杨大智
《大连理工大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
