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太赫兹二极管的研究进展及应用
被引量：
1
1
作者
刘子奕
杨建红
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2014年第8期489-497,共9页
太赫兹器件是太赫兹技术的核心。介绍了肖特基势垒二极管、耿氏二极管、碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)二极管以及隧道渡越时间(TUNNETT)二极管四种典型太赫兹二极管的基本理论、器件结构和关键技术,分析了影响器件性能的主要因素,给出了优...
太赫兹器件是太赫兹技术的核心。介绍了肖特基势垒二极管、耿氏二极管、碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)二极管以及隧道渡越时间(TUNNETT)二极管四种典型太赫兹二极管的基本理论、器件结构和关键技术,分析了影响器件性能的主要因素,给出了优化改进器件性能的措施。阐述并比较了各种太赫兹二极管的特点以及同一种结构不同材料的太赫兹二极管特性,通过对比得出各自的优缺点及适用范围。分类总结了四种不同类型太赫兹二极管的研究进展和它们相应的应用。基于器件结构和先进的半导体材料特性,指出了不同类型太赫兹二极管的未来发展方向,描述了不同类型太赫兹二极管的应用和前景。
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关键词
太赫兹(THz)
肖特基势垒二极管
耿氏二极管
碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)二极管
隧道渡越时间(TUNNETT)二极管
混频器
倍频器
太赫兹源
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职称材料
In0.17Al0.83N/GaN IMPATT二极管的温度特性
2
作者
李秀圣
曹连振
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第12期936-942,共7页
为研究碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管的温度特性,采用Sentaurus软件设计了晶格匹配的In0.17Al0.83N/GaN异质结IMPATT二极管二维结构,利用漂移-扩散模型研究了温度对二极管直流及高频特性的影响,并与GaN同质结IMPATT二极管的温度...
为研究碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管的温度特性,采用Sentaurus软件设计了晶格匹配的In0.17Al0.83N/GaN异质结IMPATT二极管二维结构,利用漂移-扩散模型研究了温度对二极管直流及高频特性的影响,并与GaN同质结IMPATT二极管的温度特性进行了比较。结果表明,温度升高时IMPATT二极管的击穿电压增大,使异质结和同质结IMPATT二极管的射频输出功率密度分别由300 K时的1.62 MW/cm2和1.24 MW/cm2增大至500 K时的1.79 MW/cm2和1.42 MW/cm2。温度升高时二极管雪崩区宽度增大,导致异质结和同质结IMPATT二极管的直流-射频转换效率分别由300 K时的15.4%和12.1%降低至500 K时的14.2%和10.7%。相比之下,In0.17Al0.83N/GaN异质结IMPATT二极管更适合高温工作,取得的研究数据可用于指导毫米波大功率InAlN/GaN异质结IMPATT二极管的设计。
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关键词
In0.17Al0.83N/GaN
二极管
异质结
碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)
温度特性
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职称材料
题名
太赫兹二极管的研究进展及应用
被引量：
1
1
作者
刘子奕
杨建红
机构
兰州大学微电子研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2014年第8期489-497,共9页
文摘
太赫兹器件是太赫兹技术的核心。介绍了肖特基势垒二极管、耿氏二极管、碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)二极管以及隧道渡越时间(TUNNETT)二极管四种典型太赫兹二极管的基本理论、器件结构和关键技术,分析了影响器件性能的主要因素,给出了优化改进器件性能的措施。阐述并比较了各种太赫兹二极管的特点以及同一种结构不同材料的太赫兹二极管特性,通过对比得出各自的优缺点及适用范围。分类总结了四种不同类型太赫兹二极管的研究进展和它们相应的应用。基于器件结构和先进的半导体材料特性,指出了不同类型太赫兹二极管的未来发展方向,描述了不同类型太赫兹二极管的应用和前景。
关键词
太赫兹(THz)
肖特基势垒二极管
耿氏二极管
碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)二极管
隧道渡越时间(TUNNETT)二极管
混频器
倍频器
太赫兹源
Keywords
THz
Schottky barrier
diode
Gunn
diode
impact avalanche transit time （im-patt） diode
tunnel injection
transit
time
（TUNNETT）
diode
mixer
multiplier
THz source
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
In0.17Al0.83N/GaN IMPATT二极管的温度特性
2
作者
李秀圣
曹连振
机构
潍坊学院物理与光电工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第12期936-942,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(11404246)
山东省重点研发计划资助项目(2019GGX101073)。
文摘
为研究碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管的温度特性,采用Sentaurus软件设计了晶格匹配的In0.17Al0.83N/GaN异质结IMPATT二极管二维结构,利用漂移-扩散模型研究了温度对二极管直流及高频特性的影响,并与GaN同质结IMPATT二极管的温度特性进行了比较。结果表明,温度升高时IMPATT二极管的击穿电压增大,使异质结和同质结IMPATT二极管的射频输出功率密度分别由300 K时的1.62 MW/cm2和1.24 MW/cm2增大至500 K时的1.79 MW/cm2和1.42 MW/cm2。温度升高时二极管雪崩区宽度增大,导致异质结和同质结IMPATT二极管的直流-射频转换效率分别由300 K时的15.4%和12.1%降低至500 K时的14.2%和10.7%。相比之下,In0.17Al0.83N/GaN异质结IMPATT二极管更适合高温工作,取得的研究数据可用于指导毫米波大功率InAlN/GaN异质结IMPATT二极管的设计。
关键词
In0.17Al0.83N/GaN
二极管
异质结
碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)
温度特性
Keywords
In0.17Al0.83N/GaN
diode
heterojunction
impact
ionization
avalanche
transit
time
(IMPATT)
temperature characteristic
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
TN313.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
太赫兹二极管的研究进展及应用
刘子奕
杨建红
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2014
1
在线阅读
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职称材料
2
In0.17Al0.83N/GaN IMPATT二极管的温度特性
李秀圣
曹连振
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020
0
在线阅读
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职称材料
已选择
0
条
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引用分析
参考文献
引证文献
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