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Al_(0.3)Ga_(0.7)NMSM紫外探测器研究
被引量：
2
1
作者
成彩晶
司俊杰
+7 位作者
鲁正雄
郭云芝
赵鸿燕
赵岚
丁嘉欣
孙维国
陈志忠
张国义
《红外技术》
CSCD
北大核心
2006年第8期470-473,共4页
用MOCVD生长的未掺杂的n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器。器件在5.3V偏压时暗电流为1nA,在315nm波长处有陡峭的截止边,在1V偏压下305nm峰值波长处探测器的电流响应率为0.023A/W,要进一步提高器件的响应率,方法之一是优化器件的结...
用MOCVD生长的未掺杂的n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器。器件在5.3V偏压时暗电流为1nA,在315nm波长处有陡峭的截止边,在1V偏压下305nm峰值波长处探测器的电流响应率为0.023A/W,要进一步提高器件的响应率,方法之一是优化器件的结构参数,尽量减小叉指电极的宽度。为了检验Au/n-Al0.3Ga0.7N肖特基接触特性,电击穿MSM右边结,由正向I-V特性曲线计算出理想因子n～1.05,零偏势垒高度φB0～1.16eV,表明形成的Au/n-Al0.3Ga0.7N肖特基结较为理想。
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关键词
MSM
暗电流
响应率
光谱响应
理想因子
势垒高度
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职称材料
题名
Al_(0.3)Ga_(0.7)NMSM紫外探测器研究
被引量：
2
1
作者
成彩晶
司俊杰
鲁正雄
郭云芝
赵鸿燕
赵岚
丁嘉欣
孙维国
陈志忠
张国义
机构
中国空空导弹研究院
北京大学物理系
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2006年第8期470-473,共4页
文摘
用MOCVD生长的未掺杂的n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器。器件在5.3V偏压时暗电流为1nA,在315nm波长处有陡峭的截止边,在1V偏压下305nm峰值波长处探测器的电流响应率为0.023A/W,要进一步提高器件的响应率,方法之一是优化器件的结构参数,尽量减小叉指电极的宽度。为了检验Au/n-Al0.3Ga0.7N肖特基接触特性,电击穿MSM右边结,由正向I-V特性曲线计算出理想因子n～1.05,零偏势垒高度φB0～1.16eV,表明形成的Au/n-Al0.3Ga0.7N肖特基结较为理想。
关键词
MSM
暗电流
响应率
光谱响应
理想因子
势垒高度
Keywords
MSM
dark currenh responsivity
photoresponse
idealityfactor
barrier height
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Al_(0.3)Ga_(0.7)NMSM紫外探测器研究
成彩晶
司俊杰
鲁正雄
郭云芝
赵鸿燕
赵岚
丁嘉欣
孙维国
陈志忠
张国义
《红外技术》
CSCD
北大核心
2006
2
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