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气压对VHF-PECVD制备的μc-Si∶H薄膜特性影响的研究
被引量：
14
1
作者
张晓丹
朱锋
+8 位作者
赵颖
侯国付
魏长春
孙建
张德坤
任慧志
薛俊明
耿新华
熊绍珍
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期414-418,共5页
本文主要研究了用VHF PECVD方法制备的不同工作气压的微晶硅薄膜样品。结果表明 :沉积速率随反应气压的增大而逐渐增大 ;光敏性 (光电导 /暗电导 )和激活能测试结果给出了相同的变化规律 ;傅立叶红外测试、X射线衍射和室温微区喇曼谱的...
本文主要研究了用VHF PECVD方法制备的不同工作气压的微晶硅薄膜样品。结果表明 :沉积速率随反应气压的增大而逐渐增大 ;光敏性 (光电导 /暗电导 )和激活能测试结果给出了相同的变化规律 ;傅立叶红外测试、X射线衍射和室温微区喇曼谱的结果都表明了样品的晶化特性 ;
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关键词
V
h
F-PECVD
制备方法
气压
μc-si
:
h
薄膜
微晶硅材料
太阳能电池
光致衰退效应
SWE
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职称材料
RF-PECVD制备微晶硅薄膜的X射线衍射研究
被引量：
3
2
作者
蔡宏琨
张德贤
+4 位作者
何青
赵飞
陶科
席强
孙云
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期545-549,共5页
采用X射线衍射(XRD)技术连续扫描法和薄膜衍射法对RF-PECVD制备的微晶硅薄膜结构进行了研究。改变硅烷浓度和反应功率,控制薄膜的生长速率,已达到制备不同材料的目的。根据硅基薄膜的电学特性和XRD测试,随着反应功率的增加,硅基薄膜的...
采用X射线衍射(XRD)技术连续扫描法和薄膜衍射法对RF-PECVD制备的微晶硅薄膜结构进行了研究。改变硅烷浓度和反应功率,控制薄膜的生长速率,已达到制备不同材料的目的。根据硅基薄膜的电学特性和XRD测试,随着反应功率的增加,硅基薄膜的生长速率不断提高,微晶硅薄膜的晶化程度不断增大。
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关键词
X射线衍射(XRD)
氢化非晶硅(a-Si:
h
)薄膜
氢化微晶硅(
μc-si
:
h
)薄膜
晶粒尺寸
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职称材料
题名
气压对VHF-PECVD制备的μc-Si∶H薄膜特性影响的研究
被引量：
14
1
作者
张晓丹
朱锋
赵颖
侯国付
魏长春
孙建
张德坤
任慧志
薛俊明
耿新华
熊绍珍
机构
南开大学光电子所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期414-418,共5页
基金
国家"973"研究项目 (No .G2 0 0 0 0 2 82 0 2
G2 0 0 0 0 2 82 0 3 )
+1 种基金
教育部重点项目 (No .0 2 167)
"863"项目 (No .2 0 0 2 3 0 3 2 61)资助
文摘
本文主要研究了用VHF PECVD方法制备的不同工作气压的微晶硅薄膜样品。结果表明 :沉积速率随反应气压的增大而逐渐增大 ;光敏性 (光电导 /暗电导 )和激活能测试结果给出了相同的变化规律 ;傅立叶红外测试、X射线衍射和室温微区喇曼谱的结果都表明了样品的晶化特性 ;
关键词
V
h
F-PECVD
制备方法
气压
μc-si
:
h
薄膜
微晶硅材料
太阳能电池
光致衰退效应
SWE
Keywords
very
h
ig
h
frequency plasma en
h
anced c
h
emical vapor deposition (V
h
F-PECVD)
hydrogenated
microcrystalline
silicon
(
μc-si
∶
h
)
Flourier transform infrared (FTIR) spectroscopy
X-ray diffraction
micro-Raman spectroscopy
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
RF-PECVD制备微晶硅薄膜的X射线衍射研究
被引量：
3
2
作者
蔡宏琨
张德贤
何青
赵飞
陶科
席强
孙云
机构
南开大学信息技术科学学院光电子薄膜器件与技术研究所
南开大学信息技术科学学院电子科学与技术系
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期545-549,共5页
基金
国家高技术研究发展计划(863计划)项目(2006AA05Z422)
天津市科技发展计划公关培育项目(06YFGPGX08000)
文摘
采用X射线衍射(XRD)技术连续扫描法和薄膜衍射法对RF-PECVD制备的微晶硅薄膜结构进行了研究。改变硅烷浓度和反应功率,控制薄膜的生长速率,已达到制备不同材料的目的。根据硅基薄膜的电学特性和XRD测试,随着反应功率的增加,硅基薄膜的生长速率不断提高,微晶硅薄膜的晶化程度不断增大。
关键词
X射线衍射(XRD)
氢化非晶硅(a-Si:
h
)薄膜
氢化微晶硅(
μc-si
:
h
)薄膜
晶粒尺寸
Keywords
X-ray diffraction
hydrogenated
amorp
h
ous
silicon
（a-Si：
h
） t
h
in film
hydrogenated
microcrystalline
silicon
（
μc-si
：
h）
t
h
in film
crystalline size
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
气压对VHF-PECVD制备的μc-Si∶H薄膜特性影响的研究
张晓丹
朱锋
赵颖
侯国付
魏长春
孙建
张德坤
任慧志
薛俊明
耿新华
熊绍珍
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
14
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
RF-PECVD制备微晶硅薄膜的X射线衍射研究
蔡宏琨
张德贤
何青
赵飞
陶科
席强
孙云
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
3
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