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协同缓解PBTI和HCI老化效应的输入重排方法: 1; 作者甘应贤易茂祥 +3 位作者张林袁野欧阳一鸣梁华国《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2016年第12期1655-1660,共6页; 文章考虑了晶体管堆叠效应对串联晶体管的信号占空比和开关概率的影响,提出了一种更精确的正偏置温度不稳定性(positive bias temperature instability,PBTI)和热载流子注入(hot carrier injection,HCI)效应的老化模型,并引入综合考虑... 展开更多; 关键词晶体管老化正偏置温度不稳定性(嗍) 热载流子注入(hci)效应堆叠效应占空比开关概率; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于HTO的LDMOS器件结构及其热载流子注入退化研究: 2; 作者邵红李永顺 +2 位作者宋亮金华俊张森《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1582-1590,共9页; 为满足中低压消费电子的市场需求,小尺寸高密度Bipolar-CMOS-DMOS技术得到了蓬勃发展,低损耗和高可靠成为Bipolar-CMOS-DMOS技术中横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor field effect... 展开更多; 关键词横向双扩散金属氧化物半导体场效应管热载流子注入高温氧化层低损耗高可靠性; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于低频噪声的65nm工艺NMOS器件热载流子注入效应分析被引量：4: 3; 作者何玉娟刘远章晓文《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第7期531-536,共6页; 随着器件特征尺寸的缩小,半导体器件受到热载流子注入(HCI)导致的损伤越来越小,采用常用的I-V测试方法很难获得其内部陷阱电荷的准确数据。采用I-V测试和低频噪声测试相结合的方式,分析了65 nm工艺NMOS器件HCI时的特性变化,采用低频噪... 展开更多; 关键词热载流子注入(hci)效应低频噪声金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 界面态陷阱电荷氧化层陷阱电荷; 在线阅读下载PDF 职称材料

高k介质金属栅器件热载流子测试及其失效机理: 4; 作者周昊蔡小五 +1 位作者郝峰赵永《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第4期317-322,共6页; 高k介质金属栅工艺器件的热载流子注入(HCI)效应已经表现出与成熟工艺不同的退化现象和失效机理。对不同栅电压下n型和p型金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)的饱和漏电流退化情况,以及器件的退化效应进行测试和分析。通过分析衬底电流和... 展开更多; 关键词栅电压热载流子注入(hci) 饱和漏电流衰退老化机理; 在线阅读下载PDF 职称材料

CMOS器件热载流子注入老化的SPICE建模与仿真: 5; 作者王正楠张昊李平梁《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第10期902-910,共9页; 为了准确预测芯片电路寿命,建立了一种能成功双向预测CMOS器件寿命和器件老化程度的可靠性模型。结合改进的衬底电流方程、漏源电流和时间变量t,组建了Age(t)模型。通过挑选合适的BSIM4模型参数,联合Age(t)方程构建指数函数关系式,建立... 展开更多; 关键词热载流子注入(hci) 可靠性仿真老化模型模型参数提取 SPICE模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名协同缓解PBTI和HCI老化效应的输入重排方法: 1; 作者甘应贤易茂祥张林袁野欧阳一鸣梁华国; 机构合肥工业大学电子科学与应用物理学院合肥工业大学计算机与信息学院; 出处《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2016年第12期1655-1660,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61371025 61474036 61274036); 文摘文章考虑了晶体管堆叠效应对串联晶体管的信号占空比和开关概率的影响,提出了一种更精确的正偏置温度不稳定性(positive bias temperature instability,PBTI)和热载流子注入(hot carrier injection,HCI)效应的老化模型,并引入综合考虑信号占空比和开关概率的W值,根据W值的大小对输入信号重排序,以减小PBTI和HCI效应引起的电路老化。结果表明:与Hspice仿真结果相比,原有模型的平均误差为3.9%,而文中所提模型的平均误差能减小到1.4%;利用W值排序法进行晶体管输入信号重排序,逻辑门的寿命平均提高11.7%。; 关键词晶体管老化正偏置温度不稳定性(嗍) 热载流子注入(hci)效应堆叠效应占空比开关概率; Keywords transistor aging positive bias temperature instability（PBTI） hot carrier injection（hci）effect stacking effect input signal probability switching activity; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于HTO的LDMOS器件结构及其热载流子注入退化研究: 2; 作者邵红李永顺宋亮金华俊张森; 机构无锡华润上华科技有限公司器件工程部; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1582-1590,共9页; 文摘为满足中低压消费电子的市场需求,小尺寸高密度Bipolar-CMOS-DMOS技术得到了蓬勃发展,低损耗和高可靠成为Bipolar-CMOS-DMOS技术中横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor field effect transistor,LDMOS)设计的重点和难点.本文介绍了一种基于高温氧化层(High Temperature Oxidation layer,HTO)结构的LDMOS,并对其热载流子注入退化机制进行了研究分析,利用高温氧化层结构改善了传统浅槽隔离(Shallow Trench Isolation,STI)结构中氧化物台阶嵌入半导体内部对器件热载流子注入造成的不利影响,提高器件可靠性,同时还缩短了器件导通情况下的电流路径长度,降低损耗.此外本文还提出了对P型体区的工艺优化方法,利用多晶硅作为高能量离子注入的掩蔽层,改善阱邻近效应对器件鲁棒性的影响,同时形成更深的冶金结,可以辅助漂移区杂质离子耗尽,降低漂移区表面电场,在不需要额外增加版次的情况下提高了器件击穿电压.最终得到的基于HTO结构的LDMOS击穿电压为43 V,比导通电阻为9.5 mΩ·mm^(2),线性区电流在10000 s之后的退化量仅为0.87%.; 关键词横向双扩散金属氧化物半导体场效应管热载流子注入高温氧化层低损耗高可靠性; Keywords lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor field effect transistor hot carrier injection high temperature oxidation layer low loss high reliability; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于低频噪声的65nm工艺NMOS器件热载流子注入效应分析被引量：4: 3; 作者何玉娟刘远章晓文; 机构西安电子科技大学微电子学院工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第7期531-536,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61574048,61204112) 广东省省级科技计划项目(2017B090921001,2018A050506044); 文摘随着器件特征尺寸的缩小,半导体器件受到热载流子注入(HCI)导致的损伤越来越小,采用常用的I-V测试方法很难获得其内部陷阱电荷的准确数据。采用I-V测试和低频噪声测试相结合的方式,分析了65 nm工艺NMOS器件HCI时的特性变化,采用低频噪声技术计算出HCI效应前后氧化层陷阱电荷和界面态陷阱电荷变化量,以及栅氧化层附近陷阱密度情况。通过I-V测试方法只能计算出HCI效应诱生的陷阱电荷变化量,对于其陷阱电荷的分布情况却无法计算,而相比于常用的I-V测试方式,低频噪声测试能更准确计算出随HCI后器件界面态陷阱电荷和氧化层陷阱电荷的具体数值及其HCI效应诱生变化值,并计算出氧化层附近的陷阱电荷空间分布情况。; 关键词热载流子注入(hci)效应低频噪声金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 界面态陷阱电荷氧化层陷阱电荷; Keywords hot carrier injection(hci)effect low frequency noise metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET) interface trap charge oxide layer trap charge; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高k介质金属栅器件热载流子测试及其失效机理: 4; 作者周昊蔡小五郝峰赵永; 机构中国科学院大学微电子学院中芯国际集成电路制造(上海)有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第4期317-322,共6页; 基金预研项目(31513040204)。; 文摘高k介质金属栅工艺器件的热载流子注入(HCI)效应已经表现出与成熟工艺不同的退化现象和失效机理。对不同栅电压下n型和p型金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)的饱和漏电流退化情况,以及器件的退化效应进行测试和分析。通过分析衬底电流和栅电流在不同栅电压下的变化趋势对失效机理进行探讨,分析其对饱和漏电流退化的影响。研究结果表明,在高k介质金属栅工艺器件的HCI测试中,器件退化不再是受单一的老化机理影响,而是HCI效应、偏置温度不稳定(BTI)效应综合作用的结果。HCI测试中,在不同测试条件下失效机理也不再唯一。研究结果可为高k介质金属栅工艺下器件可靠性测试中测试条件的选择以及准确的寿命评估提供参考。; 关键词栅电压热载流子注入(hci) 饱和漏电流衰退老化机理; Keywords gate voltage hot carrier injection(hci) saturation leakage current degradation aging mechanism; 分类号 TN306 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名CMOS器件热载流子注入老化的SPICE建模与仿真: 5; 作者王正楠张昊李平梁; 机构上海华虹宏力半导体制造有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第10期902-910,共9页; 文摘为了准确预测芯片电路寿命,建立了一种能成功双向预测CMOS器件寿命和器件老化程度的可靠性模型。结合改进的衬底电流方程、漏源电流和时间变量t,组建了Age(t)模型。通过挑选合适的BSIM4模型参数,联合Age(t)方程构建指数函数关系式,建立了一种可植入EDA工具内的CMOS老化SPICE模型,并提出了可获得精确模型性能的参数提取方法。在静态持续加电条件下,单级器件的仿真结果与实验数据吻合良好,并且表现出对寿命和老化率的良好预测性。采用该模型对由3级反相器组建的环形振荡电路进行动态信号仿真,得到20年后电路输出波形,验证了模型的合理性。; 关键词热载流子注入(hci) 可靠性仿真老化模型模型参数提取 SPICE模型; Keywords hot carrier injection(hci) reliability simulation aging model model parameter extraction SPICE model; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TN302 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	协同缓解PBTI和HCI老化效应的输入重排方法	甘应贤易茂祥张林袁野欧阳一鸣梁华国	《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于HTO的LDMOS器件结构及其热载流子注入退化研究	邵红李永顺宋亮金华俊张森	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于低频噪声的65nm工艺NMOS器件热载流子注入效应分析	何玉娟刘远章晓文	《半导体技术》 CAS 北大核心	2019	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	高k介质金属栅器件热载流子测试及其失效机理	周昊蔡小五郝峰赵永	《半导体技术》 CAS 北大核心	2020	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	CMOS器件热载流子注入老化的SPICE建模与仿真	王正楠张昊李平梁	《半导体技术》 CAS 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料