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题名单晶水平定向凝固法
被引量：1
- 1
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作者
韩杰才
李长青
张明福
左洪波
孟松鹤
姚泰
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机构
哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所
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出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第7期10-15,共6页
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基金
国家"十五"预研计划(41312040401)
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文摘
水平定向凝固法是制备低位错单晶体的重要方法,论述了水平定向凝固法的优点和缺点,并报道了水平定向凝固法的特点,温度分布,以及水平定向凝固法的数字模拟的方面的工作。
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关键词
水平定向凝固法
单晶生长
数字模拟
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Keywords
horizontal bridgman method,single crystal growth,numerical simulation
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分类号
TB332
[一般工业技术—材料科学与工程]
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题名磷锗锌晶体生长技术研究进展
被引量：2
- 2
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作者
赵欣
朱世富
李梦
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机构
中国民用航空飞行学院
四川大学材料科学与工程学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期241-248,260,共9页
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基金
国家自然科学基金资助项目(50732005)
四川省科技厅基金资助项目(2015ZR0034)
+2 种基金
民航局科技创新引导资金资助项目(20150212)
中国民用航空飞行学院科研基金资助项目(J2014-92
Q2012-126)
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文摘
磷锗锌(ZnGeP_2)单晶体是一种性能优异的红外非线性光学晶体材料,被广泛应用于各种先进的光学器件。研究ZnGeP_2晶体的生长方法,对低成本制备大体积、高质量的ZnGeP_2晶体具有重要意义。介绍了ZnGeP_2晶体的结构和应用领域,给出了ZnGeP_2多晶合成与单晶生长技术研究发展的最新动态,并基于晶体生长原理以及生长条件控制方法的差异,综述了水平温度梯度冷凝(HGF)法、液封提拉(LEC)法、高压气相(HPVT)法和垂直布里奇曼(VB)法4种主要的ZnGeP_2单晶体生长方法的优缺点;重点阐述了较成熟的HGF和VB法生长ZnGeP_2晶体的影响因素和研究进展,提出了ZnGeP_2单晶制备技术存在的主要问题和今后的发展方向。
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关键词
磷锗锌(ZGP)单晶体
多晶合成
单晶生长
水平温度梯度冷凝(HGF)法
垂直布里奇曼(VB)法
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Keywords
ZnGeP2（ZGP） single crystal
polycrystal synthesis
crystal growth
horizontal gradient freeze（HGF） method
vertical bridgman（VB） method
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分类号
TN304.26
[电子电信—物理电子学]
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题名新型热电SnSe半导体晶体研究进展
被引量：1
- 3
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作者
金敏
李雨萌
申慧
田甜
徐家跃
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机构
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
上海应用技术大学材料科学与工程学院晶体生长研究所
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出处
《应用技术学报》
2018年第2期100-105,共6页
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基金
国家自然科学基金(51572175)
浙江省自然科学基金(LY17A040012)
+2 种基金
浙江省公益研发项目(2017C31006)
宁波市自然科学基金(2017A610009)
上海市自然科学基金(15ZR1440600)资助
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文摘
SnSe晶体是一种新型Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体热电材料,具有极低的本征热导率和超高的热电优值ZT,因兼具有高性能、环境友好以及成本低廉等综合优势,近些年正成为国际上争相研究的热点。然而SnSe晶体属于层状结构材料且热膨胀性复杂,导致晶体在生长过程中极易出现解理和开裂,难以获得大尺寸晶体。本文对当前国内外几种主流SnSe晶体生长方法进行了归纳,包括水平气相法、垂直布里奇曼法、垂直温度梯度法等,综合评价了各种方法的优缺点。重点介绍了本团队在水平布里奇曼法生长SnSe晶体方面的研究结果,该方法有望成为未来制备高质量、大尺寸SnSe晶体的一种主流技术。此外,还将不同SnSe晶体的热电优值ZT进行了比较,并对其性能波动进行了初步分析。本综述论文将有助于加深人们对SnSe晶体生长特性的认识,并为未来该晶体材料制备和性能研究提供参考。
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关键词
SnSe晶体
热电材料
晶体生长
水平布里奇曼法
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Keywords
SnSe crystal
thermoelectric material
crystal growth
horizontal bridgman method
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分类号
O782
[理学—晶体学]
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题名砷化镓晶体生长设备的发展回顾
被引量：2
- 4
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作者
冯丰
王军红
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机构
天津电子信息职业技术学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期635-639,共5页
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文摘
作为第二代半导体材料的代表,化合物半导体材料GaAs具有许多不同于Si、Ge材料的特性,能够广泛应用于发光器件(激光器,发光二极管)、光探测器(光探测器)以及高频器件等领域。为了充分利用其固有的半导体特性,提高其晶体材料的完整性,优化生产工艺,降低生产成本,国内外的研究人员开发了不同类型的专用于砷化镓单晶材料的生产设备。回顾总结了砷化镓晶体生长设备的发展历程,包括砷化镓材料的合成设备、晶体生长设备,重点介绍了目前成熟的VB、VGF单晶炉的性能特点,对比介绍了业内较为代表的设备类型,展望了砷化镓单晶炉的未来发展趋势。
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关键词
GAAS
单晶
设备
垂直布里奇曼(VB)
水平布里奇曼(hb)
垂直梯度凝固
(VGF)
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Keywords
GaAs
crystal
furnace
vertical bridgman （VB）
horizontal bridgman （hb）
vertical gradient freeze （VGF）
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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题名掺Si补偿Cu高阻n-GaAs单晶
- 5
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作者
武壮文
郑安生
于洪国
赵静敏
袁泽海
张海涛
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机构
国瑞电子材料有限责任公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第11期961-963,987,共4页
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文摘
用水平布里奇曼法(HB法)研制掺Si补偿Cu的n-GaAs高阻单晶。既要提高多晶背景纯度,减少总杂质含量(包括减少掺Cu量和掺Si量,单晶中Cu的质量分数要≤2.00×10-5,Si的质量分数要≤1.00×10-6),又要采用熔体Cu,Si双掺的方法生长单晶,将单晶切片,并划成圆片,然后分组放入炉内在确定温度下和一定时间内进行退火。研制中发现Cu主要集中在晶体表面,导致同一晶片的上部呈p型高阻,而中下部呈n型低阻,退火可使Cu在晶片中均匀分布。
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关键词
掺Si补偿Cu
n型GaAs
高阻
hb法
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Keywords
Si-doped Cu-compensated
n-type GaAs
high-resistance
horizontal bridgman method
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分类号
TN304.053
[电子电信—物理电子学]
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