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High-resolution Image Reconstruction by Neural Network and Its Application in Infrared Imaging
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作者 张楠 金伟其 苏秉华 《Defence Technology(防务技术)》 SCIE EI CAS 2005年第2期177-181,共5页
As digital image techniques have been widely used, the requirements for high-resolution images become increasingly stringent. Traditional single-frame interpolation techniques cannot add new high frequency information... As digital image techniques have been widely used, the requirements for high-resolution images become increasingly stringent. Traditional single-frame interpolation techniques cannot add new high frequency information to the expanded images, and cannot improve resolution in deed. Multiframe-based techniques are effective ways for high-resolution image reconstruction, but their computation complexities and the difficulties in achieving image sequences limit their applications. An original method using an artificial neural network is proposed in this paper. Using the inherent merits in neural network, we can establish the mapping between high frequency components in low-resolution images and high-resolution images. Example applications and their results demonstrated the images reconstructed by our method are aesthetically and quantitatively (using the criteria of MSE and MAE) superior to the images acquired by common methods. Even for infrared images this method can give satisfactory results with high definition. In addition, a single-layer linear neural network is used in this paper, the computational complexity is very low, and this method can be realized in real time. 展开更多
关键词 HIGH resolution reconstruction infrared HIGH frequency component MAE(mean ABSOLUTE error) MSE(mean squared error) neural network linear interpolation Gaussian low-pass filter
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S波段六位高精度移相器设计 被引量:14
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作者 杨小峰 史江义 +1 位作者 马佩军 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期125-129,共5页
采用0.25μmGaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)7-艺设计了一款六位S波段数字移相器.移相器采用高低通和全通网络结构,运用了提高相位精度和抑制级联散射的方法.移相器在0°~360°相位范围内以5.625°步进,在2.1~2.7... 采用0.25μmGaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)7-艺设计了一款六位S波段数字移相器.移相器采用高低通和全通网络结构,运用了提高相位精度和抑制级联散射的方法.移相器在0°~360°相位范围内以5.625°步进,在2.1~2.7GHz频率范围内,最小相位均方根误差仅为1.13°.频带范围内插入损耗小于6.3dB,幅度均衡小于0.4dB,输入输出反射系数小于一10dB. 展开更多
关键词 高电子迁移率晶体管 数字移相器 高低通 相位精度 级联散射抑制
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元件模拟MOSFET-C连续时间滤波器的设计
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作者 郑书铭 奚柏清 《南京邮电学院学报》 北大核心 1993年第2期77-82,共6页
本文在MOGFET-C有源元件的基础上,利用嵌入技术设计出各种元件模拟MOS-FET-c连续时间滤波器及其改进型电路,并导出了全平衡结掏,完善了这类滤波器的设计方法。
关键词 高通滤波器 低通滤波器 有源网络
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0.8~3.2 GHz 6 bit MMIC数字移相器的设计与实现 被引量:1
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作者 王坤 周宏健 +2 位作者 周睿涛 李光超 苏郁秋 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第4期320-324,共5页
基于0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款0.8~3.2 GHz高精度6 bit单片微波集成电路(MMIC)数字移相器。该移相器的5.625°、11.25°和22.5°移相单元采用开关选择型全通/T型低通网络拓扑结构,45°... 基于0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款0.8~3.2 GHz高精度6 bit单片微波集成电路(MMIC)数字移相器。该移相器的5.625°、11.25°和22.5°移相单元采用开关选择型全通/T型低通网络拓扑结构,45°、90°和180°移相单元采用开关选择型全通网络(APN)拓扑结构。通过在APN两侧增加串联电容,在两级APN之间增加高通网络(HPN)及简化APN结构实现了芯片的高移相精度和小型化。移相器驱动单元采用直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL)结构。测试结果表明:在0.8~3.2 GHz频率范围内插入损耗小于18 dB,移相态的均方根(RMS)相位误差小于4.5°,移相寄生调幅小于±1 dB,输入电压驻波比(VSWR)小于1.7,输出VSWR小于1.9。芯片尺寸为5.0 mm×2.0 mm×0.1 mm。 展开更多
关键词 移相器 GaAs 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 超宽带(UWB) 高精度 全通网络(APN) 低通网络(LPN)
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