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10 kV SiC LBD-MOSFET结构设计与特性研究被引量：3: 1; 作者文译陈致宇 +3 位作者邓小川柏松李轩张波《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第4期520-526,共7页; 针对SiC MOSFET体二极管双极退化效应,该文提出了一种集成低势垒二极管的10 kV SiC MOSFET器件新结构(LBD-MOSFET)。该结构通过在一侧基区上方注入N阱,降低了漏源间的电子势垒,从而在元胞中形成一个低势垒二极管(LBD)。当LBD-MOSFET在... 展开更多; 关键词击穿电压栅漏电容低势垒碳化硅第三象限; 在线阅读下载PDF 职称材料

多晶硅薄膜晶体管的栅电容模型被引量：2: 2; 作者邓婉玲《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期178-182,共5页; 多晶硅薄膜晶体管具有独特的栅电容特性,即泄漏区中栅源电容的反常增大和饱和区中栅漏电容由于kink效应的增大。基于Meyer模型,考虑了泄漏产生效应和kink效应,对多晶硅薄膜晶体管的栅漏电容和栅源电容特性进行了建模研究。对实验数据进... 展开更多; 关键词多晶硅薄膜晶体管栅漏电容栅源电容模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

复合多晶硅栅LDMOS的特性研究: 3; 作者洪琪陈军宁 +3 位作者柯导明刘磊高珊刘琦《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期227-230,共4页; 提出了一种应用于射频领域的复合多晶硅栅LDMOS结构(DMG-LDMOS),并给出了工艺实现方法。此结构采用了栅工程的概念,所设计的栅电极由S-栅和D-栅两块电极并列组成,其中,S-栅采用功函数较高的p+多晶硅;D-栅采用功函数较低的n+多晶硅。MED... 展开更多; 关键词复合栅截止频率功函数横向扩散金属氧化物栅源电容栅漏电容; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于有源网络和受控辅助电阻支路的有源电感被引量：1: 4; 作者吕晓强张万荣 +5 位作者谢红云金冬月杨坤王娜温晓伟杜成孝《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第6期436-440,447,共6页; 针对传统共漏-共栅-共源(CD-CG-CS)有源电感的不足,结合有源网络和受控辅助电阻支路,设计了一款具有大电感值,且可在不同频率下获得高Q峰值和在同一频率下对Q峰值进行大范围调谐的新型有源电感。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,利用安捷伦... 展开更多; 关键词共漏-共栅-共源(CD-cg-CS) 有源电感有源网络受控辅助电阻支路高Q值; 在线阅读下载PDF 职称材料

新型低栅源漏电容射频LDMOS器件设计: 5; 作者马荣晶刘斯扬 +1 位作者魏家行孙伟锋《电子器件》 CAS 北大核心 2015年第6期1228-1231,共4页; 为了降低栅源寄生电容C_(gs),提出了一种带有阶梯栅n埋层结构的新型射频LDMOS器件;采用Tsuprem4软件对其进行仿真分析,重点研究了n埋层掺杂剂量和第二阶梯栅氧厚度对栅源寄生电容C_(gs)的影响,并结合传统的射频LDMOS基本结构对其进行优... 展开更多; 关键词射频LDMOS 栅源寄生电容cgs Tsuprem4 优化; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名10 kV SiC LBD-MOSFET结构设计与特性研究被引量：3: 1; 作者文译陈致宇邓小川柏松李轩张波; 机构电子科技大学电子科学与工程学院电子科技大学广东电子工程信息研究院南京电子器件研究所宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室; 出处《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第4期520-526,共7页; 基金国家科技重点研发计划(2017YFB0102302) 广东省自然科学基金(2019A1515012085)。; 文摘针对SiC MOSFET体二极管双极退化效应,该文提出了一种集成低势垒二极管的10 kV SiC MOSFET器件新结构(LBD-MOSFET)。该结构通过在一侧基区上方注入N阱,降低了漏源间的电子势垒,从而在元胞中形成一个低势垒二极管(LBD)。当LBD-MOSFET在第三象限工作时,低的电子势垒使LBD以更低的源漏电压开启,有效避免了体二极管开通所导致的双极退化效应。二维数值分析结果表明,SiC LBD-MOSFET的击穿电压达13.5 kV,第三象限开启电压仅为1.3 V,相比传统结构降低48%,可有效降低器件第三象限导通损耗。同时,由于LBD-MOSFET具有较小的栅漏交叠面积,其栅漏电容仅为1.0 pF/cm^(2),器件的高频优值为194 mΩ·pF,性能相比传统结构分别提升了81%和76%。因此,LBD-MOSFET适用于高频高可靠性电力电子系统。; 关键词击穿电压栅漏电容低势垒碳化硅第三象限; Keywords breakdown voltage gate-source capacitance low barrier diode SiC The third quadrant; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多晶硅薄膜晶体管的栅电容模型被引量：2: 2; 作者邓婉玲; 机构暨南大学信息科学技术学院电子工程系; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期178-182,共5页; 基金广东高校优秀青年创新人才培养计划(育苗工程)(No.LYM10032); 文摘多晶硅薄膜晶体管具有独特的栅电容特性,即泄漏区中栅源电容的反常增大和饱和区中栅漏电容由于kink效应的增大。基于Meyer模型,考虑了泄漏产生效应和kink效应,对多晶硅薄膜晶体管的栅漏电容和栅源电容特性进行了建模研究。对实验数据进行拟合发现,提出的模型与实验数据符合得较好,能准确地预测多晶硅薄膜晶体管的栅电容特性。; 关键词多晶硅薄膜晶体管栅漏电容栅源电容模型; Keywords polysilicon thin film transistors gate-to-drain capacitance gate-to-source capacitance model; 分类号 TN321.5 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名复合多晶硅栅LDMOS的特性研究: 3; 作者洪琪陈军宁柯导明刘磊高珊刘琦; 机构安徽大学电子科学与技术学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期227-230,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(60576066) 安徽省教育厅自然科学研究重点项目(2006kj012a); 文摘提出了一种应用于射频领域的复合多晶硅栅LDMOS结构(DMG-LDMOS),并给出了工艺实现方法。此结构采用了栅工程的概念,所设计的栅电极由S-栅和D-栅两块电极并列组成,其中,S-栅采用功函数较高的p+多晶硅;D-栅采用功函数较低的n+多晶硅。MEDICI对n沟道DMG-LDMOS和n沟道普通LDMOS的模拟结果表明,该结构能够提高器件的沟道载流子速度,从而增加器件的跨导值,并且该结构在提高器件击穿电压的同时还能提高器件的截止频率。; 关键词复合栅截止频率功函数横向扩散金属氧化物栅源电容栅漏电容; Keywords dual-material gate cut-off frequency （ fT ） work function LDMOS gate source capacitance （cgs） gate drain capacitance （cgd）; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于有源网络和受控辅助电阻支路的有源电感被引量：1: 4; 作者吕晓强张万荣谢红云金冬月杨坤王娜温晓伟杜成孝; 机构北京工业大学电子信息与控制工程学院; 出处《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第6期436-440,447,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61574010) 北京市自然科学基金资助项目(4142007 +1 种基金 4122014) 北京市未来芯片技术高精尖创新中心科研基金资助项目(KYJJ2016008); 文摘针对传统共漏-共栅-共源(CD-CG-CS)有源电感的不足,结合有源网络和受控辅助电阻支路,设计了一款具有大电感值,且可在不同频率下获得高Q峰值和在同一频率下对Q峰值进行大范围调谐的新型有源电感。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,利用安捷伦公司的射频电路设计工具ADS软件对其进行仿真验证。仿真结果表明:当调节有源网络偏置时,在2.48~2.87 GHz的工作频带内,取得了10.89~13.16 nH的大电感值,在2.48,2.74和2.87 GHz三个不同频率下,分别取得了9 997,4 015和2 717的高Q峰值。当调节受控辅助电阻支路偏置时,在工作频率为3.10 GHz下,取得了11.65~17.61 n H的大电感值,Q峰值可在616~3 823之间进行大范围调谐。用Cadence Virtuoso工具进行版图设计,新型有源电感的版图面积较小,仅为21.5μm×34.4μm。; 关键词共漏-共栅-共源(CD-cg-CS) 有源电感有源网络受控辅助电阻支路高Q值; Keywords common drain-common gate-common source （CD-cg-CS） active inductor activenetwork controlled auxiliary resistance branch high Q value; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新型低栅源漏电容射频LDMOS器件设计: 5; 作者马荣晶刘斯扬魏家行孙伟锋; 机构东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心; 出处《电子器件》 CAS 北大核心 2015年第6期1228-1231,共4页; 基金港澳台科技合作专项项目(2014DFH10190) 青蓝工程项目和东南大学研究生科研基金项目(YBPY1403); 文摘为了降低栅源寄生电容C_(gs),提出了一种带有阶梯栅n埋层结构的新型射频LDMOS器件;采用Tsuprem4软件对其进行仿真分析,重点研究了n埋层掺杂剂量和第二阶梯栅氧厚度对栅源寄生电容C_(gs)的影响,并结合传统的射频LDMOS基本结构对其进行优化设计。结果表明:这种新型结构与传统的射频LDMOS器件结构相比,使得器件的栅源寄生电容最大值降低了15.8%,截止频率提高了7.6%,且器件的阈值电压和击穿电压可以维持不变。; 关键词射频LDMOS 栅源寄生电容cgs Tsuprem4 优化; Keywords RF LDMOS gate-source parasitic capacitance Tsuprem4 optimization; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	10 kV SiC LBD-MOSFET结构设计与特性研究	文译陈致宇邓小川柏松李轩张波	《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2021	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	多晶硅薄膜晶体管的栅电容模型	邓婉玲	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2011	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	复合多晶硅栅LDMOS的特性研究	洪琪陈军宁柯导明刘磊高珊刘琦	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于有源网络和受控辅助电阻支路的有源电感	吕晓强张万荣谢红云金冬月杨坤王娜温晓伟杜成孝	《半导体技术》 CSCD 北大核心	2017	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	新型低栅源漏电容射频LDMOS器件设计	马荣晶刘斯扬魏家行孙伟锋	《电子器件》 CAS 北大核心	2015	0	在线阅读下载PDF 职称材料