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题名面向低压高频开关应用的功率JFET的功耗
被引量：2
- 1
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作者
田波
吴郁
黄淮
胡冬青
亢宝位
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机构
北京工业大学功率半导体器件与功率集成电路研究室
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出处
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2009年第8期106-110,共5页
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基金
北京市教委科技发展计划资助项目(KM200510005022)
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文摘
提出了一种埋氧化物槽栅双极模式功率JFET(BTB-JFET),其面向低压高频开关应用。首次通过仿真对BTB-JFET、常规的槽栅双极模式JFET(TB-JFET)和槽栅MOSFET(T-MOSFET)等20V级的功率开关器件在高频应用时的功率损耗进行了比较。仿真中借鉴现有的高性能T-MOSFET的结构尺寸,并采用了感性负载电路对器件进行静态以及混合模式的电特性仿真,结果表明,常开型BTB-JFET与TB-JFET相比,零偏压时栅漏电容CGD减小25%;当工作频率为1MHz和2MHz时常开型TB-JFET与T-MOSFET相比总功耗分别降低了14%和19%,而常开型BTB-JFET较TB-JFET的总功耗又进一步降低了6%。仿真结果还表明,在不同工作频率下,常闭型JFET的性能都不如T-MOSFET。样管初步测试结果证明,常开型BTB-JFET与TB-JFET相比,零偏压时栅漏电容CGD减小45%,与仿真结果相一致。
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关键词
槽栅MOSFET
槽栅双极模式JFET
栅漏电容
埋氧化物
功耗
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Keywords
Trench-gate MOSFET, trench-gate bipolar-mode JFET, gate-drain capacitance, buried oxide, power loss
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分类号
TM386.6
[电气工程—电机]
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题名一种改进型CLC电流型谐振逆变器
被引量：1
- 2
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作者
刘教民
李建文
李永刚
杨争艳
张军
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机构
华北电力大学电力系
河北科技大学信息科学与工程学院
河北工业大学计算机科学与软件学院
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出处
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2011年第S1期125-129,共5页
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基金
河北省自然科学基金(E2009000714)资助项目
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文摘
针对电流型谐振逆变器中串联二极管反向过电压和负载槽路参数如何合理匹配的问题,提出了一种改进型CLC电流型谐振逆变器拓扑、通过串联缓冲电感、并联栅漏极电容,功率器件实现零电流开通、零电压关断,抑制了二极管产生浪涌电流;通过开关频率的改变以及三阶CLC负载中电容比例的定量分析,权衡输出电流与负载线圈支路电流大小,确定小容性的工作范围和输出有功功率最大值。试验结果证明所建拓扑的正确性、定量分析的有效性。
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关键词
电流型谐振逆变器
并联栅漏极电容
CLC负载匹配
容性工作范围
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Keywords
Current-source resonant inverter
parallel gate-drain capacitances
CLC load-matching
capacitive operation range
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分类号
TM-55
[电气工程]
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题名多晶硅薄膜晶体管的栅电容模型
被引量：2
- 3
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作者
邓婉玲
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机构
暨南大学信息科学技术学院电子工程系
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出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期178-182,共5页
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基金
广东高校优秀青年创新人才培养计划(育苗工程)(No.LYM10032)
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文摘
多晶硅薄膜晶体管具有独特的栅电容特性,即泄漏区中栅源电容的反常增大和饱和区中栅漏电容由于kink效应的增大。基于Meyer模型,考虑了泄漏产生效应和kink效应,对多晶硅薄膜晶体管的栅漏电容和栅源电容特性进行了建模研究。对实验数据进行拟合发现,提出的模型与实验数据符合得较好,能准确地预测多晶硅薄膜晶体管的栅电容特性。
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关键词
多晶硅薄膜晶体管
栅漏电容
栅源电容
模型
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Keywords
polysilicon thin film transistors
gate-to-drain capacitance
gate-to-source capacitance
model
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分类号
TN321.5
[电子电信—物理电子学]
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题名复合多晶硅栅LDMOS的特性研究
- 4
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作者
洪琪
陈军宁
柯导明
刘磊
高珊
刘琦
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机构
安徽大学电子科学与技术学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期227-230,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(60576066)
安徽省教育厅自然科学研究重点项目(2006kj012a)
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文摘
提出了一种应用于射频领域的复合多晶硅栅LDMOS结构(DMG-LDMOS),并给出了工艺实现方法。此结构采用了栅工程的概念,所设计的栅电极由S-栅和D-栅两块电极并列组成,其中,S-栅采用功函数较高的p+多晶硅;D-栅采用功函数较低的n+多晶硅。MEDICI对n沟道DMG-LDMOS和n沟道普通LDMOS的模拟结果表明,该结构能够提高器件的沟道载流子速度,从而增加器件的跨导值,并且该结构在提高器件击穿电压的同时还能提高器件的截止频率。
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关键词
复合栅
截止频率
功函数
横向扩散金属氧化物
栅源电容
栅漏电容
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Keywords
dual-material gate
cut-off frequency （ fT ）
work function
LDMOS
gate source capacitance （Cgs）
gate drain capacitance （cgd）
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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题名屏蔽栅结构射频功率VDMOSFET研制
被引量：1
- 5
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作者
李飞
刘英坤
邓建国
胡顺欣
孙艳玲
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机构
河北半导体研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期199-202,共4页
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文摘
在台栅垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构基础上,利用常规硅工艺技术,研制出了一种具有屏蔽栅结构的射频功率VDMOSFET器件,在多晶硅栅电极与漏极漂移区之间的氧化层中间加入了多晶硅屏蔽层,大幅度降低了器件的栅漏电容Cgd。研制出的屏蔽栅结构VDMOSFET器件的总栅宽为6 cm、漏源击穿电压为57 V、漏极电流为4.3 A、阈值电压为3.0 V、跨导为1.2 S,与结构尺寸相同、直流参数相近的台栅结构VDMOSFET器件相比,屏蔽栅结构VDMOSFET器件的栅漏电容降低了72%以上,器件在175 MHz、12 V的工作条件下,连续波输出功率为8.4 W、漏极效率为70%、功率增益为10 dB。
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关键词
射频垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管
栅漏电容
栅屏蔽层
台栅结构
屏蔽栅结构
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Keywords
RF vertical double diffused metal oxide semiconductor field effect transistor（VDMOSFET）
gate-drain capacitance
gate shield layer
terraced gate structure
gate shield structure
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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题名150V电荷耦合功率MOSFET的仿真
被引量：1
- 6
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作者
李蕊
胡冬青
金锐
贾云鹏
苏洪源
匡勇
屈静
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机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第12期902-907,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61176071)
教育部博士点学科专项科研基金资助项目(20111103120016)
国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006)
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文摘
电荷耦合是适用于中等电压功率MOSFET设计的先进设计理念之一，该设计思想旨在改善器件阻断态下的电场分布从而提高耐压。针对150V电荷耦合功率MOSFET双外延漂移区（分别为电荷耦合区N1区与非耦合区N2区）电荷匹配问题进行了仿真优化研究，结果表明：N1区和N2区浓度分别约为2．2×10^16cm^-3和4．5×10^15cm。时，电场分布更加均匀、耐压更高，且比导通电阻仅为1．306mQ·cm^2，即击穿电压和比导通电阻间达到最佳匹配。同时，还针对器件不同槽深进行了静态特性和动态特性的整体仿真优化研究，结果表明：槽深在7～9μm时，器件满足耐压要求且击穿电压随双漂移区掺杂浓度匹配程度变化较为平稳。最后，优化结构与传统槽栅MOSFET相比，其栅漏电容和栅电荷大幅降低，器件优值降低了约87％。
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关键词
金属氧化层半导体场效晶体管(MOSFET)
变掺杂
电荷耦合
场板
低栅漏电容
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Keywords
metal oxide semiconductor field effect transistor （MOSFET）
varied doping
chargecoupling
field plate
low gate-drain capacitance
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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