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基于TD-LTE终端的连续时间ΣΔ ADC的设计
1
作者
黄沫
陈弟虎
+2 位作者
叶晖
徐肯
郭建平
《中山大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第5期8-13,共6页
为了降低TD-LTE终端功耗,采用0.13-μm CMOS工艺实现了一款基于TD-LTE终端的连续时间ΣΔADC。采用该ADC的TD-LTE接收机省去了传统接收机中的低通滤波器,节省了功耗。该ADC采用了3阶、3位量化的结构,并用较简单的方法实现了多余环路延迟...
为了降低TD-LTE终端功耗,采用0.13-μm CMOS工艺实现了一款基于TD-LTE终端的连续时间ΣΔADC。采用该ADC的TD-LTE接收机省去了传统接收机中的低通滤波器,节省了功耗。该ADC采用了3阶、3位量化的结构,并用较简单的方法实现了多余环路延迟(ELD)的补偿。该ADC的硅片测试结果显示在TD-LTE的20 MHz带宽下实现了66 dB的动态范围,功耗为25.1 mA。
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关键词
TD-LTE
∑△
ADC
连续时间
多余环路延迟(
eld
)
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职称材料
题名
基于TD-LTE终端的连续时间ΣΔ ADC的设计
1
作者
黄沫
陈弟虎
叶晖
徐肯
郭建平
机构
中山大学理工学院
广州市广晟微电子有限公司
广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院
出处
《中山大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第5期8-13,共6页
基金
国家科技重大专项资助项目(2009ZX03002-004)
广东省战略新兴产业关键技术产业化专项资助项目(2011912004)
文摘
为了降低TD-LTE终端功耗,采用0.13-μm CMOS工艺实现了一款基于TD-LTE终端的连续时间ΣΔADC。采用该ADC的TD-LTE接收机省去了传统接收机中的低通滤波器,节省了功耗。该ADC采用了3阶、3位量化的结构,并用较简单的方法实现了多余环路延迟(ELD)的补偿。该ADC的硅片测试结果显示在TD-LTE的20 MHz带宽下实现了66 dB的动态范围,功耗为25.1 mA。
关键词
TD-LTE
∑△
ADC
连续时间
多余环路延迟(
eld
)
Keywords
TD-LTE
∑△ ADC
continuous time
excess loop delay （eld）
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于TD-LTE终端的连续时间ΣΔ ADC的设计
黄沫
陈弟虎
叶晖
徐肯
郭建平
《中山大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
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