期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
发射极空气桥InGaP/GaAs HBT的DC和RF特性分析
1
作者
申华军
葛霁
+4 位作者
杨威
陈延湖
王显泰
刘新宇
吴德馨
《电子器件》
CAS
2007年第1期1-4,共4页
为抑制电流增益崩塌,提高HBT的热稳定性,研制了发射极空气桥互连结构的HBT晶体管,应用ICCAP提取参数建立VBIC模型,结合模型参数对三种不同结构HBT的DC和RF特性进行比较分析.与引线爬坡互连结构相比,发射极空气桥互连结构HBT的热阻得到改...
为抑制电流增益崩塌,提高HBT的热稳定性,研制了发射极空气桥互连结构的HBT晶体管,应用ICCAP提取参数建立VBIC模型,结合模型参数对三种不同结构HBT的DC和RF特性进行比较分析.与引线爬坡互连结构相比,发射极空气桥互连结构HBT的热阻得到改善,热稳定性提高;与发射极电阻镇流方式相比,发射极空气桥HBT的截止频率(fT)相同,最大振荡频率(fmax)提高,最大稳定功率增益(MSG)高出约5dB.
展开更多
关键词
InGaP/GaAs发射极空气桥互连
热阻
镇流电阻
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
发射极空气桥InGaP/GaAs HBT的DC和RF特性分析
1
作者
申华军
葛霁
杨威
陈延湖
王显泰
刘新宇
吴德馨
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《电子器件》
CAS
2007年第1期1-4,共4页
基金
中国科学院重大创新项目资助"新型高频
大功率化合物半导体电子器件研究(KGCX2-SW-10)"
文摘
为抑制电流增益崩塌,提高HBT的热稳定性,研制了发射极空气桥互连结构的HBT晶体管,应用ICCAP提取参数建立VBIC模型,结合模型参数对三种不同结构HBT的DC和RF特性进行比较分析.与引线爬坡互连结构相比,发射极空气桥互连结构HBT的热阻得到改善,热稳定性提高;与发射极电阻镇流方式相比,发射极空气桥HBT的截止频率(fT)相同,最大振荡频率(fmax)提高,最大稳定功率增益(MSG)高出约5dB.
关键词
InGaP/GaAs发射极空气桥互连
热阻
镇流电阻
Keywords
InGaP/GaAs
emitter air-bridge interconnection
thermal resistance
ballasting resistor
分类号
TN325.3 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
发射极空气桥InGaP/GaAs HBT的DC和RF特性分析
申华军
葛霁
杨威
陈延湖
王显泰
刘新宇
吴德馨
《电子器件》
CAS
2007
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
