小规模在线演化组合电路的ESD主动防护特性 被引量：3

1

作者 满梦华 原亮 +3 位作者 巨政权 常小龙 施威 谢方方 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1077-1082,共6页

利用电磁环境效应实验与行为级失效建模方法，研究了在线演化组合逻辑电路的静电放电（ESD）主动防护特性。首先，基于内进化虚拟重配置技术和笛卡儿遗传编码思想，提出了一种门级在线可重构组合电路系统模型，结合非支配多目标演化算... 利用电磁环境效应实验与行为级失效建模方法，研究了在线演化组合逻辑电路的静电放电（ESD）主动防护特性。首先，基于内进化虚拟重配置技术和笛卡儿遗传编码思想，提出了一种门级在线可重构组合电路系统模型，结合非支配多目标演化算法和演化策略实现了组合电路的多目标演化设计方法。进而，参照国际电工委员会静电放电抗扰度测试标准分析了电路单元的受扰规律并建立了行为级失效模型。最后，选择2位乘法器、2位加法器及北卡罗莱纳微电子中心（MCNC）基准库中的小规模组合逻辑电路为对象，在多种ESD干扰环境下实验证明了演化电路具有高可靠和强容错的主动防护特性。 展开更多

关键词 电磁防护仿生 静电放电(esd) 组合逻辑 演化电路 主动防护

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CMOS集成电路中ESD保护技术研究 被引量：3

2

作者 王翠霞 许维胜 +2 位作者 余有灵 吴启迪 范学峰 《现代电子技术》 2008年第8期1-3,共3页

分析ESD失效的原因和失效模式,针对亚微米CMOS工艺对器件ESD保护能力的降低,从工艺、器件、电路三个层次对提高ESD保护能力的设计思路进行论述。工艺层次上通过增加ESD注入层和硅化物阻挡层实现ESD能力的提高;器件方面可针对电路的特点... 分析ESD失效的原因和失效模式,针对亚微米CMOS工艺对器件ESD保护能力的降低,从工艺、器件、电路三个层次对提高ESD保护能力的设计思路进行论述。工艺层次上通过增加ESD注入层和硅化物阻挡层实现ESD能力的提高;器件方面可针对电路的特点,选择合适的器件(如MOS,SCR,二极管及电阻)达到电路需要的ESD保护能力;电路方面采用栅耦和实现功能较强的ESD保护。 展开更多

关键词 静电放电 失效模式 esd保护电路 栅耦合

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带ESD保护的2.4GHz低噪声放大器的分析与设计 被引量：3

3

作者 张浩 李智群 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期403-409,共7页

分析了静电放电(ESD)保护对源极电感负反馈低噪声放大器(LNA)的输入阻抗匹配和噪声匹配的影响。给出了带ESD保护的低噪声放大器在功耗限定的条件下同时满足功率匹配和噪声匹配的优化方法,基于该方法,采用0.18μm RF CMOS工艺设计了应用... 分析了静电放电(ESD)保护对源极电感负反馈低噪声放大器(LNA)的输入阻抗匹配和噪声匹配的影响。给出了带ESD保护的低噪声放大器在功耗限定的条件下同时满足功率匹配和噪声匹配的优化方法,基于该方法,采用0.18μm RF CMOS工艺设计了应用于无线传感网(WSN)的2.4GHz低噪声放大器。测试结果表明,低噪声放大器噪声系数(NF)为1.69dB,增益为15.2 dB,输入1 dB压缩点和输入三阶截点(IIP3)分别为-8dBm和1dBm,在1.8V电源电压下消耗电流3.1mA。 展开更多

关键词 低噪声放大器(LNA) 静电放电保护(esd) 噪声优化 无线传感网(WSN) 互补金属氧化物半导体(CMOS)

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保护环版图结构对ESD防护器件耐压能力的影响 被引量：5

4

作者 刘畅 黄鲁 张峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期205-209,共5页

基于华润上华0.5μm双极-CMOS-DMOS(BCD)工艺设计制备了不同保护环分布情况下的叉指型内嵌可控硅整流器的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)结构器件,并利用传输线脉冲(TLP)测试比较静电放电(ESD)防护器件的耐压能力。以LDMOS-SCR结... 基于华润上华0.5μm双极-CMOS-DMOS(BCD)工艺设计制备了不同保护环分布情况下的叉指型内嵌可控硅整流器的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)结构器件,并利用传输线脉冲(TLP)测试比较静电放电(ESD)防护器件的耐压能力。以LDMOS-SCR结构为基础,按照16指、8指、4指和2指设置保护环,形成4种不同类型的版图结构。通过器件的直流仿真分析多指器件的开启情况,利用传输线脉冲测试对比不同保护环版图结构的耐压能力。仿真和测试结果表明,改进后的3类版图结构相对于普遍通用的第一类版图结构,二次击穿电流都有所提升,其中每8指设置一个保护环的版图结构二次击穿电流提升了76.36%,其单位面积的鲁棒性能也最好,为相应工艺设计最高耐压值的ESD防护器件提供了参考结构和方法。 展开更多

关键词 静电放电(esd) 版图 保护环 多指器件非均匀开启 传输线脉冲(TLP)测试 耐压能力

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深亚微米混合信号全芯片ESD电路设计 被引量：2

5

作者 纪宗江 李冬梅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期506-509,共4页

随着CMOS工艺的发展,集成电路元件的尺寸持续减小,芯片的静电放电(ESD)保护设计受到了更大的挑战。从系统的角度出发,采用电压域分别保护后通过隔离器件连接的方法完成了对深亚微米芯片ESD保护系统的设计。设计中分析了传统输出端保护... 随着CMOS工艺的发展,集成电路元件的尺寸持续减小,芯片的静电放电(ESD)保护设计受到了更大的挑战。从系统的角度出发,采用电压域分别保护后通过隔离器件连接的方法完成了对深亚微米芯片ESD保护系统的设计。设计中分析了传统输出端保护可能存在的问题,并采用稳妥的方法对输出端进行了保护。这种架构提高了整个芯片的抗ESD能力,节省了芯片面积,达到了对整个芯片提供全方位ESD保护的目的。设计采用TSMC0.18μm工艺,测试结果验证了该设计的有效性。 展开更多

关键词 静电放电 全芯片 混合信号 输出保护 保持结构

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影响ESD荷电器件模型放电电流的关键参数研究 被引量：1

6

作者 邢洁 王明湘 何健 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期349-353,共5页

静电放电峰值电流是基于荷电器件放电模型的放电测试装置中波形验证的关键指标。针对影响放电峰值电流的几个因素:测试探针长度、直径、形状和充电盘绝缘介电层的厚度,研究了这些参数变化对放电峰值电流的影响规律。根据研究结果可调整... 静电放电峰值电流是基于荷电器件放电模型的放电测试装置中波形验证的关键指标。针对影响放电峰值电流的几个因素:测试探针长度、直径、形状和充电盘绝缘介电层的厚度,研究了这些参数变化对放电峰值电流的影响规律。根据研究结果可调整相应参数,保证荷电器件放电模型的测试装置符合测试标准。基于LRC放电电路的等效模型,实验结果给出了到满意的定量或定性解释。 展开更多

关键词 静电放电 荷电器件放电模型 测试探针 LRC模型

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具有ESD防护及过流保护功能的VDMOS设计

7

作者 何建 谭开洲 +6 位作者 陈光炳 徐学良 王建安 谢家雄 任敏 李泽宏 张金平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期612-616,共5页

提出了一种芯片集成实现ESD防护及过流保护功能的VDMOS器件设计。在对电流采样原理分析的基础上,提出了一种适用于功率器件的局域电流采样方法及对应的过流保护电路结构,该方案具有结构简单、低功耗的特点。利用反向串联多晶硅二极管实... 提出了一种芯片集成实现ESD防护及过流保护功能的VDMOS器件设计。在对电流采样原理分析的基础上,提出了一种适用于功率器件的局域电流采样方法及对应的过流保护电路结构,该方案具有结构简单、低功耗的特点。利用反向串联多晶硅二极管实现对VDMOS器件栅氧化层的ESD保护。完成了VDMOS的工艺流程设计,实现了保护电路中各子元件与主功率器件的工艺兼容。二维数值模拟表明:所设计的过流保护电路在室温下能实现38.4 A的限流能力,ESD保护能够达到2 000 V(HBM),能有效提高VDMOS在系统中的稳定性和可靠性。 展开更多

关键词 垂直导电双扩散场效应晶体管(VDMOS) 过流保护 静电放电(esd) 功率器件 可靠性

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0.13μm IC产品MM模式ESD失效机理 被引量：3

8

作者 吴峰霞 申俊亮 蔡斌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第10期786-791,共6页

对静电放电(ESD)测试所得到的失效样品进行了物理失效分析,采用塑封体背面研磨、光发射显微镜(EMMI)从背面抓取热点的方法进行异常现象定位,通过剥层技术查找发生在金属化系统及器件层的各种缺陷,定位发生ESD失效的具体位置,进一步研究... 对静电放电(ESD)测试所得到的失效样品进行了物理失效分析,采用塑封体背面研磨、光发射显微镜(EMMI)从背面抓取热点的方法进行异常现象定位,通过剥层技术查找发生在金属化系统及器件层的各种缺陷,定位发生ESD失效的具体位置,进一步研究ESD失效机理。结果表明:0.13μm硅工艺IC产品芯片ESD失效可发生在任一输入/输出(I/O)管脚与地/电源之间;失效模式主要为金属熔融、介质击穿和MOS管过流烧毁;失效原因为静电压导致I/O与地(GND)之间的ESD保护电路NMOS管漏端击穿烧毁引起大电流,造成金属局部发热达到Al的熔点发生熔融而致短路,I/O与电源之间的过电压造成GND的焊盘发生电压击穿现象。 展开更多

关键词 静电放电（esd） esd保护电路 esd损伤 失效模式 失效机理

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基于130nm SOI工艺数字ASIC ESD防护设计 被引量：3

9

作者 米丹 周昕杰 周晓彬 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第4期279-285,共7页

绝缘体上硅(SOI)工艺具有寄生电容小、速度快和抗闩锁等优点,成为低功耗和高性能集成电路(IC)的首选。但SOI工艺IC更易受自加热效应(SHE)的影响,因此静电放电(ESD)防护设计成为一大技术难点。设计了一款基于130 nm部分耗尽型SOI(PD-SOI... 绝缘体上硅(SOI)工艺具有寄生电容小、速度快和抗闩锁等优点,成为低功耗和高性能集成电路(IC)的首选。但SOI工艺IC更易受自加热效应(SHE)的影响,因此静电放电(ESD)防护设计成为一大技术难点。设计了一款基于130 nm部分耗尽型SOI(PD-SOI)工艺的数字专用IC(ASIC)。针对SOI工艺ESD防护设计难点,进行了全芯片ESD防护原理分析,通过对ESD防护器件、I/O管脚ESD防护电路、电源钳位电路和ESD防护网络的优化设计,有效减小了SHE的影响。该电路通过了4.5 kV人体模型ESD测试,相比国内外同类电路有较大提高,可以为深亚微米SOI工艺IC ESD防护设计提供参考。 展开更多

关键词 深亚微米 绝缘体上硅(SOI)工艺 全芯片 静电放电(esd)防护 电源钳位 人体模型

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SiGe工艺中HBT结构ESD保护电路设计

10

作者 王邦麟 苏庆 +2 位作者 金峰 李平梁 徐向明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期653-657,共5页

为有效控制生产成本,减少工艺步骤,提出了在SiGe工艺中,用SiGe异质结双极型晶体管(HBT)代替传统二极管来实现静电放电(ESD)保护的方案。通过设计不同的HBT器件的版图结构,以及采取不同的端口连接方式,对HBT单体结构防护ESD的能力强弱和... 为有效控制生产成本,减少工艺步骤,提出了在SiGe工艺中,用SiGe异质结双极型晶体管(HBT)代替传统二极管来实现静电放电(ESD)保护的方案。通过设计不同的HBT器件的版图结构,以及采取不同的端口连接方式,对HBT单体结构防护ESD的能力强弱和其寄生电容大小之间的关系进行了比较分析,并从中找出最优化的ESD解决方案。应用于实际电路中的验证结果表明,此方案在ESD防护能力达到人体模型(HBM)2 kV的基础上,I/O(IN/OUT输入输出)端口的寄生电容值可以做到200 fF以下,且此电容值还可通过HBT串联模式进一步降低。 展开更多

关键词 异质结双极型晶体管 锗硅 静电保护 寄生电容 射频

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高压大功率太阳电池阵防静电措施评价试验 被引量：9

11

作者 崔新宇 孙彦铮 +2 位作者 王远征 崔鹏 吕伟 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第10期644-648,共5页

高压大功率太阳电池阵在轨运行期间由于静电放电问题引发故障,会造成太阳电池阵功率的大幅度损失。因此进行了本次评价试验。试验采用在真空环境下通过电子枪模拟空间带电环境,诱使太阳电池阵产生一次放电乃至二次放电。在试验过程中未... 高压大功率太阳电池阵在轨运行期间由于静电放电问题引发故障,会造成太阳电池阵功率的大幅度损失。因此进行了本次评价试验。试验采用在真空环境下通过电子枪模拟空间带电环境,诱使太阳电池阵产生一次放电乃至二次放电。在试验过程中未采取保护措施的参比样品发生二次放电被击穿,而采取保护措施的飞行样品未发生二次放电。通过试验,验证了该高压大功率卫星太阳电池阵的设计是可靠的,所采取的保护措施是有效的。试验取得了圆满的结果。 展开更多

关键词 高压大功率 太阳电池阵 静电放电 保护措施

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基于可控硅整流器的静电放电防护器件延迟特性 被引量：1

12

作者 陈永光 刘进 +2 位作者 谭志良 张希军 李名杰 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期2891-2896,共6页

为提高静电放电(ESD)防护器件的开启速度,减小被保护电路的损伤概率,在0.18μm CMOS混合信号工艺下,研究了结构参数、脉冲幅值对基于可控硅整流器(SCR)的ESD防护器件开启时间的影响。在基区渡越时间的基础上,加上了结电容的影响因素,完... 为提高静电放电(ESD)防护器件的开启速度,减小被保护电路的损伤概率,在0.18μm CMOS混合信号工艺下,研究了结构参数、脉冲幅值对基于可控硅整流器(SCR)的ESD防护器件开启时间的影响。在基区渡越时间的基础上,加上了结电容的影响因素,完善了器件防护延迟模型,当注入脉冲电压值增大到700V时,模型最大误差<0.5ns,在分析快沿脉冲的防护时更符合实际情况。仿真结果表明:当阱间距取5.00μm,N+与P+间隔取0.50μm,SCR的开启时间可降为1ns。此外,在大幅值的脉冲注入下,由于结电容的充电速度加快,SCR的开启也更为迅速。实验结果验证了模型和仿真分析的准确性,在一定程度上增大阱间距的宽度,减小N+与P+的间隔可以缩短SCR的开启时间,为该类型防护器件的设计、参数优化提供了理论依据。 展开更多

关键词 可控硅整流器(SCR) 静电放电(esd)防护器件 延迟特性 快沿脉冲 结构参数 结电容

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静电放电小空间测试装置性能分析与验证实验 被引量：2

13

作者 杜磊 刘卫东 王阳阳 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期2248-2253,共6页

为了满足核辐射条件下静电放电(ESD)瞬态脉冲场小空间测试的需要,基于有源电光调制法研制了一种经济实用的传感器,并利用该传感器搭建了光纤传输式瞬态电场测试装置。在介绍传感器设计与研制过程的基础上,对测试装置的电性能进行了实验... 为了满足核辐射条件下静电放电(ESD)瞬态脉冲场小空间测试的需要,基于有源电光调制法研制了一种经济实用的传感器,并利用该传感器搭建了光纤传输式瞬态电场测试装置。在介绍传感器设计与研制过程的基础上,对测试装置的电性能进行了实验研究。通过频域信号注入实验、方波脉冲注入实验及方波脉冲辐照实验,对测试装置的响应时间以及线性度等指标进行了性能分析;通过ESD脉冲辐照实验,对测试装置性能进行了综合验证。实验结果表明,该测试装置的响应时间<1ns,可用于ns级辐射场测试;其线性度良好,通过调整天线负载电容的取值可以调节测试灵敏度。该测试装置可用于静电放电辐射场的时域测试,能够在小空间测试静电放电瞬态脉冲场。 展开更多

关键词 电光调制 传感器 静电放电(esd) 小空间测试装置 响应时间 瞬态脉冲场

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人体静电对复卷机控制系统的影响 被引量：1

14

作者 李天利 《中国造纸》 CAS 北大核心 2014年第9期48-50,共3页

人体在经过复卷机的控制系统时,人体的静电放电时会对系统的上位机、可编程序控制器和调速装置造成伤害从而影响控制系统的正常工作。本文对人体静电的产生、放电规律以及人体静电的能量进行了分析、计算。实践证明,只要做到有效防护,... 人体在经过复卷机的控制系统时,人体的静电放电时会对系统的上位机、可编程序控制器和调速装置造成伤害从而影响控制系统的正常工作。本文对人体静电的产生、放电规律以及人体静电的能量进行了分析、计算。实践证明,只要做到有效防护,认真执行各项技术措施,人体静电对于复卷机控制系统的影响可以消除。 展开更多

关键词 复卷机 静电放电(esd) 静电防护

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一种用于继电保护的电源钳位静电放电电路 被引量：5

15

作者 唐晓柯 李振国 +1 位作者 郭海兵 王源 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第9期675-679,700,共6页

与消费类电子产品相比,用于继电保护的集成电路(IC)面临着更为严苛的静电放电(ESD)环境,需要高可靠性的电源钳位ESD电路,但这会给芯片带来较大的泄漏功耗。针对继电保护电路的ESD需求,提出了一种低漏电型电源钳位ESD电路,减小了ESD触发... 与消费类电子产品相比,用于继电保护的集成电路(IC)面临着更为严苛的静电放电(ESD)环境,需要高可靠性的电源钳位ESD电路,但这会给芯片带来较大的泄漏功耗。针对继电保护电路的ESD需求,提出了一种低漏电型电源钳位ESD电路,减小了ESD触发模块的电容,有效防止了继电保护下快速上电和高频噪声带来的误触发。利用电流镜结构获得大的等效ESD触发模块电容,保证了泄放晶体管的导通时间。利用钳位二极管技术,减小钳位电路触发模块的泄漏电流。基于标准65 nm CMOS工艺对电源钳位ESD电路进行了流片验证,测试结果表明,人体模型(HBM)ESD防护能力可达4 kV,泄漏电流为25.45 nA。 展开更多

关键词 静电放电(esd) 电源钳位电路 电流镜 继电保护 低漏电

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静电放电辐射场模拟及干扰预测 被引量：11

16

作者 汪项伟 万发雨 +1 位作者 冯超超 范盼 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期3396-3402,共7页

为了深入研究静电放电(ESD)过程及其辐射场情况,解决实验测量数据重复性差、近场辐射场特性难以观测等问题。通过电磁仿真与实验相结合的方法建立ESD模拟器3维电磁模型,验证分析对水平耦合板放电的辐射场特性和受试设备(EUT)的耦合电压... 为了深入研究静电放电(ESD)过程及其辐射场情况,解决实验测量数据重复性差、近场辐射场特性难以观测等问题。通过电磁仿真与实验相结合的方法建立ESD模拟器3维电磁模型,验证分析对水平耦合板放电的辐射场特性和受试设备(EUT)的耦合电压特性。研究发现:对水平耦合板放电的辐射场在放电点有最大电场强度,且电场强度随着与放电点距离的增加而呈现先快后慢的衰减。3维电磁仿真结果表明:ESD辐射场主要通过EUT壳体表面的缝隙和接口耦合到设备内部,耦合电压与测试结果一致。因此在电子设备设计阶段可利用该3维电磁模型对其内部抗扰度进行验证,从而降低电子设备抗干扰研发成本,提高设备ESD抗扰度测试过关率。 展开更多

关键词 静电放电 电磁场测试 电场分布 静电防护 静电放电抗扰度测试 静电放电枪

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半导体器件生产中的静电与防护 被引量：4

17

作者 崔波 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期531-534,共4页

绝大多数半导体器件都是静电敏感器件,而在生产过程中静电又是无处不在的,生产厂必须对静电防护措施给予充分的重视。生产厂应通过对器件采用防静电设计,并在生产过程中对静电采用泄漏、屏蔽和中和等控制原理,采取静电接地、穿戴防静电... 绝大多数半导体器件都是静电敏感器件,而在生产过程中静电又是无处不在的,生产厂必须对静电防护措施给予充分的重视。生产厂应通过对器件采用防静电设计,并在生产过程中对静电采用泄漏、屏蔽和中和等控制原理,采取静电接地、穿戴防静电工作服、使用防静电台面、地面、工具及周转箱、防静电包装袋等措施,建立一个完整的静电防护体系。生产厂还应建立防静电系统的周期测试和监控制度,保证防静电设施起到有效的防护作用,避免和减少器件在生产过程中的静电损伤,交付用户高质量高可靠的产品。 展开更多

关键词 半导体器件 静电损伤 静电放电 防静电措施

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氧化锌压敏电阻静电放电防护性能的测试 被引量：3

18

作者 梁偲偲 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2016年第10期40-42,59,共4页

研究常用静电放电防护器件氧化锌压敏电阻的静电放电防护性能,设计了一套静电放电防护器性能测试方法,搭建相关测试平台。研究了该保护器件及其组合网络对静电放电脉冲的响应规律及特点,分析了动态导通电阻、箝位电压、响应峰值电流等... 研究常用静电放电防护器件氧化锌压敏电阻的静电放电防护性能,设计了一套静电放电防护器性能测试方法,搭建相关测试平台。研究了该保护器件及其组合网络对静电放电脉冲的响应规律及特点,分析了动态导通电阻、箝位电压、响应峰值电流等参数与其静电放电防护能力的关系,并给出了最佳防护方案。该研究为电路设计时选取氧化锌压敏电阻作为静电放电防护器件提供了参考。 展开更多

关键词 静电放电 防护器件 动态导通电阻

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新型瞬变脉冲能量吸收矩阵的静电防护设计及应用 被引量：3

19

作者 杨伊婷 王晶 +3 位作者 龚德权 乔治 周龙早 吴丰顺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第10期808-812,共5页

采用高分子复合纳米电压变阻薄膜与金属电极矩阵构成瞬变脉冲能量吸收矩阵(EAMTP),将其按印刷电路板(PCB)制程内嵌到PCB板夹层中,使PCB板上所有敏感元件从贴装开始就得到保护,实现电子电路静电放电(ESD)的全屏蔽。人体金属模型(HMM)测... 采用高分子复合纳米电压变阻薄膜与金属电极矩阵构成瞬变脉冲能量吸收矩阵(EAMTP),将其按印刷电路板(PCB)制程内嵌到PCB板夹层中,使PCB板上所有敏感元件从贴装开始就得到保护,实现电子电路静电放电(ESD)的全屏蔽。人体金属模型(HMM)测试结果表明,对比普通电路板和两种安装ESD保护分立器件的电路板,内嵌EAMTP的电路板对8 kV的静电脉冲有更快的响应速度和更高的释放效率;人体模型(HBM)测试发现,EAMTP上任意一个ESD保护点都有抗4 000 V静电的能力,任意一个ESD保护点都等同于一个单体的ESD保护元件,既节省了成本也不占用PCB面积。 展开更多

关键词 静电放电(esd) 防护技术 能量吸收矩阵 人体模型(HBM) 人体金属模型(HMM)

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TVS静电抑制器等效电路参数估算及应用 被引量：25

20

作者 罗广孝 崔翔 +3 位作者 张卫东 马海杰 齐磊 李尔平 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第16期204-211,29,共8页

提出一种静电脉冲防护中TVS器件(瞬态电压抑制器)的等效电路模型参数估算方法。基于半导体器件物理机理,考虑器件内建电势、击穿电压、结电容、及半导体的体电阻和封装的杂散电容电感等参数,建立TVS器件等效电路模型。搭建基于50高速测... 提出一种静电脉冲防护中TVS器件(瞬态电压抑制器)的等效电路模型参数估算方法。基于半导体器件物理机理,考虑器件内建电势、击穿电压、结电容、及半导体的体电阻和封装的杂散电容电感等参数,建立TVS器件等效电路模型。搭建基于50高速测量系统的静电波形测试平台,通过电路仿真计算和相关试验的比较证实TVS等效电路模型在静电脉冲防护中的有效性,仿真和试验结果表明,串联电阻和封装杂散电感对静电脉冲的首个尖脉冲幅值具有显著的抑制作用。最后,应用建立的等效电路模型,对特高压变电站保护与控制设备模拟量端口的TVS器件脉冲抑制性能进行预测。 展开更多

关键词 静电放电 TVS模型 高速测量系统 保护和控制设备 交流端口

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