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Effect and mechanism of on-chip electrostatic discharge protection circuit under fast rising time electromagnetic pulse
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作者 Mao Xinyi Chai Changchun +3 位作者 Li Fuxing Lin Haodong Zhao Tianlong Yang Yintang 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第10期44-52,共9页
The electrostatic discharge(ESD)protection circuit widely exists in the input and output ports of CMOS digital circuits,and fast rising time electromagnetic pulse(FREMP)coupled into the device not only interacts with ... The electrostatic discharge(ESD)protection circuit widely exists in the input and output ports of CMOS digital circuits,and fast rising time electromagnetic pulse(FREMP)coupled into the device not only interacts with the CMOS circuit,but also acts on the protection circuit.This paper establishes a model of on-chip CMOS electrostatic discharge protection circuit and selects square pulse as the FREMP signals.Based on multiple physical parameter models,it depicts the distribution of the lattice temperature,current density,and electric field intensity inside the device.At the same time,this paper explores the changes of the internal devices in the circuit under the injection of fast rising time electromagnetic pulse and describes the relationship between the damage amplitude threshold and the pulse width.The results show that the ESD protection circuit has potential damage risk,and the injection of FREMP leads to irreversible heat loss inside the circuit.In addition,pulse signals with different attributes will change the damage threshold of the circuit.These results provide an important reference for further evaluation of the influence of electromagnetic environment on the chip,which is helpful to carry out the reliability enhancement research of ESD protection circuit. 展开更多
关键词 fast rising time electromagnetic pulse damage effect electrostatic discharge protection circuit damage location prediction
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Assessment of electrostatic discharge sensitivity of nitrogen-rich heterocyclic energetic compounds and their salts as high energy-density dangerous compounds:A study of structural variables
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作者 Mohammad Hossein Keshavarz Sedigheh Heydari Bani +1 位作者 Reza Bakhtiari Seyyed Hesamodin Hosseini 《Defence Technology(防务技术)》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第9期15-22,共8页
Nitrogen-rich heterocyclic energetic compounds(NRHECs)and their salts have witnessed widespread synthesis in recent years.The substantial energy-density content within these compounds can lead to potentially dangerous... Nitrogen-rich heterocyclic energetic compounds(NRHECs)and their salts have witnessed widespread synthesis in recent years.The substantial energy-density content within these compounds can lead to potentially dangerous explosive reactions when subjected to external stimuli such as electrical discharge.Therefore,developing a reliable model for predicting their electrostatic discharge sensitivity(ESD)becomes imperative.This study proposes a novel and straightforward model based on the presence of specific groups(-NH_(2) or-NH-,-N=N^(+)-O^(-)and-NNO_(2),-ONO_(2) or-NO_(2))under certain conditions to assess the ESD of NRHECs and their salts,employing interpretable structural parameters.Utilizing a comprehensive dataset comprising 54 ESD measurements of NRHECs and their salts,divided into 49/5 training/test sets,the model achieves promising results.The Root Mean Square Error(RMSE),Mean Absolute Error(MAE),and Maximum Error for the training set are reported as 0.16 J,0.12 J,and 0.5 J,respectively.Notably,the ratios RMSE(training)/RMSE(test),MAE(training)/MAE(test),and Max Error(training)/Max Error(test)are all greater than 1.0,indicating the robust predictive capabilities of the model.The presented model demonstrates its efficacy in providing a reliable assessment of ESD for the targeted NRHECs and their salts,without the need for intricate computer codes or expert involvement. 展开更多
关键词 electrostatic discharge sensitivity Heterocyclic energetic compounds containing azole compound Interpretable structural parameter Safety
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Electrostatic Discharge Effects on the High-voltage Solar Array 被引量:2
3
作者 YUAN Qingyun SUN Yongwei CAO Hefei LIU Cunli 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期2392-2397,共6页
A certain number of charges are deposited on the surface of high-voltage solar array because of effects of space plasma,high-energy charged particles,and solar illumination,hence the surface is charged.Phenomena of el... A certain number of charges are deposited on the surface of high-voltage solar array because of effects of space plasma,high-energy charged particles,and solar illumination,hence the surface is charged.Phenomena of electrostatic discharge(ESD) occur on the surface when the deposited charges exceed a threshold amount.In this paper,the mechanism of this ESD is discussed.The ground simulation experiment of the ESD using spacecraft material under surface charging is described,and a novel ESD protecting method for high-voltage solar array,i.e.an active protecting method based on the local strong electric field array is proposed.The results show that the reversal potential gradient field between the cover surface and the substrate materials of high-voltage solar array is a triggering factor for the ESD on the array.The threshold voltage for the ESD occurring on the surface is about 500 V.The charged particles could be deflected using the electric field active protecting method,and hence the ESD on the surface is avoided even when the voltage on the conductor array increases to a certain value.These results pave the way for further developing the protecting measures for high-voltage solar arrays. 展开更多
关键词 静电放电 太阳电池阵 太阳能电池阵列 电效应 高能带电粒子 表面充电 高压 保护方法
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基于工业数据挖掘的ESD软失效分析
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作者 刘祖耀 张海贝 +3 位作者 颜志强 汪中博 司立娜 刘路 《现代电子技术》 北大核心 2024年第10期69-72,共4页
针对电子产品出货后出现ESD软失效而导致的退货现象,文章通过机器学习算法分析产品ICT电性能测试参数、生产线ESD防护监控数据和产品ESD软失效的相关性。集成算法模型经过优化,分类准确率达到0.88,可以用于量产电子产品的ESD软失效的识... 针对电子产品出货后出现ESD软失效而导致的退货现象,文章通过机器学习算法分析产品ICT电性能测试参数、生产线ESD防护监控数据和产品ESD软失效的相关性。集成算法模型经过优化,分类准确率达到0.88,可以用于量产电子产品的ESD软失效的识别和出货风险管控。同时,利用ESD防护监控点风险指数数据集可以提高产品ESD软失效的识别准确率(8.6%)。安装部署基于物联网技术的静电放电防护监控系统,对管控电子产品生产过程中的ESD软失效风险以及控制出货风险是很有帮助的,可以提高电子制造业防静电管控的智慧化水平。 展开更多
关键词 esd软失效 工业数据挖掘 在线测试仪(ICT) 电性能测试 静电放电 监控系统
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基于尖端放电技术的接触式航空静电喷雾系统
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作者 张亚莉 李万坚 +3 位作者 兰玉彬 黄鑫荣 王林琳 沈卫国 《农机化研究》 北大核心 2025年第11期177-183,共7页
为了提高多旋翼植保无人机喷洒作业的雾滴沉积效果,研发适用于单药箱的多旋翼植保无人机在南方柑橘园的航空静电喷雾系统。基于尖端放电技术理论,提出并设计了“正极-空气-地面-靶标-雾滴-负极”电荷回路的单极性接触式静电喷雾系统。... 为了提高多旋翼植保无人机喷洒作业的雾滴沉积效果,研发适用于单药箱的多旋翼植保无人机在南方柑橘园的航空静电喷雾系统。基于尖端放电技术理论,提出并设计了“正极-空气-地面-靶标-雾滴-负极”电荷回路的单极性接触式静电喷雾系统。在室内试验验证静电喷雾系统采用尖端放电“接地”的可行性,以及搭载于全丰3WQFDP-18植保无人机开展静电喷雾与非静电喷雾的田间喷洒试验。室内试验结果显示:当静电喷雾系统不存在电荷回路时,靶标的背面沉积效果差;当采用尖端放电间接“接地”或直接接地时,靶标的背面雾滴沉积效果良好,论证了电荷回路的存在和利用尖端放电技术实现“接地”的可行性。田间对比试验结果表明,在低空低速的作业参数下采用航空静电喷雾在果树各层的雾滴沉积均高于非静电喷雾,尤其靶标背面的沉积,上、中、下层增幅分别达到162.5%、208.1%、371.43%,验证了基于尖端放电的航空静电喷雾在柑橘树喷洒中的沉积效果优于非静电喷雾。采用基于尖端放电“接地”的航空静电喷雾系统可有效提高航空植保作业的雾滴沉积效果,为航空静电喷雾系统的研究提供了参考。 展开更多
关键词 植保无人机 静电喷雾 尖端放电 雾滴沉积 柑橘树
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一种新的BMM-ESD电流解析式计算方法 被引量:6
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作者 周峰 徐丹 +4 位作者 黄久生 高攸纲 刘素玲 王喜芹 汪朗峰 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期62-64,142,共4页
为进一步发展BMM-ESP电流的电路建模求解法,分析了静电放电测试环境在实际放电测试过程中的寄生参量并建立了一个9元件ESD电路模型,求得了电流在复频域的表达式,进而通过拉普拉斯反变换解得了BMM-ESD电流时域解析式。计算验证了实测BMM-... 为进一步发展BMM-ESP电流的电路建模求解法,分析了静电放电测试环境在实际放电测试过程中的寄生参量并建立了一个9元件ESD电路模型,求得了电流在复频域的表达式,进而通过拉普拉斯反变换解得了BMM-ESD电流时域解析式。计算验证了实测BMM-ESD电流复频域表达式极点分布的规律:共6个极点都位于复频域的左半平面,含2对共轭复数和2个实数,从而概括出BMM-ESD电流时域解析式的一般形式。算例表明,电流解析式符合IEC规定,吻合实测波形,尤其能够有效描述实际ESD波形中常见的非标准现象:位于第1峰值与第2峰值间的寄生振荡。 展开更多
关键词 静电放电 电路模型 寄生振荡 拉普拉斯反变换 解析式 计算
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ESD发生器开关动作对抗扰度试验的影响 被引量:5
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作者 贺其元 刘尚合 +1 位作者 孙国至 陈京平 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期93-96,共4页
分析了人体-金属静电放电(ESD)发生器开关动作的基本过程;说明了在ESD抗扰度试验中ESD发生器开关动作的影响。通过空气放电模拟测试装置测量并记录了ESS-200 AX、SANKI NS61000-2A和NSG-435 3种ESD发生器开关动作的影响。由小环耦合电... 分析了人体-金属静电放电(ESD)发生器开关动作的基本过程;说明了在ESD抗扰度试验中ESD发生器开关动作的影响。通过空气放电模拟测试装置测量并记录了ESS-200 AX、SANKI NS61000-2A和NSG-435 3种ESD发生器开关动作的影响。由小环耦合电压的测量研究了ESD发生器开关动作产生的辐射场。结果表明,使用不同的ESD发生器开关动作的影响程度不一样,且使用相同的ESD发生器开关闭合和开关释放的影响存在差异。对小环耦合电压的频谱分析表明,开关动作会产生频谱范围较宽的电磁骚扰,影响对高速逻辑器件的ESD抗扰度试验。在进行ESD抗扰度试验时,需考虑ESD辐射场,尤其需要降低或控制ESD发生器开关动作产生的辐射场。 展开更多
关键词 静电放电 开关 耦合 辐射场 频谱 抗扰度试验
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ESD辐射场的计算及对传输线的耦合研究 被引量:11
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作者 周星 魏光辉 张希军 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期670-673,共4页
为分析静电放电的辐射场及其对传输线与负载终端的影响,采用了一种基于脉冲函数的静电放电电流波形解析表达式计算了静电放电电磁脉冲辐射场并给出了近场和远场波形。结果表明放电电场包括由初始电荷引起的静电场和由放电电流引起的辐射... 为分析静电放电的辐射场及其对传输线与负载终端的影响,采用了一种基于脉冲函数的静电放电电流波形解析表达式计算了静电放电电磁脉冲辐射场并给出了近场和远场波形。结果表明放电电场包括由初始电荷引起的静电场和由放电电流引起的辐射场,在放电电极附近,静电场远大于辐射场,但静电场随空间距离衰减得很快,在远区场主要由放电电流引起的辐射场。利用传输线理论建立静电放电场对电长导线的耦合计算模型得出了静电放电辐射场在线上的感应电压和感应电流计算方程。 展开更多
关键词 静电放电(esd) 电磁脉冲(EMP) 近场 远场 传输线 耦合
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高频小功率硅双极器件ESD潜在失效的无损检测方法 被引量:6
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作者 杨洁 殷中伟 +2 位作者 张希军 王振兴 武占成 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期164-169,共6页
目前国内外研究人员多集中于研究MOS器件和GaAs器件的静电放电(ESD)潜在性失效,而对高频小功率硅双极晶体管的静电放电潜在性失效则研究较少。为此,参考国内外研究人员的研究结果,选择采用高温反偏法、低频噪声法以及电参数测量法来对... 目前国内外研究人员多集中于研究MOS器件和GaAs器件的静电放电(ESD)潜在性失效,而对高频小功率硅双极晶体管的静电放电潜在性失效则研究较少。为此,参考国内外研究人员的研究结果,选择采用高温反偏法、低频噪声法以及电参数测量法来对高频小功率硅双极晶体管静电放电潜在性失效的无损检测方法进行了较为细致的分析研究。通过详细比较后可以确定,高温反偏法和低频噪声法均不能用来检测高频小功率硅双极晶体管的静电放电失效,也就更不能用来检测判别此类器件的静电放电潜在性失效。最后,通过对多个电参数的测量与对比发现,高频小功率硅双极晶体管集电极-基极反偏结漏电流的大范围变化可以表征此类器件静电放电潜在性失效的存在。 展开更多
关键词 静电放电(esd) 潜在性失效 硅双极晶体管 检测方法 高频小功率 低频噪声 漏电流
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纳米尺度超低漏电ESD电源钳位电路研究 被引量:2
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作者 王源 张雪琳 +3 位作者 曹健 陆光易 贾嵩 张钢刚 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期595-599,共5页
提出一种新型超低漏电ESD电源钳位电路。该电路采用具有反馈回路的ESD瞬态检测电路,能够减小MOS电容栅极–衬底之间电压差,降低电路的泄漏电流,抑制ESD泄放器件的亚阈值电流。65 nm CMOS工艺仿真结果表明,在电路正常上电时,泄漏电流只有... 提出一种新型超低漏电ESD电源钳位电路。该电路采用具有反馈回路的ESD瞬态检测电路,能够减小MOS电容栅极–衬底之间电压差,降低电路的泄漏电流,抑制ESD泄放器件的亚阈值电流。65 nm CMOS工艺仿真结果表明,在电路正常上电时,泄漏电流只有24.13 nA,比传统ESD电源钳位电路的5.42μA降低两个数量级。 展开更多
关键词 静电放电 泄漏电流 电源钳位电路 亚阈值电流
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小规模在线演化组合电路的ESD主动防护特性 被引量:3
11
作者 满梦华 原亮 +3 位作者 巨政权 常小龙 施威 谢方方 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1077-1082,共6页
利用电磁环境效应实验与行为级失效建模方法,研究了在线演化组合逻辑电路的静电放电(ESD)主动防护特性。首先,基于内进化虚拟重配置技术和笛卡儿遗传编码思想,提出了一种门级在线可重构组合电路系统模型,结合非支配多目标演化算... 利用电磁环境效应实验与行为级失效建模方法,研究了在线演化组合逻辑电路的静电放电(ESD)主动防护特性。首先,基于内进化虚拟重配置技术和笛卡儿遗传编码思想,提出了一种门级在线可重构组合电路系统模型,结合非支配多目标演化算法和演化策略实现了组合电路的多目标演化设计方法。进而,参照国际电工委员会静电放电抗扰度测试标准分析了电路单元的受扰规律并建立了行为级失效模型。最后,选择2位乘法器、2位加法器及北卡罗莱纳微电子中心(MCNC)基准库中的小规模组合逻辑电路为对象,在多种ESD干扰环境下实验证明了演化电路具有高可靠和强容错的主动防护特性。 展开更多
关键词 电磁防护仿生 静电放电(esd) 组合逻辑 演化电路 主动防护
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90nm CMOS工艺下电压触发的ESD检测电路 被引量:2
12
作者 杨兆年 刘红侠 +1 位作者 朱嘉 费晨曦 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期54-60,共7页
提出两种90nm 1VCMOS工艺下电压触发的静电放电检测电路.电压触发的静电检测电路避免了纳米级工艺中的MOS电容栅极漏电问题.该检测电路包含一个反馈回路,提高了检测电路的触发效率,同时增加了反馈关断机制,在芯片工作时检测电路由于某... 提出两种90nm 1VCMOS工艺下电压触发的静电放电检测电路.电压触发的静电检测电路避免了纳米级工艺中的MOS电容栅极漏电问题.该检测电路包含一个反馈回路,提高了检测电路的触发效率,同时增加了反馈关断机制,在芯片工作时检测电路由于某些特殊因素误触发后,仍然可以自行关断,而不会进入闩锁状态.在3V静电放电仿真时,该电路能产生28mA触发电流,以开启箝位器件来泄放静电电荷.在25℃正常电压下工作时,漏电流仅为42(45)nA.仿真结果表明,该检测电路可成功用于纳米级CMOS工艺的集成电路静电保护. 展开更多
关键词 反馈 检测电路 静电放电 电压触发
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CMOS集成电路中ESD保护技术研究 被引量:3
13
作者 王翠霞 许维胜 +2 位作者 余有灵 吴启迪 范学峰 《现代电子技术》 2008年第8期1-3,共3页
分析ESD失效的原因和失效模式,针对亚微米CMOS工艺对器件ESD保护能力的降低,从工艺、器件、电路三个层次对提高ESD保护能力的设计思路进行论述。工艺层次上通过增加ESD注入层和硅化物阻挡层实现ESD能力的提高;器件方面可针对电路的特点... 分析ESD失效的原因和失效模式,针对亚微米CMOS工艺对器件ESD保护能力的降低,从工艺、器件、电路三个层次对提高ESD保护能力的设计思路进行论述。工艺层次上通过增加ESD注入层和硅化物阻挡层实现ESD能力的提高;器件方面可针对电路的特点,选择合适的器件(如MOS,SCR,二极管及电阻)达到电路需要的ESD保护能力;电路方面采用栅耦和实现功能较强的ESD保护。 展开更多
关键词 静电放电 失效模式 esd保护电路 栅耦合
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一种新的ESD防护器件的多脉冲TLP仿真方法 被引量:3
14
作者 丁扣宝 黄大海 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期1016-1018,共3页
提出了一种新的集成电路ESD防护器件的TLP仿真方法,该方法类似于实际的TLP测量过程,在器件结构上施加一系列电流脉冲,获得相应的电压-时间曲线。分别截取每个电流脉冲及其电压响应70%~90%部分的平均值,取得的每一对电压和电流平均值作... 提出了一种新的集成电路ESD防护器件的TLP仿真方法,该方法类似于实际的TLP测量过程,在器件结构上施加一系列电流脉冲,获得相应的电压-时间曲线。分别截取每个电流脉冲及其电压响应70%~90%部分的平均值,取得的每一对电压和电流平均值作为I-V曲线上的一点,从而得到电流-电压特性曲线。在此基础上,不仅可得到触发电压Vt1和维持电压Vh,而且可以获取二次击穿电流It2。对LSCR的仿真结果表明仿真结果与测试结果符合的很好。 展开更多
关键词 静电放电 仿真 多脉冲
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功率快恢复二极管反偏ESD机理分析 被引量:2
15
作者 魏峰 吴郁 +6 位作者 周新田 周东海 吴立成 贾云鹏 胡冬青 金锐 刘钺杨 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期629-634,共6页
功率半导体器件静电放电(ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究。采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性电流源,对功率快恢复二极管(FRD)反偏ESD过程进行仿真计算。基于器件外端电压波形经历过冲、负阻和振荡以... 功率半导体器件静电放电(ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究。采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性电流源,对功率快恢复二极管(FRD)反偏ESD过程进行仿真计算。基于器件外端电压波形经历过冲、负阻和振荡以及平缓发展三个阶段,分析了器件内部相应的一系列复杂变化。结果表明:器件内部的"过耗尽"、雪崩注入、载流子及电场分布涨落等变化,最终导致电流在pn结拐角处形成局部集中。最后,分析了器件结构参数对抗ESD能力的影响。 展开更多
关键词 静电放电(esd) 快恢复二极管(FRD) 人体模型(HBM) 雪崩注入 临界场 背景掺杂
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基于再展开法的包覆型含能药粒间静电相互作用模型与安全边界构建
16
作者 冯跃 周子隆 +4 位作者 吴成成 郭学永 张波 王浩 王硕 《兵工学报》 北大核心 2025年第1期136-149,共14页
针对包覆型含能药粒生产过程静电安全边界不清问题,结合再展开法与多层介质壳构型构建摩擦电包覆型含能药粒与药粒间的静电相互作用模型,基于改进Paschen定律明确包覆型含能药粒静电放电的电荷密度与场强阈值边界,揭示颗粒结构与电学关... 针对包覆型含能药粒生产过程静电安全边界不清问题,结合再展开法与多层介质壳构型构建摩擦电包覆型含能药粒与药粒间的静电相互作用模型,基于改进Paschen定律明确包覆型含能药粒静电放电的电荷密度与场强阈值边界,揭示颗粒结构与电学关键参数对包覆型含能药粒静电安全性的影响规律。研究结果表明:包覆层极化效应增强了药粒间电场与吸引力,导致带电药粒同性相吸团聚,加剧了静电放电风险;在相同带电量下,被包覆活性金属导体药粒间吸引力远高于被包覆单质炸药介质药粒;当表面电荷密度为±5.0μC/m^(2)时,包覆型活性金属导体药粒间电场会超过空气击穿阈值,发生放电;对于包覆型单质炸药介质药粒,只有表面电荷密度达到±50μC/m^(2),电场才会超过击穿阈值;包覆型活性金属导体药粒静电安全性远小于包覆型单质炸药介质药粒,更容易发生静电团聚与静电放电。 展开更多
关键词 含能药粒 静电场 击穿阈值 静电放电 静电安全边界
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0.18μm CMOS工艺下的新型ESD保护电路设计 被引量:7
17
作者 刘红侠 刘青山 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期867-870,926,共5页
为了有效地保护0.18μm CMOS工艺下箝位器件的栅极,设计了一款新型的电源和地之间的静电保护电路.该电路在检测电路部分加了一个NMOS反馈器件,同时在检测电路的下一级使用了动态传输结构.反馈器件能够提高电路中各器件工作状态的转换速... 为了有效地保护0.18μm CMOS工艺下箝位器件的栅极,设计了一款新型的电源和地之间的静电保护电路.该电路在检测电路部分加了一个NMOS反馈器件,同时在检测电路的下一级使用了动态传输结构.反馈器件能够提高电路中各器件工作状态的转换速度,使得保护电路能够及时关闭,避免箝位器件栅极电流保持过长时间,保护了箝位器件的栅极.此外,该电路采用0.18μm CMOS工艺下的普通器件,节省了电路的成本. 展开更多
关键词 静电放电 保护电路 反馈 动态传输
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一种片上低触发电压高耐压NMOS ESD防护结构设计 被引量:2
18
作者 陈迪平 刘杏 +1 位作者 何龙 陈思园 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期115-118,共4页
设计了一种触发电压低于10 V,HBM耐压超过4kV的低触发、高耐压NMOS ESD防护结构.通过带钳位的栅耦合RC网络来适当抬升ESD泄放管栅压与衬底电压.在提高泄放能力与降低触发电压的同时,依然保持了较高的二次击穿电流It,从而增强了MOS防护... 设计了一种触发电压低于10 V,HBM耐压超过4kV的低触发、高耐压NMOS ESD防护结构.通过带钳位的栅耦合RC网络来适当抬升ESD泄放管栅压与衬底电压.在提高泄放能力与降低触发电压的同时,依然保持了较高的二次击穿电流It,从而增强了MOS防护结构在深亚微米CMOS电路中的ESD防护能力.该结构最终在CSMC HJ018工艺流片,并通过TLP测试平台测得触发电压低于10V,二次击穿电流3.5A,达到设计要求. 展开更多
关键词 esd 衬底触发 栅耦合 TLP
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ESD特征参数与受试设备耦合电压关系实验研究 被引量:2
19
作者 徐晓英 刘尚合 +2 位作者 张希军 雷磊 管琼 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期53-56,共4页
本文研究静电放电(ESD)辐射场对电子设备的危害.利用电小单极子天线和IEC61000—4—2规定的电 流波形标定装置组建的国内第一台静电放电电磁场测试系统,对空气式静电放电进行了系统的实验研究,确定 了ESD特征参数与受试设备接受到的ES... 本文研究静电放电(ESD)辐射场对电子设备的危害.利用电小单极子天线和IEC61000—4—2规定的电 流波形标定装置组建的国内第一台静电放电电磁场测试系统,对空气式静电放电进行了系统的实验研究,确定 了ESD特征参数与受试设备接受到的ESD耦合电压之间的关系.得出结论,ESD耦合电压的大小受放电电流上升 时间t1和电流峰值Ip两种因素影响,且受上升时间的影响更大.为电子器件及设备抗ESD设计提供了客观的数 值依据. 展开更多
关键词 静电放电 耦合电压 电子设备
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几种应用于触摸感应电路的ESD保护结构设计 被引量:4
20
作者 居水荣 陆建恩 张海磊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期254-258,278,共6页
电容式触摸感应检测按键电路是一类对静电特别敏感的电路,因此静电放电(ESD)保护结构的选择问题对这一类电路显得特别重要。一方面要确保所选择的ESD保护结构有足够的抗静电能力,另一方面这种ESD保护结构又不能使芯片的面积和成本增加太... 电容式触摸感应检测按键电路是一类对静电特别敏感的电路,因此静电放电(ESD)保护结构的选择问题对这一类电路显得特别重要。一方面要确保所选择的ESD保护结构有足够的抗静电能力,另一方面这种ESD保护结构又不能使芯片的面积和成本增加太多,基于此要求,介绍了3种应用在电容式触摸感应检测按键电路中的ESD保护结构。主要描述了这3种结构的电路形式和版图布局,着重阐述了为满足电容式触摸感应检测按键电路的具体要求而对这3种结构所作的改进。列出了这3种改进过后的ESD保护结构的特点、所占用芯片面积以及抗静电能力测试结果的比较。结果表明,经过改进后的3种ESD保护结构在保护能力、芯片面积利用率以及可靠性等方面都有了非常好的提升。 展开更多
关键词 静电放电(esd)保护结构 触摸感应检测按键电路 可控硅整流器 全芯片esd 保护 二极管加电阻esd保护
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