纳米TiO_2的表面能态及光生电子-空穴对复合过程的研究 被引量：19

1

作者 刘保顺 何鑫 +1 位作者 赵修建 赵青南 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期208-212,共5页

以液相法制备了水溶态纳米TiO2,并通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶红外光谱仪(FTIR)对纳米TiO2的结构和组成作了细致分析。并对其紫外-可见光谱(UV-Vis spectrum)和荧光发光光谱(PL spectrum)进行了分析。结果发现纳... 以液相法制备了水溶态纳米TiO2,并通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶红外光谱仪(FTIR)对纳米TiO2的结构和组成作了细致分析。并对其紫外-可见光谱(UV-Vis spectrum)和荧光发光光谱(PL spectrum)进行了分析。结果发现纳米TiO2呈现较好的锐钛矿型,平均粒径为5 nm。水溶态纳米TiO2由于吸附而在表面形成了Ti—OH和Ti—H2O的表面态,其能级位于其价带以上约0.6和0.54eV;500℃热处理后样品的表面吸附水基本消失,但OH-仍然存在,同时在纳米TiO2晶格中出现了氧空位,其能级位于价带以上3.13 eV。对于水溶态纳米TiO2,表面复合是电子-空穴对的主要复合过程;热处理后的样品,由于表面态遭到破坏,粒子半径变大,直接复合成为电子-空穴对的主要复合过程,同时还伴随有通过氧空位的间接复合和通过Ti—OH的表面复合。 展开更多

关键词 表面复合 表面态 纳米二氧化钛 电子-空穴对

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可见光驱动Z-scheme g-C3N4/α-Fe2O3催化剂高效产H2 被引量：3

2

作者 王宇晶 宋荷美 +1 位作者 张新东 柴守宁 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期1009-1015,共7页

作为一种新型的具有可见光响应的半导体光催化剂,g-C3N4在光催化产氢领域得到了广泛的研究。然而,纯g-C3N4存在可见光响应范围较窄、光生电子-空穴复合率高、量子效率低等问题。针对纯g-C3N4的缺陷,采用简单的水热合成法制备出一种高效... 作为一种新型的具有可见光响应的半导体光催化剂,g-C3N4在光催化产氢领域得到了广泛的研究。然而,纯g-C3N4存在可见光响应范围较窄、光生电子-空穴复合率高、量子效率低等问题。针对纯g-C3N4的缺陷,采用简单的水热合成法制备出一种高效纳米晶胶体g-C3N4/α-Fe2O3复合材料。为了检测g-C3N4/α-Fe2O3的光催化产氢性能,将其引入以NaBH4为底液的体系中。结果表明,当Fe质量分数为1%,体系温度为30℃、NaBH4浓度为50 mmol/L时,产氢量为30 mL。利用PL、EIS以及PC等手段对g-C3N4/α-Fe2O3的光电响应能力进行了分析。结果表明,g-C3N4/α-Fe2O3复合材料具有较低的光致发光强度、较高的光电流密度和较小的电荷转移电阻,说明了光生电荷载流子的有效分离和快速转移。另外,Z-scheme电荷转移途径赋予了g-C3N4/α-Fe2O3较强的氧化能力,为光催化裂解NaBH4提供了较大的驱动力。主要意义在于对光催化产氢有一个新认识,为合理设计和构建Z型光催化剂提供参考。 展开更多

关键词 光催化剂 Z-型g-C3N4/α-Fe2O3 可见光响应 光生电子-空穴对

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方势垒隧穿中的电子-空穴量子纠缠及其特性研究 被引量：2

3

作者 周利玲 吴峰星 +3 位作者 王炜路 李宏 周艳红 聂义友 《江西师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2005年第6期496-498,共3页

研究电子隧穿单方势垒所产生的电子-空穴纠缠特性.依赖于能级的配置,协力纠缠度(concur-rence)随势垒高度变化呈有趣的演化特征.

关键词 方势垒 电子-空穴对 量子纠缠

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Bi_(4)O_(5)Br_(2)/Ti_(3)C_(2)-Ru复合光催化剂的合成及其对磺胺甲噁唑药物废水降解性能研究 被引量：3

4

作者 张雷 李瑞 樊彩梅 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第7期1248-1256,共9页

Bi_(x)O_(y)Br_(z)光催化剂在有机药物废水处理领域有着非常广阔的潜在应用价值,但光生电子-空穴对的快速复合限制了其应用。本文选用具有优良电子传递性能的Ti_(3)C_(2)作为助催化剂,首先利用Ti_(3)C_(2)表面丰富的Ti空位缺陷和高还原... Bi_(x)O_(y)Br_(z)光催化剂在有机药物废水处理领域有着非常广阔的潜在应用价值,但光生电子-空穴对的快速复合限制了其应用。本文选用具有优良电子传递性能的Ti_(3)C_(2)作为助催化剂,首先利用Ti_(3)C_(2)表面丰富的Ti空位缺陷和高还原能力,制备了Ti_(3)C_(2)-Ru助催化剂,接着利用Ti_(3)C_(2)表面官能团与Bi^(3+)的离子键合力实现了Bi_(4)O_(5)Br_(2)在Ti_(3)C_(2)-Ru表面的原位生长,得到Bi_(4)O_(5)Br_(2)/Ti_(3)C_(2)-Ru复合光催化剂,从而实现了电子由Bi_(4)O_(5)Br_(2)到Ti_(3)C_(2)再到反应活性位点Ru的定向传递,最终使催化剂具有较高的光生载流子分离率和较低的界面电荷转移阻力,有效抑制了光生电子-空穴对的复合。同时以磺胺甲噁唑(SMX)为模拟药物污染物进行了光催化性能测试,结果表明所制备的Bi_(4)O_(5)Br_(2)/Ti_(3)C_(2)-Ru复合光催化剂展示出了优异的光催化降解SMX性能,在可见光下照射75 min,SMX的降解率达到95.1%,相较于纯的Bi_(4)O_(5)Br_(2)和Bi_(4)O_(5)Br_(2)/Ti_(3)C_(2)催化剂,其降解率分别提升了36.9个百分点和25.3个百分点。最后基于自由基捕获实验和催化剂能带结构分析提出了所制催化剂的降解机理。研究结果可为构建具有药物废水净化功能的光催化剂提供设计思路。 展开更多

关键词 Bi_(4)O_(5)Br_(2)/Ti_(3)C_(2)-Ru 复合光催化剂 磺胺甲噁唑 电子-空穴-分离效率 电子定向转移 光催化降解

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PS协同Z型异质结二维BiOI/g-C_(3)N_(4)光催化降解四环素 被引量：3

5

作者 殷超 刘亚利 +1 位作者 吕舒怡 吕昕雅 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第7期1457-1463,1480,共8页

以三聚氰胺为前驱体,采用简单的热聚合法制备了超薄石墨相氮化碳(g-C_(3)N_(4)),并用原位沉积-沉淀法在g-C_(3)N_(4)表面生成BiOI,复合构筑了不同BiOI与g-C_(3)N_(4)质量比的二维BiOI/g-C_(3)N_(4)(2D/BiOI/g-C_(3)N_(4),BICN-x)Z型异... 以三聚氰胺为前驱体,采用简单的热聚合法制备了超薄石墨相氮化碳(g-C_(3)N_(4)),并用原位沉积-沉淀法在g-C_(3)N_(4)表面生成BiOI,复合构筑了不同BiOI与g-C_(3)N_(4)质量比的二维BiOI/g-C_(3)N_(4)(2D/BiOI/g-C_(3)N_(4),BICN-x)Z型异质结。通过XRD、FTIR、SEM、HRTEM、BET、UV-Vis DRS对其结构、表面官能团、形貌、比表面积和光学性能进行了表征分析。探讨了过二硫酸盐(PS)对2D/BiOI/g-C_(3)N_(4)光催化降解四环素(TC)的影响。结果表明,BiOI与g-C_(3)N_(4)质量比为2∶1时,制备的BICN-3具有密切的界面耦合,其光生电子-空穴对分离效率较高,光生e-以更快的迁移速度到达结构表面,并且在LED照射60 min内,BICN-3(0.25 g/L)与PS(2.0 mmol/L)形成的催化体系(BICN-3/PS)对质量浓度为10 mg/L的四环素的降解率为88.2%,降解速率常数是单独BICN-3的3.82倍。 展开更多

关键词 石墨相氮化碳 BiOI 过二硫酸盐 电子-空穴对 水处理技术

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双轴应变对g-ZnO/WS_(2)异质结电子结构及光学性质影响的第一性原理计算

6

作者 潘多桥 庞国旺 +5 位作者 刘晨曦 史蕾倩 张丽丽 雷博程 赵旭才 黄以能 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第7期1202-1211,1226,共11页

单层g-ZnO由于吸收光谱宽而受到研究者关注,但载流子复合是单层g-ZnO作为光催化剂无法避免的问题,如何降低电子空穴对复合率,提高单层g-ZnO对可见光利用率成为值得研究的问题,搭建异质结并对其进行双轴应变是一种可行的办法。本文采用... 单层g-ZnO由于吸收光谱宽而受到研究者关注,但载流子复合是单层g-ZnO作为光催化剂无法避免的问题,如何降低电子空穴对复合率,提高单层g-ZnO对可见光利用率成为值得研究的问题,搭建异质结并对其进行双轴应变是一种可行的办法。本文采用第一性原理方法,研究双轴应变对g-ZnO/WS_(2)异质结电子结构及光学性质的调控规律。结果表明:g-ZnO/WS_(2)异质结禁带宽度为1.646 eV,由于异质结体系内部产生内置电场,降低了其光生载流子的复合率,同时异质结光吸收带边拓展至可见光区域。对异质结实施应变后,除压缩应变(-2.5%)体系外,其余应变体系吸收带边均出现红移现象,并且红移程度和对电荷的束缚能力均随着应变的增加而增强。相比于未实施应变的体系,应变体系对光生电子载流子的阻碍作用更强,其光催化能力得到更大提高。以上结果说明搭建g-ZnO/WS_(2)异质结并对其进行双轴应变对异质结的电子结构及光学性质具有显著的调控作用,使其在窄禁带及红外、可见光半导体器件和光催化材料等领域具有应用价值。 展开更多

关键词 单层g-ZnO 单层WS_(2) 异质结 光学性质 电子空穴对复合 光催化 第一性原理

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碳量子点修饰石墨相氮化碳光催化降解罗丹明B的研究 被引量：12

7

作者 刘帅 李学雷 +5 位作者 王烁天 王彦娟 苑兴洲 张健 梁飞雪 胡绍争 《中国环境科学》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期2909-2916,共8页

利用抗坏血酸(AA)对石墨相氮化碳(g-C3N4)进行改性,制备出表面含有碳量子点(CQDs)的催化剂CQDs/g-C3N4.通过X射线衍射(XRD)、紫外可见光漫反射(UV-Vis DRS)、透射电镜(TEM)、光致发光光谱(PL)、X射线光电子能谱(XPS)对催化剂进行结构、... 利用抗坏血酸(AA)对石墨相氮化碳(g-C3N4)进行改性,制备出表面含有碳量子点(CQDs)的催化剂CQDs/g-C3N4.通过X射线衍射(XRD)、紫外可见光漫反射(UV-Vis DRS)、透射电镜(TEM)、光致发光光谱(PL)、X射线光电子能谱(XPS)对催化剂进行结构、形貌、光学性能测试.发现CQDs很好的负载到了g-C3N4表面,增加了催化剂表面活性位点.UV-Vis DRS表明碳量子点能够使催化剂的吸收光谱发生红移,同时缩小了催化剂的带隙宽度,增强了对光的吸收能力.光致发光光谱则显示了碳量子点的修饰能够有效的抑制光生电子空穴对的复合,从而提高光催化性能.通过光降解实验表明0.01g CQDs/g-C3N4催化剂在80℃下,3h对罗丹明B(RhB)的降解率为57.2%.捕获剂实验则说明了超氧自由基(·O2^-)在光降解体系中起到了促进反应速率的作用. 展开更多

关键词 碳量子点 光生电子空穴对 超氧自由基

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SnO_2/TiO_2纳米管复合光催化剂的性能及失活再生 被引量：11

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作者 赵伟荣 施巧梦 刘莹 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第7期1318-1324,共7页

基于微波水热法和微乳液法合成SnO2/TiO2纳米管复合光催化剂.通过X射线衍射(XRD)、配有能量色散X射线光谱仪(EDX)的透射电镜(TEM)和电化学手段对光催化剂进行表征.以甲苯为模型污染物,考察光催化剂在紫外光(UV)和真空远紫外光(VUV)下的... 基于微波水热法和微乳液法合成SnO2/TiO2纳米管复合光催化剂.通过X射线衍射(XRD)、配有能量色散X射线光谱仪(EDX)的透射电镜(TEM)和电化学手段对光催化剂进行表征.以甲苯为模型污染物,考察光催化剂在紫外光(UV)和真空远紫外光(VUV)下的性能及失活再生.结果表明,SnO2/TiO2纳米管复合光催化剂形成三元异质结(锐钛矿相TiO2(A-TiO2)/金红石相TiO2(R-TiO2)、A-TiO2/SnO2和R-TiO2/SnO2异质结),促使光生电子-空穴对的有效分离,提高光催化活性.SnO2/TiO2表现出最佳的光催化性能,UV和VUV条件下的甲苯降解率均达100%,CO2生成速率(k2)均为P25的3倍左右.但由于UV光照矿化能力不足,中间产物易在催化剂表面累积.随着UV光照时间的增加,SnO2/TiO2逐渐失活,20 h后k2由138.5 mg·m-3·h-1下降到76.1 mg·m-3·h-1.利用VUV再生失活的SnO2/TiO2,过程中产生的·OH、O2-·、O(1D)、O(3P)、O3等活性物质可氧化吸附于催化剂活性位的难降解中间产物,使催化剂得以再生,12 h后k2恢复到143.6 mg·m-3·h-1.UV和VUV的协同效应使UV降解耦合VUV再生成为一种可持续的光催化降解污染物模式. 展开更多

关键词 异质结 真空远紫外 甲苯 电子-空穴对 光催化活性

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平面型CdZnTe探测器电荷收集效率对能谱测量的影响 被引量：4

9

作者 李杨 罗文芸 +2 位作者 贾晓斌 张家磊 王林军 《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期231-237,共7页

采用蒙特卡洛程序Geant4构建平面型CdZnTe探测器,模拟^(241)Am(59.5 keV)与^(137)Cs(662 keV)两种不同能量射线从阴极面垂直入射探测器.通过在Geant4中添加Hecht方程来计算探测器不同位置处的电荷收集效率.根据模拟输出的能谱,结合能量... 采用蒙特卡洛程序Geant4构建平面型CdZnTe探测器,模拟^(241)Am(59.5 keV)与^(137)Cs(662 keV)两种不同能量射线从阴极面垂直入射探测器.通过在Geant4中添加Hecht方程来计算探测器不同位置处的电荷收集效率.根据模拟输出的能谱,结合能量沉积分布、电子-空穴对分布及其相互作用类型,在考虑电荷收集效率的情况下,研究了探测器能谱测量的变化.结果发现,在考虑电荷收集效率后,能谱向低能部分偏移,偏移程度与最大电荷收集效率紧密相关. 展开更多

关键词 GEANT4 CdZnTe探测器 电子 空穴对 电荷收集效率 能谱

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ONO反熔丝结构的电离辐照性能研究 被引量：1

10

作者 杜川华 詹峻岭 +1 位作者 赵洪超 朱小锋 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期339-341,353,共4页

描述了ONO反熔丝的物理结构,采用ONO薄膜传导模型分析了ONO反熔丝结构在受到电离辐照时,其内部电子-空穴的运动规律。分别对ONO反熔丝FPGA A1460A和A40MX04进行了电离辐照实验,测试了电流与辐照剂量的关系以及FPGA功能失效阈值。理论分... 描述了ONO反熔丝的物理结构,采用ONO薄膜传导模型分析了ONO反熔丝结构在受到电离辐照时,其内部电子-空穴的运动规律。分别对ONO反熔丝FPGA A1460A和A40MX04进行了电离辐照实验,测试了电流与辐照剂量的关系以及FPGA功能失效阈值。理论分析和实验数据说明了该结构比单层SiO2具有更好的抗电离辐照性能。 展开更多

关键词 ONO反熔丝 电离辐照 FPGA 电子-空穴对

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可见光催化剂ZnIn2S4改性研究进展 被引量：2

11

作者 安家君 高波 +2 位作者 刘嘉栋 田原 王磊 《水处理技术》 CAS CSCD 北大核心 2020年第1期1-6,共6页

介绍了包括ZnIn2S4的形貌控制、表面贵金属沉积、金属离子掺杂、复合半导体、碳类似物修饰以及导电聚合物修饰在内的几种ZnIn2S4的改性方法,叙述了各改性技术实例及其作用机理。分析表明,通过对单组份ZnIn2S4的改性,不仅可明显提高电子... 介绍了包括ZnIn2S4的形貌控制、表面贵金属沉积、金属离子掺杂、复合半导体、碳类似物修饰以及导电聚合物修饰在内的几种ZnIn2S4的改性方法,叙述了各改性技术实例及其作用机理。分析表明,通过对单组份ZnIn2S4的改性,不仅可明显提高电子的传输能力,而且表现出更宽的可见光吸收区间,提升了其光催化性能。认为ZnIn2S4的改性在污染物降解以及光催化产氢效率的提升等方面具有重大意义。提出改善ZnIn2S4长期稳定性及推动其应用过程是今后研究的重点,以期应用于实际技术中。 展开更多

关键词 ZnIn2S4 光催化 光催化活性 光生电子-空穴对

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BiVO_4/BiPO_4复合物的制备及可见光催化性能（英文） 被引量：1

12

作者 尹延峰 周锋 +2 位作者 詹溯 杨一凡 刘昱君 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第3期483-490,共8页

采用水热法合成出具有不同V、P物质的量之比的Bi VO_4/Bi PO_4复合物。n_V/n_P分别为:0.1/9.9、0.5/9.5、1/9、3/7、5/5。采用XRD、FE-SEM、EDS、拉曼、可见光光度计、漫反射以及电化学等测试手段对Bi VO_4/Bi PO_4复合物进行表征。在... 采用水热法合成出具有不同V、P物质的量之比的Bi VO_4/Bi PO_4复合物。n_V/n_P分别为:0.1/9.9、0.5/9.5、1/9、3/7、5/5。采用XRD、FE-SEM、EDS、拉曼、可见光光度计、漫反射以及电化学等测试手段对Bi VO_4/Bi PO_4复合物进行表征。在可见光条件下降解亚甲基蓝来评价Bi VO_4/Bi PO_4复合物的光催化活性。结果显示,当n_V/n_P<3/7的时候,Bi VO_4/Bi PO_4复合物的光催化活性随着Bi VO_4含量的增加而增加,当n_V/n_P=3/7的时候,复合物具有最佳的光催化性能,反应速率常数k为0.005 1 min-1,是纯Bi PO_4的23.2倍。Bi VO_4/Bi PO_4复合物的光催化机制主要是由于Bi VO_4的加入,提高了电子-空穴的分离率,进而提高了光催化活性。 展开更多

关键词 水热法 BIVO4 BiPO4 光催化活性 电子-空穴对

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有机电致发光器件的电磁效应研究进展 被引量：2

13

作者 黄晓雪 关云霞 +2 位作者 贾西贝 吕建凤 牛连斌 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期59-65,共7页

有机电致发光器件的电磁效应是指在不含任何磁性材料功能层的情况下,其电流或者发光受外加磁场影响而发生改变的现象。由于电磁效应具有极高的灵敏性,即使在室温和微小的外加磁场范围内也能发生,所以此效应具有较大的科学价值和社会应... 有机电致发光器件的电磁效应是指在不含任何磁性材料功能层的情况下,其电流或者发光受外加磁场影响而发生改变的现象。由于电磁效应具有极高的灵敏性,即使在室温和微小的外加磁场范围内也能发生,所以此效应具有较大的科学价值和社会应用前景,进而引起了科研人员极大的研究兴趣。详细介绍了该电磁效应的研究进展,重点阐述了磁电导/磁电阻以及磁电致发光的发展进程,对其在不同条件下出现的物理机制进行比较,并展望其应用前景。 展开更多

关键词 OLED电磁效应 超精细作用 电子-空穴对 三重态激子-电荷反应 三重态激子淬灭

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有机电致发光器件的磁电导效应研究进展 被引量：1

14

作者 贾西贝 牛连斌 +3 位作者 黄晓雪 傅小强 吕建凤 崔玉亭 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第1期162-169,共8页

有机电致发光器件的磁电导效应,是指在恒定外加偏压下,对于不含有任何磁性材料功能层的有机电致发光器件,通过器件的电流发生变化的现象。由于器件对外磁场很敏感,通过给器件施加偏压,如果有外磁场的存在,器件的电流会有较显著地改变,... 有机电致发光器件的磁电导效应,是指在恒定外加偏压下,对于不含有任何磁性材料功能层的有机电致发光器件,通过器件的电流发生变化的现象。由于器件对外磁场很敏感,通过给器件施加偏压,如果有外磁场的存在,器件的电流会有较显著地改变,通过与事先测定好的B-I特性曲线对比,便能测定外加磁场的大小。因此利用这种效应可以制成磁场传感器等新型实用器件。有机电致发光器件中存在复杂的激发态及自旋弛豫过程,充分了解这些复杂的物理机制有助于开发更加高效的器件,而磁场会对以上物理过程产生作用,因此是一种很好的研究有机电致发光机制的工具。故这种研究具有较大的科学价值和社会应用前景。文中将从有机电致发光器件磁电导效应的研究背景、发展现状及存在问题等几个方面做详细的论述,并探讨磁电导效应产生的可能微观机制,并对未来的研究方向做进一步的展望。 展开更多

关键词 有机电致发光器件 磁效应 三重态激子 电子- 空穴对

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利用亮度波形证明固态阴极射线发光 被引量：1

15

作者 刘明 陈晓红 +4 位作者 徐征 滕枫 衣立新 高德文 郭立群 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1556-1559,共4页

制备了3种结构的器件:A:ITO/SiO2/Alq3/Al,B:ITO/Alq3/SiO2/Al,C:ITO/SiO2/Alq3/SiO2/Al。对于器件A和B,在正向偏压(ITO接正极)下才能观察到发光;而对于器件C,在正向和反向偏压下都可以观察到发光。随着电压升高,器件B和C产生的蓝色发... 制备了3种结构的器件:A:ITO/SiO2/Alq3/Al,B:ITO/Alq3/SiO2/Al,C:ITO/SiO2/Alq3/SiO2/Al。对于器件A和B,在正向偏压(ITO接正极)下才能观察到发光;而对于器件C,在正向和反向偏压下都可以观察到发光。随着电压升高,器件B和C产生的蓝色发光相对绿光逐渐增强。这主要是由于SiO2中的加速电子碰撞激发Alq3发光层产生热电子,并与空穴形成电子空穴对,复合产生蓝光;而对于器件A,在反向偏压下被热电子碰撞激发出的空穴与正向偏压下从Al电极进入的电子复合形成激子,产生绿色发光。这些结构的器件发光不但可来源于电子与积累的空穴复合,而且也来自固态阴极射线发光。 展开更多

关键词 固态阴极射线发光 热电子 电子空穴对 有机无机异质结 八羟基喹啉铝

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现代工艺集成电路的总剂量效应及加固技术 被引量：4

16

作者 褚忠强 徐曦 《现代电子技术》 2010年第2期171-174,共4页

随着核技术和空间技术的发展,越来越多的电子设备不可避免地应用于各种辐射环境中。介绍两类重要的辐射环境及现代工艺集成电路总剂量效应的产生机理,详细描述电子空穴对的产生、氧化层陷阱电荷和界面陷阱的特点及对器件或电路的影响,... 随着核技术和空间技术的发展,越来越多的电子设备不可避免地应用于各种辐射环境中。介绍两类重要的辐射环境及现代工艺集成电路总剂量效应的产生机理,详细描述电子空穴对的产生、氧化层陷阱电荷和界面陷阱的特点及对器件或电路的影响,并对现代先进工艺的抗辐射特点及应用前景进行了探讨。指出随着CMOS工艺不断按比例缩小,作为栅介质;HfO2最具应用前景,而Smart-Cut材料则是非常有发展前景的SOI材料,很可能成为今后SOI材料的主流。 展开更多

关键词 总剂量效应 电子空穴对 氧化物陷阱电荷 界面态

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3D球状BiOI耦合过一硫酸盐可见光降解金橙Ⅱ 被引量：1

17

作者 张舒萌 成先雄 +3 位作者 连军锋 王磊 苏浩杰 刘鑫 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第11期2348-2354,2363,共8页

以Bi(NO_(3))_(3)·5H_(2)O和KI为原料,乙二醇为溶剂,采用溶剂热法通过水热温度的控制对BiOI进行形貌调控,制备了3D球状BiOI光催化剂。通过SEM、EDS、XRD、UV-Vis对其结构进行了表征,将BiOI与过一硫酸盐(PMS)耦合在可见光下降解金橙... 以Bi(NO_(3))_(3)·5H_(2)O和KI为原料,乙二醇为溶剂,采用溶剂热法通过水热温度的控制对BiOI进行形貌调控,制备了3D球状BiOI光催化剂。通过SEM、EDS、XRD、UV-Vis对其结构进行了表征,将BiOI与过一硫酸盐(PMS)耦合在可见光下降解金橙Ⅱ,探究了BiOI投加量、PMS投加量、金橙Ⅱ质量浓度、pH及常见阴离子对降解体系的影响。结果显示,BiOI具有良好的可见光响应性能,禁带宽度约为1.8 eV,在BiOI投加量为0.2 g/L、PMS浓度为0.2 mmol/L、金橙Ⅱ质量浓度为100 mg/L时降解效率最好,高达97.0%,降解过程符合准二级动力学模型。降解过程中可见光激发Bi OI产生光生载流子,一方面光生载流子与PMS反应,生成·SO4~–和·OH,另一方面光生载流子与体系中的溶解氧反应生成·O_(2)^(–),·O_(2)^(–)与H2O中H~+反应生成单线态氧(^(1)O_(2)),同时PMS自分解产生^(1)O_(2),说明降解过程是多途径的非均相反应,·O_(2)^(–)、^(1)O_(2)是降解过程中的主要自由基。 展开更多

关键词 BiOI 过硫酸盐 可见光催化 光生电子空穴对 金橙Ⅱ 水处理技术

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三维石墨烯基光催化剂的研究进展 被引量：1

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作者 蔡亭伟 丁颖 徐丽慧 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期17-22,共6页

从三维石墨烯基光催化剂的制备、3D GBP的分类以及基本作用等方面对三维石墨烯基光催化剂进行综述,分析了三维石墨烯促进所负载催化剂电子-空穴高效分离、光吸收范围变宽以及污染物吸附性能提高的原理。此外,还综述了化学掺杂N和B原子... 从三维石墨烯基光催化剂的制备、3D GBP的分类以及基本作用等方面对三维石墨烯基光催化剂进行综述,分析了三维石墨烯促进所负载催化剂电子-空穴高效分离、光吸收范围变宽以及污染物吸附性能提高的原理。此外,还综述了化学掺杂N和B原子石墨烯基底对三维石墨烯基光催化剂(3D GBP)催化性能的重要影响。 展开更多

关键词 三维石墨烯基底 三维石墨烯基光催化剂 电子-空穴对 光催化降解

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光电催化电极材料制备方法研究进展

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作者 王金乔 王磊 +1 位作者 安家君 王旭东 《水处理技术》 CAS CSCD 北大核心 2023年第1期7-13,共7页

光电催化电极兼具光催化和电催化功能,是一种可持续的、高效的、在多领域具有广泛应用价值的材料。综述了其多种制备方法,如电沉积、喷雾热解、水/溶剂热和溶胶-凝胶等。并对影响每种方法制备过程的操作条件作以讨论。分析表明,通过控... 光电催化电极兼具光催化和电催化功能,是一种可持续的、高效的、在多领域具有广泛应用价值的材料。综述了其多种制备方法,如电沉积、喷雾热解、水/溶剂热和溶胶-凝胶等。并对影响每种方法制备过程的操作条件作以讨论。分析表明,通过控制材料制备过程当中的操作条件,可以显著改变材料的形貌特征和物理化学性质,进而影响光电催化性能。因此,选择合适的制备方法和条件对材料性能的提升具有重大意义,并指出制备高稳定性材料和多种制备技术的联用是今后的研究热点。 展开更多

关键词 光电催化 电子-空穴对 制备方式及其应用

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半导体光催化剂BiOCl异质结的构建及应用 被引量：3

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作者 胥生元 郝玮 +2 位作者 王杰 高文生 谢克锋 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期1493-1507,共15页

氯氧化铋(BiOCl)半导体因其独特的层状结构和可调控的电子结构,而在光催化解决环境问题和能源问题领域备受关注。为了提高BiOCl对太阳光的利用率、抑制光生电子-空穴对的高复合率和增强光电子的还原能力等,研究人员对此作出了巨大的努... 氯氧化铋(BiOCl)半导体因其独特的层状结构和可调控的电子结构,而在光催化解决环境问题和能源问题领域备受关注。为了提高BiOCl对太阳光的利用率、抑制光生电子-空穴对的高复合率和增强光电子的还原能力等,研究人员对此作出了巨大的努力。其中,构建异质结是最有效的削弱这些缺陷的方法之一。本文主要综述了Z-型、Ⅱ-型、p-n结以及S-型四类异质结的电荷传递机理以及重点介绍了一些具有优异光催化性能的BiOCl异质结。同时,对一些异质结的光催化降解性能进行了比较分析。其中,S型异质结不仅具有高效的电荷分离能力,还有强的氧化还原能力,因此其表现出优异的光催化性能。此外,本文还简述了BiOCl异质结在降解有机污染物、还原CO_(2)、还原重金属和分解H_(2)O等方面的应用。总结了当前BiOCl异质结遇到的一些问题。最后针对BiOCl异质结的构效关系、合成复杂等问题,提出了计算机模拟、载体负载、新技术开发的发展方向。 展开更多

关键词 氯氧化铋 异质结 光生电子-空穴对 光催化剂 半导体

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