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中/长波红外双衍射级次共路Offner成像光谱仪
被引量：
9
1
作者
张浩
方伟
+2 位作者
叶新
姜明
宋宝奇
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第4期965-974,共10页
为提高成像光谱仪的工作波长范围,提出了基于双波段焦平面探测器（FPAs）的双衍射级次全共路Offner成像光谱仪结构。该结构中凸面光栅的一级衍射光和二级衍射光完全重叠共路传输,并可由焦平面处的双波段红外焦平面探测器IR FPAs实现级...
为提高成像光谱仪的工作波长范围,提出了基于双波段焦平面探测器（FPAs）的双衍射级次全共路Offner成像光谱仪结构。该结构中凸面光栅的一级衍射光和二级衍射光完全重叠共路传输,并可由焦平面处的双波段红外焦平面探测器IR FPAs实现级次的自然分离和同时探测。分析了该结构的工作原理和设计方法,基于几何光线追迹法仿真了谱线弯曲和色畸变特性,基于Huygens点扩散函数（PSF）仿真了光谱响应函数（SRF）并导出了光谱带宽。实验显示：双衍射级次共路Offner成像光谱仪的工作波段为3~6μm（二级衍射）和6~12μm（一级衍射）,谱线弯曲和色畸变均小于0.5个像元宽度,光谱带宽分别为13.2~14.3nm（二级衍射）和28.3~33.3nm（一级衍射）,两个工作波段内的衍射效率均大于或等于20%。整个系统结构简单紧凑、光谱范围宽,满足对地物或深空目标的中等分辨率的中远红外光谱探测需求。
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关键词
成像光谱仪
双衍射级次
共光路探测
双波段红外焦平面探测器(
ir
fpa
s)
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职称材料
Au掺杂碲镉汞长波探测器技术研究
被引量：
1
2
作者
宋林伟
孔金丞
+5 位作者
赵鹏
姜军
李雄军
方东
杨超伟
舒畅
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2023年第4期1-8,共8页
昆明物理研究所多年来持续开展了对Au掺杂碲镉汞材料、器件结构设计、可重复的工艺开发等研究,突破了Au掺杂碲镉汞材料电学可控掺杂、器件暗电流控制等关键技术,将n-on-p型碲镉汞长波器件品质因子(R_(0)A)从31.3Ω·cm^(2)提升到了...
昆明物理研究所多年来持续开展了对Au掺杂碲镉汞材料、器件结构设计、可重复的工艺开发等研究,突破了Au掺杂碲镉汞材料电学可控掺杂、器件暗电流控制等关键技术,将n-on-p型碲镉汞长波器件品质因子(R_(0)A)从31.3Ω·cm^(2)提升到了363Ω·cm^(2)(λ_(cutoff)=10.5μm@80 K),器件暗电流较本征汞空位n-on-p型器件降低了一个数量级以上。研制的非本征Au掺杂长波探测器经历了超过7年的时间贮存,性能无明显变化,显示了良好的长期稳定性。基于Au掺杂碲镉汞探测器技术,昆明物理研究所实现了256×256(30μm pitch)、640×512(25μm pitch)、640×512(15μm pitch)、1024×768(10μm pitch)等规格的长波探测器研制和批量能力,实现了非本征Au掺杂长波碲镉汞器件系列化发展。
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关键词
Au掺杂
暗电流
长波红外
碲镉汞(HgCdTe)
焦平面
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职称材料
SOI二极管型非制冷红外焦平面结构的改进设计(英文)
被引量：
5
3
作者
蒋文静
欧文
+2 位作者
明安杰
刘战锋
袁烽
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期218-221,共4页
在绝缘衬底上的硅(SOI)制备的二极管型非制冷红外焦平面是利用单晶硅PN结二极管作为温度探测器,比其它类型非制冷红外焦平面具有自己的独特优势.描述了传统型像素的结构与特性,并提出一种改进型结构.在传统的像素结构中,红外吸收结构直...
在绝缘衬底上的硅(SOI)制备的二极管型非制冷红外焦平面是利用单晶硅PN结二极管作为温度探测器,比其它类型非制冷红外焦平面具有自己的独特优势.描述了传统型像素的结构与特性,并提出一种改进型结构.在传统的像素结构中,红外吸收结构直接覆盖于二极管表面,其填充系数仅为21%.改进后的结构将红外吸收层悬空并覆盖整个像素表面,使吸收结构能够达到80%,大大提高了器件的吸收率.计算结果也显示改进后的结构在像素尺寸为35μm×35μm时,器件的灵敏度可达到7.75×10^(-3)V/K,等效功率噪声(NETID)可减小至43 mK(F/10.0).同时,ANSYS的仿真结果也表明改进后的结构在吸收率上的提高,证明了此结构的可行性.
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关键词
绝缘衬底上的硅
二极管
填充系数
红外焦平面
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职称材料
题名
中/长波红外双衍射级次共路Offner成像光谱仪
被引量：
9
1
作者
张浩
方伟
叶新
姜明
宋宝奇
机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
中国科学院大学
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第4期965-974,共10页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.41227003)
文摘
为提高成像光谱仪的工作波长范围,提出了基于双波段焦平面探测器（FPAs）的双衍射级次全共路Offner成像光谱仪结构。该结构中凸面光栅的一级衍射光和二级衍射光完全重叠共路传输,并可由焦平面处的双波段红外焦平面探测器IR FPAs实现级次的自然分离和同时探测。分析了该结构的工作原理和设计方法,基于几何光线追迹法仿真了谱线弯曲和色畸变特性,基于Huygens点扩散函数（PSF）仿真了光谱响应函数（SRF）并导出了光谱带宽。实验显示：双衍射级次共路Offner成像光谱仪的工作波段为3~6μm（二级衍射）和6~12μm（一级衍射）,谱线弯曲和色畸变均小于0.5个像元宽度,光谱带宽分别为13.2~14.3nm（二级衍射）和28.3~33.3nm（一级衍射）,两个工作波段内的衍射效率均大于或等于20%。整个系统结构简单紧凑、光谱范围宽,满足对地物或深空目标的中等分辨率的中远红外光谱探测需求。
关键词
成像光谱仪
双衍射级次
共光路探测
双波段红外焦平面探测器(
ir
fpa
s)
Keywords
imaging spectrometer
dual-order overlapped
common-path detection
dual-band ir focal plane array（fpa）
分类号
TH744.1 [机械工程—光学工程]
TP73 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
Au掺杂碲镉汞长波探测器技术研究
被引量：
1
2
作者
宋林伟
孔金丞
赵鹏
姜军
李雄军
方东
杨超伟
舒畅
机构
昆明物理研究所
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2023年第4期1-8,共8页
文摘
昆明物理研究所多年来持续开展了对Au掺杂碲镉汞材料、器件结构设计、可重复的工艺开发等研究,突破了Au掺杂碲镉汞材料电学可控掺杂、器件暗电流控制等关键技术,将n-on-p型碲镉汞长波器件品质因子(R_(0)A)从31.3Ω·cm^(2)提升到了363Ω·cm^(2)(λ_(cutoff)=10.5μm@80 K),器件暗电流较本征汞空位n-on-p型器件降低了一个数量级以上。研制的非本征Au掺杂长波探测器经历了超过7年的时间贮存,性能无明显变化,显示了良好的长期稳定性。基于Au掺杂碲镉汞探测器技术,昆明物理研究所实现了256×256(30μm pitch)、640×512(25μm pitch)、640×512(15μm pitch)、1024×768(10μm pitch)等规格的长波探测器研制和批量能力,实现了非本征Au掺杂长波碲镉汞器件系列化发展。
关键词
Au掺杂
暗电流
长波红外
碲镉汞(HgCdTe)
焦平面
Keywords
Au-doped
dark current
long wavelength
ir
(LW
ir
)
HgCdTe
focal
plane
array
s(
fpa
s)
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
SOI二极管型非制冷红外焦平面结构的改进设计(英文)
被引量：
5
3
作者
蒋文静
欧文
明安杰
刘战锋
袁烽
机构
中国科学院微电子所、器件与集成技术重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期218-221,共4页
基金
supported by the Beijing Science and Technology Project(Z111104055311062)
Key Laboratory of Microelectronics Devices&Integrated Technology
文摘
在绝缘衬底上的硅(SOI)制备的二极管型非制冷红外焦平面是利用单晶硅PN结二极管作为温度探测器,比其它类型非制冷红外焦平面具有自己的独特优势.描述了传统型像素的结构与特性,并提出一种改进型结构.在传统的像素结构中,红外吸收结构直接覆盖于二极管表面,其填充系数仅为21%.改进后的结构将红外吸收层悬空并覆盖整个像素表面,使吸收结构能够达到80%,大大提高了器件的吸收率.计算结果也显示改进后的结构在像素尺寸为35μm×35μm时,器件的灵敏度可达到7.75×10^(-3)V/K,等效功率噪声(NETID)可减小至43 mK(F/10.0).同时,ANSYS的仿真结果也表明改进后的结构在吸收率上的提高,证明了此结构的可行性.
关键词
绝缘衬底上的硅
二极管
填充系数
红外焦平面
Keywords
SOI, diode, fill-factor, infrared
focal
plane
array
s （
ir
fpa）
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
中/长波红外双衍射级次共路Offner成像光谱仪
张浩
方伟
叶新
姜明
宋宝奇
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
9
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职称材料
2
Au掺杂碲镉汞长波探测器技术研究
宋林伟
孔金丞
赵鹏
姜军
李雄军
方东
杨超伟
舒畅
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2023
1
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下载PDF
职称材料
3
SOI二极管型非制冷红外焦平面结构的改进设计(英文)
蒋文静
欧文
明安杰
刘战锋
袁烽
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
5
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职称材料
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