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基于DSRD的纳秒级固态脉冲发生器的研制被引量：2: 1; 作者张琦宋法伦 +2 位作者金晓李飞王淦平《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第6期483-487,共5页; 采用新型半导体开关漂移阶跃恢复二极管(DSRD)研制了一种纳秒级固态脉冲发生器。通过建立DSRD仿真等效模型,模拟DSRD器件的真实输出波形;采用双极并联结构电路设计,满足DSRD工作所需的电流要求;构建发生器系统工作电路仿真模型,并分析... 展开更多; 关键词漂移阶跃恢复二极管(dsrd) 脉冲发生器固态化快前沿高重频; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于DSRD的高重频固态脉冲源的研制被引量：5: 2; 作者赖雨辰谢彦召 +2 位作者王海洋仇杨鑫杨洁《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期135-140,共6页; 介绍了一种基于新型高功率超高速半导体断路开关—漂移阶跃恢复二极管(DSRD)和可饱和脉冲变压器的高电压高重频超高速全固态脉冲源。设计了脉冲源的电路拓扑结构,理论上分析了脉冲源电路的工作原理,研究获得了可饱和脉冲变压器匝数、磁... 展开更多; 关键词漂移阶跃恢复二极管(dsrd) 脉冲源可饱和脉冲变压器高重频; 在线阅读下载PDF 职称材料

新型亚纳秒高功率半导体开关器件被引量：2: 3; 作者刘忠山杨勇 +2 位作者马红梅刘英坤崔占东《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期557-559,共3页; 介绍了一种基于半导体内部的等离子体波理论而设计制造的全固态高功率半导体开关器件——快速离化器件(FID),阐述了FID器件的工作机理。采用传统的电力电子器件的制造工艺技术,研制出了新型亚纳秒快速离化器件。FID器件采用无感裸芯片... 展开更多; 关键词快速离化器件等离子体波快速离化漂移阶跃恢复器亚纳秒无感裸芯片封装; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体脉冲功率开关器件综述被引量：9: 4; 作者梁琳颜小雪 +3 位作者黄鑫远卿正恒杨泽伟尚海《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第23期8631-8651,共21页; 该文对应用于脉冲功率领域的特种半导体开关器件进行综述,具体包括反向开关晶体管(reversely switched dynistor,RSD)、漂移阶跃恢复二极管(drift step recovery diode,DSRD)和快速离化晶体管(fast ionization dynistor,FID)。上述半导... 展开更多; 关键词半导体开关脉冲功率反向开关晶体管漂移阶跃恢复二极管快速离化晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于DSRD的纳秒级固态脉冲发生器的研制被引量：2: 1; 作者张琦宋法伦金晓李飞王淦平; 机构中国工程物理研究院研究生院中国工程物理研究院应用电子学研究所; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第6期483-487,共5页; 文摘采用新型半导体开关漂移阶跃恢复二极管(DSRD)研制了一种纳秒级固态脉冲发生器。通过建立DSRD仿真等效模型,模拟DSRD器件的真实输出波形;采用双极并联结构电路设计,满足DSRD工作所需的电流要求;构建发生器系统工作电路仿真模型,并分析了电路参数对DSRD脉冲发生器系统输出波形的影响。针对脉冲发生器小型化的问题,将部分模块集成设计制作,优化布局,有效减少体积,减轻重量。结果表明:其输出电压可达3.74 kV,脉冲前沿8.2 ns,在重复频率200 Hz条件下可以稳定工作。研制出的脉冲发生器实现了较好的波形输出,为进一步实现固态脉冲源的小型化打下基础。; 关键词漂移阶跃恢复二极管(dsrd) 脉冲发生器固态化快前沿高重频; Keywords drift step recovery diode ( dsrd ) pulse generator solid-state fast rise-time high repetition frequency; 分类号 TN313 [电子电信—物理电子学] TN78 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于DSRD的高重频固态脉冲源的研制被引量：5: 2; 作者赖雨辰谢彦召王海洋仇杨鑫杨洁; 机构西安交通大学电气工程学院西北核技术研究院; 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期135-140,共6页; 基金中国博士后科学基金项目(185581)。; 文摘介绍了一种基于新型高功率超高速半导体断路开关—漂移阶跃恢复二极管(DSRD)和可饱和脉冲变压器的高电压高重频超高速全固态脉冲源。设计了脉冲源的电路拓扑结构,理论上分析了脉冲源电路的工作原理,研究获得了可饱和脉冲变压器匝数、磁芯截面积及负载阻抗等参数对脉冲源输出特性的影响的规律。实验结果表明:脉冲源在50 kΩ阻性负载条件下,输出脉冲峰值电压约38.2 kV,脉冲前沿约7.1 ns,脉冲宽度约14.1 ns,输出峰值功率约29.2 kW,可在400 kHz重复频率下稳定工作。; 关键词漂移阶跃恢复二极管(dsrd) 脉冲源可饱和脉冲变压器高重频; Keywords drift step recovery diode(dsrd) pulse generator saturable pulse transformer high repetitive frequency; 分类号 TN313 [电子电信—物理电子学] TN78 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新型亚纳秒高功率半导体开关器件被引量：2: 3; 作者刘忠山杨勇马红梅刘英坤崔占东; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期557-559,共3页; 文摘介绍了一种基于半导体内部的等离子体波理论而设计制造的全固态高功率半导体开关器件——快速离化器件(FID),阐述了FID器件的工作机理。采用传统的电力电子器件的制造工艺技术,研制出了新型亚纳秒快速离化器件。FID器件采用无感裸芯片封装技术,寄生参数小。单个FID器件工作电压>2kV,导通时间<1ns,工作电流高达10kA,抖动<20ps,di/dt超过100kA/μs,重复频率400kHz。具有极易串并联、导通触发脉冲可同步产生、工作特性高度稳定、体积小、重量轻等优点,FID可与DSRD组合应用,当采用MARX电路连接时,可以获得几十千伏以上的高压快速脉冲。FID器件脉冲发生器具有广阔的应用前景。; 关键词快速离化器件等离子体波快速离化漂移阶跃恢复器亚纳秒无感裸芯片封装; Keywords FID plasma wave fast ionization drift step recovery devices （dsrd） subnanosecond non-inductive bare-chip packaging; 分类号 TM56 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体脉冲功率开关器件综述被引量：9: 4; 作者梁琳颜小雪黄鑫远卿正恒杨泽伟尚海; 机构强电磁工程与新技术国家重点实验室(华中科技大学电气与电子工程学院); 出处《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第23期8631-8651,共21页; 基金国家自然科学基金项目(51877092,51377069) 装备预研重点实验室基金(6142605180104)。; 文摘该文对应用于脉冲功率领域的特种半导体开关器件进行综述,具体包括反向开关晶体管(reversely switched dynistor,RSD)、漂移阶跃恢复二极管(drift step recovery diode,DSRD)和快速离化晶体管(fast ionization dynistor,FID)。上述半导体开关器件从时间尺度上分别对应微秒级、纳秒级和皮秒级,研制材料包括硅基(Si)和碳化硅基(SiC)。该文介绍相关器件的工作机理、关键技术和应用情况,以及部分研究进展,并对未来的发展趋势进行展望。; 关键词半导体开关脉冲功率反向开关晶体管漂移阶跃恢复二极管快速离化晶体管; Keywords semiconductor switch pulsed power reversely switched dynistor(RSD) drift step recovery diode(dsrd) fast ionization dynistor(FID); 分类号 TM564 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于DSRD的纳秒级固态脉冲发生器的研制	张琦宋法伦金晓李飞王淦平	《半导体技术》 CAS 北大核心	2019	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于DSRD的高重频固态脉冲源的研制	赖雨辰谢彦召王海洋仇杨鑫杨洁	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2020	5	在线阅读下载PDF 职称材料
3	新型亚纳秒高功率半导体开关器件	刘忠山杨勇马红梅刘英坤崔占东	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	半导体脉冲功率开关器件综述	梁琳颜小雪黄鑫远卿正恒杨泽伟尚海	《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心	2022	9	在线阅读下载PDF 职称材料