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75GHz 13.92dBm InP DHBT共射共基功率放大器(英文) 被引量：2: 1; 作者曹玉雄苏永波 +3 位作者吴旦昱金智王显泰刘新宇《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期294-297,301,共5页; 报道了基于InP基双屏质结双板晶体管(DHBT)工艺的四指共射共基75 GHz微波单片集成(MMIC)功率放大器,器件的最高振荡频率fmax为150 GHz.放大器的输出极发射极面积为15μm×4μm.功率放大器在75 GHz时功率增益为12.3 dB,饱和输出功率... 展开更多; 关键词 InP双异质结双极晶体管(dhbt) 微波单片集成毫米波功放; 在线阅读下载PDF 职称材料

f_T=140GHz,f_(max)=200GHz的超高速InP DHBT 被引量：2: 2; 作者蔡道民李献杰 +3 位作者赵永林刘跳高向芝郝跃《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期743-746,共4页; InP/InGaAs/InP DHBT具有频带宽、电流驱动能力强、线性好、相位噪声低和阈值电压一致性好等优点成为研究热点。通过优化外延材料结构设计和采用四元InGaAsP缓变层消除集电结电流阻塞效应;改进发射极-基极自对准工艺和集电区台面侧向腐... 展开更多; 关键词双异质结双极晶体管(dhbt) 缓变层发射极-基极自对准空气桥侧向腐蚀; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于InP DHBT工艺的33~170 GHz共源共栅放大器被引量：1: 3; 作者王伯武于伟华 +4 位作者侯彦飞余芹孙岩程伟周明《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期197-200,共4页; 基于500 nm磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)工艺,设计了一种工作在33~170 GHz频段的超宽带共源共栅功率放大器。输入端和输出端的平行短截线起到变换阻抗和拓展带宽的作用,输出端紧密相邻的耦合传输线补偿了一部分高频传输损耗。测... 展开更多; 关键词磷化铟双异质结双极晶体管(InP dhbt) 单片微波集成电路(MMIC) 共源共栅放大器宽带; 在线阅读下载PDF 职称材料

基区As组分缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP DHBT热电性能的影响: 4; 作者周星宝周守利《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期119-123,共5页; 基于非等温能量平衡传输模型,利用SILVACO/ATLAS数值计算软件,研究了四种不同基区As组分的缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)热电特性的影响。结果表明,As组分缓变的引入改善了器件的直流增益和特征频率,但同时器件... 展开更多; 关键词 INP INGAP GAASSB INP 双异质结双极晶体管(dhbt) 缓变发射结缓变基区热电特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于InP DHBT工艺的6 bit DAC设计与实现: 5; 作者王子青赵子润龚剑《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期579-583,638,共6页; 基于In P双异质结双极晶体管（DHBT）工艺设计并实现了一款6 bit高速数模转换器（DAC）芯片,该In P工艺DHBT器件的电流增益截止频率大于200 GHz,最高振荡频率大于285 GHz。DAC芯片采用R-2R梯形电阻电流舵结构,输入级采用缓冲预放大器结... 展开更多; 关键词数模转换器(DAC) R-2R电阻梯 InP双异质结双极晶体管(dhbt) 电流舵主从D触发器; 在线阅读下载PDF 职称材料

InP双异质结双极晶体管的相位噪声特性被引量：2: 6; 作者吴永辉魏洪涛 +3 位作者刘军崔雍樊渝吴洪江《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第7期537-541,547,共6页; InP双异质结双极晶体管(DHBT)由于优异的频率和相位噪声特性被广泛应用于高品质压控振荡器(VCO)芯片的研制。研究了影响InP DHBT相位噪声特性的因素,并从器件结构和SiN钝化层两方面对器件进行了优化设计。详细介绍了附加相位噪声的测试... 展开更多; 关键词 InP双异质结双极晶体管(dhbt) 附加相位噪声正交鉴相压控振荡器(VCO) 单片微波集成电路(MMIC); 在线阅读下载PDF 职称材料

InP双异质结晶体管工艺ROM-Less架构14 GHz DDS 被引量：1: 7; 作者张翼李晓鹏 +4 位作者张有涛张敏杨磊 CAI Zhi-kuang GUO Yu-feng 《微波学报》 CSCD 北大核心 2020年第6期24-28,37,共6页; 介绍了采用ft/fmax为250/280 GHz的0.7μm InP双异质结晶体管工艺的14 GHz 8bit ROM-Less直接数字频率合成器。电路采用正弦加权非线性数模转换器实现了一种ROM-Less相幅转换,充分发挥了InP-DHBT技术在中大规模混合信号集成电路中的速... 展开更多; 关键词直接数字频率合成器 InP双异质结晶体管数模转换器相位累加器; 在线阅读下载PDF 职称材料

Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性被引量：4: 8; 作者张万荣李志国 +7 位作者王立新汪东崔福现孙英华程尧海陈建新沈光地罗晋生《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1132-1134,共3页; 同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中 ,在高集电极———发射极电压、大电流下 ,由于热电正反馈 ,容易发生热击穿 ,这限制了晶体管的安全工作区域。本文报道了在大电流下 ,由于热电负反馈 ,重掺杂基区Si/SiGe/HBT出现了负阻特性 ,... 展开更多; 关键词异质结双极晶体管负阻特性输出特性硅锗; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名75GHz 13.92dBm InP DHBT共射共基功率放大器(英文) 被引量：2: 1; 作者曹玉雄苏永波吴旦昱金智王显泰刘新宇; 机构中国科学院微电子研究所; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期294-297,301,共5页; 基金 Supported by the National Basic Research Programme of China(2010CB327502); 文摘报道了基于InP基双屏质结双板晶体管(DHBT)工艺的四指共射共基75 GHz微波单片集成(MMIC)功率放大器,器件的最高振荡频率fmax为150 GHz.放大器的输出极发射极面积为15μm×4μm.功率放大器在75 GHz时功率增益为12.3 dB,饱和输出功率为13.92 dBm.放大器在72.5 GHz处输入为2 dBm时达到最大输出功率14.53 dBm.整个芯片传输连接采用共面波导结构,芯片面积为1.06 mm×0.75 mm.; 关键词 InP双异质结双极晶体管(dhbt) 微波单片集成毫米波功放; Keywords InP double heterojunction bipolar transistors （dhbt） monolithic-microwave integrated-circuit （MMIC） millimeter wave power amplifier; 分类号 TN385 [电子电信—物理电子学] TN952 [电子电信—信号与信息处理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名f_T=140GHz,f_(max)=200GHz的超高速InP DHBT 被引量：2: 2; 作者蔡道民李献杰赵永林刘跳高向芝郝跃; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所西安电子科技大学微电子学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期743-746,共4页; 基金国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB327603); 文摘 InP/InGaAs/InP DHBT具有频带宽、电流驱动能力强、线性好、相位噪声低和阈值电压一致性好等优点成为研究热点。通过优化外延材料结构设计和采用四元InGaAsP缓变层消除集电结电流阻塞效应;改进发射极-基极自对准工艺和集电区台面侧向腐蚀工艺,降低Rb和Cbc乘积;优化PI钝化工艺和空气桥互联等工艺,实现了发射极面积为2μm×10μm的自对准InP/InGaAs/InP DHBT器件,其直流增益β约为25,击穿电压BVCEO≥7 V@10μA,在VCE=4 V,Ic=10 mA下,截止频率fT=140 GHz,最高振荡频率fmax=200 GHz,优于同一外延片上的非自对准InP DHB器件,该器件将可应用于高速光通信和微波毫米波通信。; 关键词双异质结双极晶体管(dhbt) 缓变层发射极-基极自对准空气桥侧向腐蚀; Keywords double heterojunction bipolar（dhbt） grading layer emitter-base self-aligned air-bridge undercut etching; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学] TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于InP DHBT工艺的33~170 GHz共源共栅放大器被引量：1: 3; 作者王伯武于伟华侯彦飞余芹孙岩程伟周明; 机构北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室北京理工大学重庆微电子研究院北京无线电测量研究所南京电子器件研究所单片集成电路与模块实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期197-200,共4页; 基金 Supported by National Natural Science Foundation of China(61771057)。; 文摘基于500 nm磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)工艺,设计了一种工作在33~170 GHz频段的超宽带共源共栅功率放大器。输入端和输出端的平行短截线起到变换阻抗和拓展带宽的作用,输出端紧密相邻的耦合传输线补偿了一部分高频传输损耗。测试结果表明,该放大器的最大增益在115 GHz达到11.98 dB,相对带宽为134.98%,增益平坦度为±2 dB,工作频段内增益均好于10 dB,输出功率均好于1 dBm。; 关键词磷化铟双异质结双极晶体管(InP dhbt) 单片微波集成电路(MMIC) 共源共栅放大器宽带; Keywords InP dual-heterojunction bipolar transistor(InP dhbt) monolithic microwave integrated circuit(MMIC) cascode amplifiers wide band; 分类号 TN722 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基区As组分缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP DHBT热电性能的影响: 4; 作者周星宝周守利; 机构浙江工业大学信息工程学院中国科学院国家空间科学中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期119-123,共5页; 基金浙江省自然科学基金资助项目(LY12F04003) 现代通信与网络系统科技创新自主设计项目(2010R50011-13); 文摘基于非等温能量平衡传输模型,利用SILVACO/ATLAS数值计算软件,研究了四种不同基区As组分的缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)热电特性的影响。结果表明,As组分缓变的引入改善了器件的直流增益和特征频率,但同时器件内部温度也随之升高。直流增益和温度增加的速率随As组分缓变范围增大而增大,特征频率增加的速率随As组分缓变范围的增加而迅速减小。基区As组分为0.57至0.45由发射区侧到集电区侧线性分布的器件具有较高的增益和特征频率及较低的器件内部温度,增益、特征频率与器件内部温度得到了优化。; 关键词 INP INGAP GAASSB INP 双异质结双极晶体管(dhbt) 缓变发射结缓变基区热电特性; Keywords InP/InGaP/GaAsSb/InP double heterojunction bipolar transistor （dhbt） graded emitter junction gradient base thermoelectric characteristic; 分类号 TN304.26 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于InP DHBT工艺的6 bit DAC设计与实现: 5; 作者王子青赵子润龚剑; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期579-583,638,共6页; 文摘基于In P双异质结双极晶体管（DHBT）工艺设计并实现了一款6 bit高速数模转换器（DAC）芯片,该In P工艺DHBT器件的电流增益截止频率大于200 GHz,最高振荡频率大于285 GHz。DAC芯片采用R-2R梯形电阻电流舵结构,输入级采用缓冲预放大器结构,实现输入缓冲及足够高的增益;D触发器单元采用采样/保持两级锁存拓扑结构实现接收数据的时钟同步;采用开关电流源单元及R-2R电阻单元,减小芯片体积,实现高速采样。该DAC最终尺寸为4.5 mm×3.5 mm,功耗为3.5 W。实测结果表明,该DAC可以很好地实现10 GHz采样时钟下的斜坡输出,微分非线性为＋0.4/-0.24 LSB,积分非线性为＋0.61/-0.64 LSB。; 关键词数模转换器(DAC) R-2R电阻梯 InP双异质结双极晶体管(dhbt) 电流舵主从D触发器; Keywords digital-to-analog converter （DAC） R-2R resistor ladder InP double heterojunction bipolar transistor （dhbt） current-steering master-slave D flip-flop digital-to-analog converter （DAC） R-2R resistor ladder InP double heterojunction bipolar transistor （dhbt） current-steering master-slave D flip-flop; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN792 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InP双异质结双极晶体管的相位噪声特性被引量：2: 6; 作者吴永辉魏洪涛刘军崔雍樊渝吴洪江; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路重点实验室杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第7期537-541,547,共6页; 基金预先研究项目(31513020201-2); 文摘 InP双异质结双极晶体管(DHBT)由于优异的频率和相位噪声特性被广泛应用于高品质压控振荡器(VCO)芯片的研制。研究了影响InP DHBT相位噪声特性的因素,并从器件结构和SiN钝化层两方面对器件进行了优化设计。详细介绍了附加相位噪声的测试原理和方法,并提出了一种改进的'正交鉴相'在片测量系统,测得所制作的InP DHBT的附加相位噪声在100 kHz偏移频率时达到-144 dBc/Hz。基于此InP DHBT工艺设计并实现了一款47 GHz差分VCO单片微波集成电路(MMIC),测试结果显示1.2 GHz调谐带宽内该VCO的典型单端输出功率为-3.8 dBm,单电源-5 V工作时的电流为23 mA,在100 kHz偏移频率时的相位噪声达到-87 dBc/Hz,验证了文中所研制的InP DHBT优异的相位噪声特性。; 关键词 InP双异质结双极晶体管(dhbt) 附加相位噪声正交鉴相压控振荡器(VCO) 单片微波集成电路(MMIC); Keywords InP double heterojunction bipolar transistor(dhbt) additive phase noise quadrature phase detection voltage controlled oscillator(VCO) monolithic microwave integrated circuit(MMIC); 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InP双异质结晶体管工艺ROM-Less架构14 GHz DDS 被引量：1: 7; 作者张翼李晓鹏张有涛张敏杨磊 CAI Zhi-kuang GUO Yu-feng; 机构南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室南京国博电子有限公司中国电子科技集团公司第五十五研究所; 出处《微波学报》 CSCD 北大核心 2020年第6期24-28,37,共6页; 基金国家自然科学基金(61804081)。; 文摘介绍了采用ft/fmax为250/280 GHz的0.7μm InP双异质结晶体管工艺的14 GHz 8bit ROM-Less直接数字频率合成器。电路采用正弦加权非线性数模转换器实现了一种ROM-Less相幅转换,充分发挥了InP-DHBT技术在中大规模混合信号集成电路中的速度优势。为降低功耗,采用了简化的流水线相位累加器。在整个频率控制字范围内,测试得到的平均无杂散动态范围为24.8 dBc。该电路由2122个晶体管组成,功耗为2.4 W,其优值系数为5.83 GHz/W。; 关键词直接数字频率合成器 InP双异质结晶体管数模转换器相位累加器; Keywords direct digital synthesizer(DDS) InP double hetero-junction bipolar transistor(dhbt) digital to analog converter(DAC) phase accumulator; 分类号 TN741 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性被引量：4: 8; 作者张万荣李志国王立新汪东崔福现孙英华程尧海陈建新沈光地罗晋生; 机构北京工业大学电子系信息产业部电子第西安交通大学微电子研究所; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1132-1134,共3页; 基金北京市自然基金 (No .4982 0 0 4 ) 北京市科技新星项目基金 (No.952 871 90 0 ); 文摘同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中 ,在高集电极———发射极电压、大电流下 ,由于热电正反馈 ,容易发生热击穿 ,这限制了晶体管的安全工作区域。本文报道了在大电流下 ,由于热电负反馈 ,重掺杂基区Si/SiGe/HBT出现了负阻特性 ,并对这一现象进行了新的解释 ,认为这是由于大电流下耗散功率增加 ,基区俄歇复合导致电流增益随温度增加而减小的结果 .这一现象有利于改善大电流下双极晶体管的抗烧毁能力。; 关键词异质结双极晶体管负阻特性输出特性硅锗; Keywords Si/SiGe/Si double heterojunction bipolar transistors negative resistance output characteristics; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	75GHz 13.92dBm InP DHBT共射共基功率放大器(英文)	曹玉雄苏永波吴旦昱金智王显泰刘新宇	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2012	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	f_T=140GHz,f_(max)=200GHz的超高速InP DHBT	蔡道民李献杰赵永林刘跳高向芝郝跃	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2011	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于InP DHBT工艺的33~170 GHz共源共栅放大器	王伯武于伟华侯彦飞余芹孙岩程伟周明	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基区As组分缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP DHBT热电性能的影响	周星宝周守利	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基于InP DHBT工艺的6 bit DAC设计与实现	王子青赵子润龚剑	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	InP双异质结双极晶体管的相位噪声特性	吴永辉魏洪涛刘军崔雍樊渝吴洪江	《半导体技术》 CAS 北大核心	2019	2	在线阅读下载PDF 职称材料
7	InP双异质结晶体管工艺ROM-Less架构14 GHz DDS	张翼李晓鹏张有涛张敏杨磊 CAI Zhi-kuang GUO Yu-feng	《微波学报》 CSCD 北大核心	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料
8	Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性	张万荣李志国王立新汪东崔福现孙英华程尧海陈建新沈光地罗晋生	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2001	4	在线阅读下载PDF 职称材料