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DPA(TCNQ)_2的烧孔阈值电压对脉宽的依赖关系
1
作者
于学春
张然
+2 位作者
彭海琳
张莹莹
刘忠范
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期561-564,共4页
合成了一种新的二元电荷转移复合物DPA(TCNQ)2(二丙胺-7,7,8,8-四氰基对亚甲基苯醌),并得到了其单晶ab面的STM高分辨图像,表面晶格常数与体相晶格常数的XRD数据完全一致.用STM成功地写入了5×5的信息点阵,并在5.1μm×5.1μm的...
合成了一种新的二元电荷转移复合物DPA(TCNQ)2(二丙胺-7,7,8,8-四氰基对亚甲基苯醌),并得到了其单晶ab面的STM高分辨图像,表面晶格常数与体相晶格常数的XRD数据完全一致.用STM成功地写入了5×5的信息点阵,并在5.1μm×5.1μm的面积上写入更大规模的信息点阵,写入的可靠性和稳定性都很高.实验发现,烧孔阈值电压强烈依赖于脉宽,这一现象不支持场致蒸发的机理.理论分析表明,它支持热化学烧孔的机理.
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关键词
DPA(TCNQ)2(
dipropylamine
tetracyanoquinodimethane)
高分辨STM图像
场致蒸发
热化学烧孔机理
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职称材料
题名
DPA(TCNQ)_2的烧孔阈值电压对脉宽的依赖关系
1
作者
于学春
张然
彭海琳
张莹莹
刘忠范
机构
北京大学化学与分子工程学院北京大学纳米科学与技术研究中心
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期561-564,共4页
基金
国家自然科学基金重大项目(6989022)
国家自然科学基金(29973001)
国家重点研究规划项目(973)(2001CB6105)资助~~
文摘
合成了一种新的二元电荷转移复合物DPA(TCNQ)2(二丙胺-7,7,8,8-四氰基对亚甲基苯醌),并得到了其单晶ab面的STM高分辨图像,表面晶格常数与体相晶格常数的XRD数据完全一致.用STM成功地写入了5×5的信息点阵,并在5.1μm×5.1μm的面积上写入更大规模的信息点阵,写入的可靠性和稳定性都很高.实验发现,烧孔阈值电压强烈依赖于脉宽,这一现象不支持场致蒸发的机理.理论分析表明,它支持热化学烧孔的机理.
关键词
DPA(TCNQ)2(
dipropylamine
tetracyanoquinodimethane)
高分辨STM图像
场致蒸发
热化学烧孔机理
Keywords
DPA(TCNQ)(2)
STM high resolution image
field-induced evaporation
thermochemical hole burning mechanism
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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作者
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1
DPA(TCNQ)_2的烧孔阈值电压对脉宽的依赖关系
于学春
张然
彭海琳
张莹莹
刘忠范
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2004
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