-
题名硅纳米管和纳米线场效应晶体管的模拟和比较
被引量：1
- 1
-
-
作者
朱兆旻
张存
-
机构
江南大学电子工程系
-
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2014年第4期209-213,235,共6页
-
基金
专用集成电路与系统国家重点实验室开放研究课题基金资助项目(11KF003)
-
文摘
从硅纳米管和纳米线场效应晶体管的结构出发,先用Silvaco公司的TCAD仿真软件模拟出硅纳米管和纳米线的电势分布,然后根据电势分布依次求出两种器件的有效哈密顿量、非平衡格林函数及自能函数和电子浓度,再从电子浓度推导出电流密度与电压方程,并对其进行了分析比较。仿真结果显示,在沟道横截面积相同的情况下,纳米管器件的阈值电压比纳米线器件的高,且随管内外径之差的增加而减小。栅压比较大的情况下,在饱和区纳米管器件比纳米线器件能提供更大的驱动电流。两者在亚阈值区域表现相似,亚阈值摆幅分别为58和57 mV/dec。纳米管器件的饱和电压比纳米线器件的略小,在饱和区纳米管器件的电流更加平直,短沟道效应更不明显。
-
关键词
纳米管
纳米线
非平衡格林函数
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
器件建模
-
Keywords
nanotube
nanowire
non-equilibrium Green＇s function
metal- field effect transistor （MOSFET）
device modeling is unconsplcuous. oxide-semionductor
-
分类号
TB383
[一般工业技术—材料科学与工程]
TN386
[电子电信—物理电子学]
-
