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CIM环境下CAPP的研究与实践 被引量:10
1
作者 张振明 黄乃康 樊其瑾 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期125-129,共5页
通过对我国CIMSMR中的两个集成化CAPP系统──NPURCAP和FA-CAPP进行对比,对基于特征的零件模型、CAD/CAPP/CAM集成、CAPP同其它CIM子系统的集成、工艺决策专家系统、工艺决策方法、工艺知... 通过对我国CIMSMR中的两个集成化CAPP系统──NPURCAP和FA-CAPP进行对比,对基于特征的零件模型、CAD/CAPP/CAM集成、CAPP同其它CIM子系统的集成、工艺决策专家系统、工艺决策方法、工艺知识表示、工艺知识库技术等问题进行了研究,同时,提出了加工元(ME)概念,并把该概念用于零件的工艺性分析,以实现面向制造的设计(DFM)和工艺决策的模型化、算法化.此外,也对工艺过程的动态优化问题进行了初步研究,为并行工程(CE)下的CAPP集成化研究提供基础. 展开更多
关键词 CApp CIMS 加工元 机械制造工艺 工艺设计 CIM
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面向DFM的压铸件设计研究 被引量:1
2
作者 王家弟 卢晨 丁文江 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期843-846,共4页
基于 DFM思想 ,在建立完整的压铸件信息模型、有效组织各种评价知识的基础上 ,建立了可对压铸件设计全面进行可压铸性分析、结构工艺性评价的工艺咨询原型系统。通过及时将评价结果反馈给设计者 ,指导修改不合理设计 ,有效地保证了压铸... 基于 DFM思想 ,在建立完整的压铸件信息模型、有效组织各种评价知识的基础上 ,建立了可对压铸件设计全面进行可压铸性分析、结构工艺性评价的工艺咨询原型系统。通过及时将评价结果反馈给设计者 ,指导修改不合理设计 ,有效地保证了压铸件设计质量 ,缩短产品开发周期。 展开更多
关键词 面向制造的设计 压铸件设计 结构工艺性评价 可制造性分析
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面向飞机结构件数控加工的DFM方法研究 被引量:2
3
作者 刘适 《制造技术与机床》 北大核心 2021年第2期66-69,共4页
随着新一代飞机结构件的结构大型化、整体化趋势更加显著,对数控加工提出了更高要求。然而飞机的结构设计和制造的协同性仍然较差,设计对零件可制造性的考虑不多,给制造带来了困难。文章对DFM技术加以探索,以知识工程为方法手段,以典型... 随着新一代飞机结构件的结构大型化、整体化趋势更加显著,对数控加工提出了更高要求。然而飞机的结构设计和制造的协同性仍然较差,设计对零件可制造性的考虑不多,给制造带来了困难。文章对DFM技术加以探索,以知识工程为方法手段,以典型加工特征为载体,重构数控加工工艺知识,形成面向设计的工艺知识库,提炼出规范标准,找到了设计与制造的平衡点,使面向制造的设计成为可能,为飞机结构件的设计和制造知识的获取、重用和融合创造了条件,为新一代飞机的结构件的高效、高质量的设计与制造打下了坚实基础。 展开更多
关键词 数控加工 面向制造的设计(dfm) 典型加工特征
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基于丰田生产方式的制造过程设计的研究 被引量:2
4
作者 丁伯慧 齐二石 《组合机床与自动化加工技术》 2007年第6期94-96,101,共4页
丰田生产方式是一个较完整的生产管理技术与方法体系。但是,目前关于整个体系的深入研究尚不足。文章从过程技术的角度,给出了制造过程设计的概念。并且提出丰田生产方式“4P”模型的“流程”层面就是制造过程设计的观点。最后,详细阐... 丰田生产方式是一个较完整的生产管理技术与方法体系。但是,目前关于整个体系的深入研究尚不足。文章从过程技术的角度,给出了制造过程设计的概念。并且提出丰田生产方式“4P”模型的“流程”层面就是制造过程设计的观点。最后,详细阐述了“流程”的各个实施阶段,为下一步制造过程的建模工作打下基础。 展开更多
关键词 产品技术 过程技术 丰田生产方式 制造过程设计
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功率VDMOSFET核心工艺参数的优化研究 被引量:2
5
作者 赵志桓 姜维宾 +3 位作者 韩希方 张礼 李惠军 李东华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第9期693-696,共4页
依据垂直双扩散场效应晶体管(VDMOSFET)的结构设计及参数要求,使用新一代Sentaurus系列TCAD工具对分立器件VDMOSFET进行分析。通过此工具可以对VDMOSFET的工艺结构级和半导体器件物理特性级进行可制造性设计及验证。本工作重点分析了能... 依据垂直双扩散场效应晶体管(VDMOSFET)的结构设计及参数要求,使用新一代Sentaurus系列TCAD工具对分立器件VDMOSFET进行分析。通过此工具可以对VDMOSFET的工艺结构级和半导体器件物理特性级进行可制造性设计及验证。本工作重点分析了能够影响功率VDMOSFET导通电阻、阈值电压等各种因素及其之间的关系,对沟道区、p+区和n+源区掺杂浓度,以及注入后的退火温度和时间等工艺参数进行优化设置。结果表明,通过使用Sentaurus系列TCAD工具对VDMOSFET器件进行模拟与分析所得出的参数能够达到IR公司的IRF140的设计水平。 展开更多
关键词 功率 优化 仿真 工艺参数 可制造性设计 验证
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