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葡萄叶绿素荧光参数测量方法的优化与日变化特征分析 被引量：6
1
作者 曹雄军 韩佳宇 +7 位作者 谢蜀豫 黄秋秘 邓海燕 盘丰平 王博 江春分 时晓芳 白先进 《南方农业学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第8期2248-2261,共14页
【目的】确定葡萄叶绿素荧光参数测量最适的暗适应时间、测量光强度,分析葡萄叶绿素荧光参数日变化特征并确定最适测量时间,提出优化测量方法的建议,为进一步研究葡萄光合特性提供理论依据,以提高研究数据的准确性和可靠性。【方法】选... 【目的】确定葡萄叶绿素荧光参数测量最适的暗适应时间、测量光强度,分析葡萄叶绿素荧光参数日变化特征并确定最适测量时间,提出优化测量方法的建议,为进一步研究葡萄光合特性提供理论依据,以提高研究数据的准确性和可靠性。【方法】选择阳光玫瑰葡萄和巨峰葡萄叶龄为40~50 d的健康成熟叶片,利用JIP测定(JIP-test)和主成分分析(PCA)研究葡萄叶片在不同暗适应时间(5、10、15、20、25、30、35和40 min)、不同测量光强度[500、1000、1500、2000、2500、3000和3500μmol/(m^(2)·s)]和一天中不同时间点(8:00、10:00、12:00、14:00、16:00、18:00和20:00)的快速叶绿素荧光诱导动力学(OJIP)曲线特征,分析不同测量条件对葡萄叶片叶绿素荧光参数的影响。【结果】暗适应时间和测量光强度均明显影响葡萄叶片叶绿素荧光参数,较长的暗适应时间和较高的测量光强度能获得更稳定和可靠的测量结果。OJIP曲线特征显示,在较短的暗适应时间(5~15 min)内,各暗适应时间与暗适应5 min间的特征区间(OJ相、JI相和IP相)相对可变荧光差值(ΔWOJ、ΔWJI和ΔWIP)曲线变化幅度较大,初始荧光(F_(o))、最大荧光(F_(m))和最大光化学效率(F_(v)/F_(m))等参数波动较大,当暗适应时间达30 min以上时,各参数再无显著变化(P>0.05,下同),趋于稳定。随着测量光强度的增加,F_(m)、F_(v)/F_(m)、OJIP曲线的初始斜率(M_o)和单位面积反应中心数量(RC/CSm)等参数呈上升趋势,各测量光强度与500μmol/(m^(2)·s)测量光强度间的ΔWOJ、ΔWJI和ΔWIP曲线呈正K峰、负H峰和正G峰,当光强度达3000μmol/(m^(2)·s)以上时,各参数均无显著变化。葡萄叶片的多数叶绿素荧光参数随着一天中时间点的推移而变化,光系统II(PSII)光化学效率在12:00之前较高,14:00时光化学效率下降,16:00之后PSII逐渐恢复至最佳状态。【结论】针对葡萄叶片进行OJIP曲线测定时,暗适应时间应为30 min以上,最小测量光强度为3000μmol/(m^(2)·s),测量时间宜选择在12:00之前和16:00之后,以确保结果的准确性和可靠性。 展开更多
关键词 葡萄叶绿素荧光 OJIP曲线 暗适应时间 测量光强度 日变化特征
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非对称电极和绒面结构对晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性的影响
2
作者 陆晓东 宋扬 +2 位作者 赵洋 王泽来 张金晶 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期2812-2819,共8页
利用有限差分法求解半导体器件基本方程的方法,通过改变栅线电极和衬底掺杂浓度,研究了织构结构和非对称电极对晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性的影响。结果表明:衬底掺杂浓度决定了织构结构晶硅电池的pn结性质,并对其暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线产生具有重... 利用有限差分法求解半导体器件基本方程的方法,通过改变栅线电极和衬底掺杂浓度,研究了织构结构和非对称电极对晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性的影响。结果表明:衬底掺杂浓度决定了织构结构晶硅电池的pn结性质,并对其暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线产生具有重要影响;栅线电极覆盖绒面金字塔比率相同时,晶硅电池的暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线将出现相同的分区特性,且理想因子随绒面金字塔的增加而微幅增加;栅线电极与电池底面电极构成二极管的理想因子,随金字塔周期数增加而增大,是决定晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线性质的关键因素;当衬底掺杂浓度大于等于1×10^(17)时,暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线可分成三个变化区域;当衬底掺杂浓度小于1×10^(17)时,暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线可分成四个变化区域;同一偏压下,衬底掺杂浓度越高,暗电流越小。此外,利用pn结处于不同偏压下的总电流密度分布,详细分析了不同区域形成的物理机制。 展开更多
关键词 晶硅电池 暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线 理想因子 总电流密度
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基于暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线对晶硅电池杂质和缺陷性质研究
3
作者 宋扬 陆晓东 +3 位作者 王泽来 赵洋 吕航 张宇峰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期439-444,共6页
暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线是一种有效监测晶硅电池内部杂质和缺陷性质的表征手段。本文利用有限差分法较系统地研究了杂质和缺陷性质对暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线的影响,并给出了利用暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线判断晶硅电池内部杂质和缺陷类型和分布的基本准则,结果表... 暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线是一种有效监测晶硅电池内部杂质和缺陷性质的表征手段。本文利用有限差分法较系统地研究了杂质和缺陷性质对暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线的影响,并给出了利用暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线判断晶硅电池内部杂质和缺陷类型和分布的基本准则,结果表明:在大于0.75 V的正向偏压区域,暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线的明显变化可作为判断为由晶硅电池体内杂质和缺陷引起;在0.1 V^0.75 V的正向偏压区域,暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线的理想因子分区性质可作为晶硅电池体内和表面杂质和缺陷的依据。 展开更多
关键词 晶硅电池 暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线 理想因子 杂质 缺陷
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