题名 基于ECT系统的信号完整性分析
1
作者
马敏 陆成超 江锋
机构
中国民航大学航空自动化学院
出处
《传感器与微系统》
CSCD
2016年第7期30-31,34,共3页
基金
国家自然科学基金青年基金资助项目(61102096 61401466) 中国民航大学中央高校基金资金项目(ZXH2012D002)
文摘
为了进一步提高电学层析成像(ECT)采集系统的测量精度,分析研究了ECT信号的完整性对测量结果的影响。针对测量电容信号微弱、值在p F级别的特点,设计出一种考虑信号完整性的ECT采集系统,其传感器占空比为81%。利用上述系统来分析信号完整性对测量结果的影响。实验结果表明:当正弦激励信号的峰峰值为18.7 V时,采集到的最大信号经过电流/电压(C/V)转换后的电压峰峰值为921 m V,与理论计算结果基本吻合;运用灵敏度矩阵系数算法,在PC上得出了清晰的ECT图像。表明该测量系统满足精度要求。
关键词
电学层析成像采集系统 信号完整性 占空比 电流/电压转换 灵敏度矩阵系数算法
Keywords
Ec T ac quisition system signal integrity duty ratio current/voltage（c/v） conversion sensitiv ity matrix c oeffic ient algorithm
分类号
TP212.9
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
题名 高k HfO2栅介质淀积后退火工艺研究
2
作者
刘倩倩 魏淑华 杨红 张静 闫江
机构
北方工业大学电子信息工程学院 中国科学院微电子研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期285-290,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61504001) 北京市自然科学基金资助项目(4162023)
文摘
研究了淀积后退火（PDA）工艺（包括退火环境和退火温度）对高介电常数（k）HfO2栅介质MOS电容（MOSCAP）电学特性的影响。通过对比O2和N2环境中,不同退火温度下的HfO2栅介质MOSCAP的C-V曲线发现,高k HfO2栅介质在N2环境中退火时具有更大的工艺窗口。通过对HfO2栅介质MOSCAP的等效氧化层厚度（dEOT）、平带电压（Vfb）和栅极泄漏电流（Ig）等参数进一步分析发现,与O2环境相比,高k HfO2栅介质在N2环境中PDA处理时dEOT和Ig更小、Vfb相差不大,更适合纳米器件的进一步微缩。HfO2栅介质PDA处理的最佳工艺条件是在N2环境中600℃下进行。该优化条件下高k HfO2栅介质MOSCAP的dEOT=0.75 nm,Vfb=0.37 V,Ig=0.27 A/cm-2,满足14或16 nm技术节点对HfO2栅介质的要求。
关键词
HFO2 淀积后退火(PDA) c -v 特性等效氧化层厚度 平带电压 栅极泄漏电流
Keywords
HfO2 post deposition annealing （ PDA ） c -v c harac teristic equiv alent oxide thic kness flat band voltage gate leakage current
分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
