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CuO/SiO_2复合薄膜的微观结构和发光特性分析
1
作者
石锋
李玉国
孙钦军
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期234-238,共5页
采用射频磁控共溅射法在硅衬底上沉积Cu/SiO2复合薄膜,然后在N2保护下高温退火,再于空气中自然冷却氧化,制备出低维CuO纳米结构,并对其微观结构和光致发光进行研究.退火温度为1100℃时样品中主晶相为立方晶系的CuO(200)晶面,薄膜样品表...
采用射频磁控共溅射法在硅衬底上沉积Cu/SiO2复合薄膜,然后在N2保护下高温退火,再于空气中自然冷却氧化,制备出低维CuO纳米结构,并对其微观结构和光致发光进行研究.退火温度为1100℃时样品中主晶相为立方晶系的CuO(200)晶面,薄膜样品表面出现纳米线状结构,表面组分主要包括Cu、O元素,冷却氧化形成CuO/SiO2复合薄膜.该温度下退火后,光致发光谱中出现紫外光和紫光,这是由于复合薄膜中CuO的导带底到Cu空穴缺陷能级的跃迁导致的.
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关键词
射频磁控共溅射法
CuO/SiO2复合薄膜
微观结构
光致发光特性
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职称材料
题名
CuO/SiO_2复合薄膜的微观结构和发光特性分析
1
作者
石锋
李玉国
孙钦军
机构
山东师范大学物理与电子科学学院
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期234-238,共5页
文摘
采用射频磁控共溅射法在硅衬底上沉积Cu/SiO2复合薄膜,然后在N2保护下高温退火,再于空气中自然冷却氧化,制备出低维CuO纳米结构,并对其微观结构和光致发光进行研究.退火温度为1100℃时样品中主晶相为立方晶系的CuO(200)晶面,薄膜样品表面出现纳米线状结构,表面组分主要包括Cu、O元素,冷却氧化形成CuO/SiO2复合薄膜.该温度下退火后,光致发光谱中出现紫外光和紫光,这是由于复合薄膜中CuO的导带底到Cu空穴缺陷能级的跃迁导致的.
关键词
射频磁控共溅射法
CuO/SiO2复合薄膜
微观结构
光致发光特性
Keywords
radio frequency magnetron co-sputtering
cupric oxide/sillica composite thin films
microstructure
photoluminescent properties
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
CuO/SiO_2复合薄膜的微观结构和发光特性分析
石锋
李玉国
孙钦军
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
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职称材料
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