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CMOS低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路设计
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作者 徐雷钧 马宇杰 +2 位作者 黄磊 白雪 陈建锋 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期296-303,共8页
为了进一步提高电压响应度和探测成像速度,降低噪声等效功率,基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路,提出了一种由自混频功率探测电路、电压缓冲级、运算放大器组成的1×4太赫兹阵列结构。通过源极差... 为了进一步提高电压响应度和探测成像速度,降低噪声等效功率,基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路,提出了一种由自混频功率探测电路、电压缓冲级、运算放大器组成的1×4太赫兹阵列结构。通过源极差分驱动的自混频功率探测电路将辐射信号耦合至场效应管的栅极和源极,实现高响应度。通过电压缓冲级降低总体噪声,通过运算放大器有效放大探测信号。探测器线阵电路面积为0.8 mm^(2)。测试结果表明,当偏置电压为0.5 V时,该探测系统对0.37 THz辐射信号的电压响应度最大可达441 kV/W,对应的最小噪声等效功率为48 pW/Hz^(1/2)。相比单像素探测器,该探测器阵列可有效提升探测成像速度;相比传统的探测器阵列,该探测器阵列具有更优的性能参数。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(cmos) 太赫兹 探测器 高响应度 低噪声
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用于射频能量收集的低阈值CMOS整流电路设计
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作者 徐雷钧 孙鑫 +1 位作者 白雪 陈建锋 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期365-372,共8页
基于TSMC 180 nm工艺,设计了一款高效率低阈值整流电路。在传统差分输入交叉耦合整流电路的基础上,提出源极与衬底之间增加双PMOS对称辅助晶体管配合缓冲电容的改进结构,对整流晶体管进行阈值补偿。有效缓解了MOS管的衬底偏置效应,降低... 基于TSMC 180 nm工艺,设计了一款高效率低阈值整流电路。在传统差分输入交叉耦合整流电路的基础上,提出源极与衬底之间增加双PMOS对称辅助晶体管配合缓冲电容的改进结构,对整流晶体管进行阈值补偿。有效缓解了MOS管的衬底偏置效应,降低了整流电路的开启阈值电压,针对较低输入信号功率,提高了整流电路的功率转换效率(PCE)。同时将低阈值整流电路三级级联以提高输出电压。测试结果显示,在输入信号功率为-14 dBm@915 MHz时,三级级联低阈值整流电路实现了升压功能,能稳定输出1.2 V电压,峰值PCE约为71.32%。相较于传统结构,该低阈值整流电路更适合用于射频能量收集。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(cmos) 射频能量收集 低阈值电压 RF-DC整流电路 差分输入交叉耦合整流电路
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MEMS矢量水听器敏感结构的后CMOS释放工艺研究 被引量:1
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作者 谭皓宇 刘国昌 +3 位作者 张文栋 张国军 杨玉华 王任鑫 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第4期33-36,共4页
纤毛式微机电系统(MEMS)矢量水听器可探测水下质点振速等矢量信息,与互补金属氧化物半导体(CMOS)集成能够很大程度地提升其性能。针对纤毛式MEMS矢量水听器的CMOS集成提出了一种方案,该方案在MEMS后处理工艺中,利用侧墙保护和各向异性... 纤毛式微机电系统(MEMS)矢量水听器可探测水下质点振速等矢量信息,与互补金属氧化物半导体(CMOS)集成能够很大程度地提升其性能。针对纤毛式MEMS矢量水听器的CMOS集成提出了一种方案,该方案在MEMS后处理工艺中,利用侧墙保护和各向异性湿法腐蚀从正面释放水听器的十字梁敏感结构。整个后处理过程不需要光刻,降低加工难度的同时,保证了加工结构的精确性。设计出了一种验证性的工艺流程,具体分析了4种不同结构的湿法腐蚀过程。最终完成了这4种结构的工艺流片,对实验结果进行了分析。实验验证了该方案的可行性,为纤毛式MEMS矢量水听器的CMOS集成奠定了基础。 展开更多
关键词 矢量水听器 互补金属氧化物半导体集成 各向异性湿法腐蚀 侧墙保护 结构释放
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CMOS传感器紫外敏化膜层的厚度优化及其光电性能测试 被引量:10
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作者 刘琼 马守宝 +3 位作者 钱晓晨 阮俊 卢忠荣 陶春先 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期225-230,共6页
采用真空热阻蒸方式在CMOS图像传感器感光面上镀制不同厚度性比价高的Lumogen薄膜.研究发现不同Lumogen薄膜厚度的CMOS传感器的暗电流噪声未发生明显变化,说明真空热蒸发方式对互补金属氧化物半导体器件本身未造成热损伤;光响应非均匀... 采用真空热阻蒸方式在CMOS图像传感器感光面上镀制不同厚度性比价高的Lumogen薄膜.研究发现不同Lumogen薄膜厚度的CMOS传感器的暗电流噪声未发生明显变化,说明真空热蒸发方式对互补金属氧化物半导体器件本身未造成热损伤;光响应非均匀度随膜厚增加而增大;动态范围却随膜厚增加而减小;量子效率随膜厚增加呈现先增大后减小.同时,研究发现敏化膜层最佳厚度为389nm,此时CMOS传感器的量子效率提高了10%,且光响应非均匀度,动态范围均在相对较好的范围内. 展开更多
关键词 传感器技术 薄膜技术 紫外敏化 互补金属氧化物半导体传感器 荧光材料 量子效率 动态范围
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一种改进型的CMOS电荷泵锁相环电路 被引量:7
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作者 李演明 仝倩 +4 位作者 倪旭文 邱彦章 文常保 吴凯凯 柴红 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期248-253,共6页
设计了一种宽频率范围的CMOS锁相环(PLL)电路,通过提高电荷泵电路的电流镜镜像精度和增加开关噪声抵消电路,有效地改善了传统电路中由于电流失配、电荷共享、时钟馈通等导致的相位偏差问题。另外,设计了一种倍频控制单元,通过编程锁频... 设计了一种宽频率范围的CMOS锁相环(PLL)电路,通过提高电荷泵电路的电流镜镜像精度和增加开关噪声抵消电路,有效地改善了传统电路中由于电流失配、电荷共享、时钟馈通等导致的相位偏差问题。另外,设计了一种倍频控制单元,通过编程锁频倍数和压控振荡器延迟单元的跨导,有效扩展了锁相环的锁频范围。该电路基于Dongbu HiTek 0.18μm CMOS工艺设计,仿真结果表明,在1.8 V的工作电压下,电荷泵电路输出电压在0.25~1.5 V变化时,电荷泵的充放电电流一致性保持很好,在100 MHz^2.2 GHz的输出频率内,频率捕获时间小于2μs,稳态相对相位误差小于0.6%。 展开更多
关键词 锁相环 电荷泵 鉴频鉴相器 压控振荡器 互补金属氧化物半导体(cmos )
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两通道按列输出CMOS图像的非均匀性及校正方法 被引量:6
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作者 杨国鹏 周欣 +1 位作者 陈东 胡昌苗 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期2087-2093,共7页
为确保航空遥感图像产品相对辐射质量,提出了一种对两通道按列输出CMOS(互补金属氧化物半导体)图像的非均匀性进行校正的方法。以美国仙童公司CMOS探测器CIS2521F为例,通过实验室积分球观测试验研究了暗电流噪声、平均灰度、两通道输出... 为确保航空遥感图像产品相对辐射质量,提出了一种对两通道按列输出CMOS(互补金属氧化物半导体)图像的非均匀性进行校正的方法。以美国仙童公司CMOS探测器CIS2521F为例,通过实验室积分球观测试验研究了暗电流噪声、平均灰度、两通道输出等因素造成的图像非均匀性;然后,基于实验室积分球观测数据,采用两点线性法,校正了由按列放大输出导致的列状条带噪声;接着,通过优化拼接线附近图像灰度差异统计结果,校正了两通道响应不一致造成的图像辐射差异。试验表明,单通道图像非均匀校正使积分球观测图像的平均非均匀度量值由4.4下降至2.4,两通道图像非均匀校正消除了两通道图像的目视差异。原始航空遥感图像经过非均匀性校正后,图像灰度均匀,能够满足遥感图像判读要求。 展开更多
关键词 遥感图像 cmos 图像非均匀性 两通道输出 辐射校正
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无源温度标签中的超低功耗CMOS温度传感器设计 被引量:2
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作者 冯鹏 邓元明 +5 位作者 伯林 刘力源 于双铭 李贵柯 王开友 吴南健 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期572-578,602,共8页
设计了一种适用于无源超高频(UHF)温度标签的超低功耗CMOS温度传感器电路。该电路利用衬底pnp晶体管产生随温度变化的电压信号,同时采用了逐次逼近寄存器(SAR)转换和Σ-Δ调制相结合的模拟数字转换方式。为了降低电源电压波动以及... 设计了一种适用于无源超高频(UHF)温度标签的超低功耗CMOS温度传感器电路。该电路利用衬底pnp晶体管产生随温度变化的电压信号,同时采用了逐次逼近寄存器(SAR)转换和Σ-Δ调制相结合的模拟数字转换方式。为了降低电源电压波动以及采样电容电荷泄漏对传感器测温精度的不利影响,提出了一种具有漏电保护机制的采样电路。基于0.18μm CMOS工艺设计实现了该传感器的电路和版图,其中版图面积为550μm×450μm,并利用Cadence Spectre仿真工具对电路进行了仿真。仿真结果表明,在-40~125℃,传感器的系统误差为-1.4~2.0℃,测温分辨率达到0.02℃;在1.2~2.6 V电源电压内,传感器输出温度波动小于0.3℃;在1.2 V电源电压下传感器电路(不含控制逻辑及数字滤波器)的功耗仅为2.4μW。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(cmos) 温度传感器 超低功耗 无源 温度标签
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CCD与CMOS像素传感器γ射线电离辐射响应特性对比研究 被引量:6
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作者 徐守龙 邹树梁 +2 位作者 黄有骏 郭赞 匡雅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期815-822,共8页
为了研究CCD与CMOS像素传感器对γ射线电离辐射的响应差异,对比研究了4类像素传感器的结构特点和辐射响应特性。通过辐射实验,对各传感器在不同辐射水平条件下的光子响应事件分布、平均灰度值以及典型光子响应事件进行研究。研究结果表... 为了研究CCD与CMOS像素传感器对γ射线电离辐射的响应差异,对比研究了4类像素传感器的结构特点和辐射响应特性。通过辐射实验,对各传感器在不同辐射水平条件下的光子响应事件分布、平均灰度值以及典型光子响应事件进行研究。研究结果表明:光子响应程度均与辐射剂量率相关;CCD像素传感器的沟道传输方式使每列像元间的辐射响应更容易相互干扰;平均灰度值随剂量率的增大存在明显的梯度,各积分周期内输出信号灰度值围绕均值上下波动,CCD像素传感器输出信号灰度浮动范围较小;CMOS像素传感器各像元对光子的响应更加明显,CCD像素传感器各像元的响应信号易与相邻像元发生串扰;各类像素传感器典型辐射响应事件区域中发生光子响应的像元数量随剂量率的增大而增多,响应事件并非单个光子的行为,而是反映了多个光子在区域内同时沉积能量的过程。本研究为开发像素传感器的γ射线辐射探测技术和应用提供了重要的理论分析和实验数据支撑。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体 电荷耦合元件 像素传感器 光子电离辐射 辐射响应特性
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CMOS图像传感器在太阳磁场观测中的应用研究 被引量:6
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作者 段帷 宋谦 +5 位作者 白先勇 郭晶晶 冯志伟 邓元勇 林佳本 张建立 《天文学报》 CSCD 北大核心 2020年第4期43-52,共10页
磁场是太阳物理的第1观测量,当前太阳磁场观测研究正迈向大视场、高时空分辨率、高偏振测量精度以及空间观测的时代.中国首颗太阳观测卫星-先进天基太阳天文台(ASO-S)也配置了具有高时空分辨率、高磁场灵敏度的全日面矢量磁像仪(FMG)载... 磁场是太阳物理的第1观测量,当前太阳磁场观测研究正迈向大视场、高时空分辨率、高偏振测量精度以及空间观测的时代.中国首颗太阳观测卫星-先进天基太阳天文台(ASO-S)也配置了具有高时空分辨率、高磁场灵敏度的全日面矢量磁像仪(FMG)载荷,针对FMG载荷的需求,讨论了大面阵、高帧频互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器应用于太阳磁场观测的可行性.首先,基于滤光器型太阳磁像仪观测的原理,比较分析了目前CMOS图像传感器(可用的或是可选的两种快门模式)的特点,指出全局快门类型更适合FMG;其次搭建了CMOS传感器实验室测试系统,测量了CMOS图像传感器的像素增益及其分布规律;最后在怀柔太阳观测基地的全日面太阳望远镜上开展了实测验证,获得预期成果.在这些研究基础上,形成了FMG载荷探测器选型方向. 展开更多
关键词 仪器:探测器 太阳:磁场 cmos图像传感器 全局快门 有效载荷:FMG 滤光器型太阳磁像仪
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低功耗0.18μm 10Gbit/s CMOS 1∶4分接器设计 被引量:2
10
作者 潘敏 冯军 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期274-278,共5页
为了实现光纤通信系统中高速分接器低功耗的需求,采用0.18μm CMOS工艺实现了一个全CMOS逻辑10 Gbit/s 1∶4分接器.整个系统采用半速率树型结构,由1∶2分接单元、2分频器单元以及缓冲构成,其中锁存器单元均采用动态CMOS逻辑电路,缓冲由... 为了实现光纤通信系统中高速分接器低功耗的需求,采用0.18μm CMOS工艺实现了一个全CMOS逻辑10 Gbit/s 1∶4分接器.整个系统采用半速率树型结构,由1∶2分接单元、2分频器单元以及缓冲构成,其中锁存器单元均采用动态CMOS逻辑电路,缓冲由传输门和反相器实现.在高速电路设计中采用CMOS逻辑电路,不但可以减小功耗和芯片面积,其输出的轨到轨电平还能够提供大的噪声裕度,并在系统集成时实现与后续电路的无缝对接.测试结果表明,在1.8 V工作电压下,芯片在输入数据速率为10 Gbit/s时工作性能良好,芯片面积为0.475 mm×0.475 mm,核心功耗仅为25 mW. 展开更多
关键词 分接器 低功耗 动态cmos逻辑
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基于90nm CMOS工艺的60GHz射频接收前端电路设计 被引量:1
11
作者 郭瑞 杨浩 张海英 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期786-790,共5页
设计了一款用于中国60 GHz标准频段的射频接收前端电路。该射频接收前端采用直接变频结构,将59~64 GHz的微波信号下变频至5~10 GHz的中频信号。射频前端包括一个四级低噪声放大器和电流注入式的吉尔伯特单平衡混频器。LNA设计中考虑了... 设计了一款用于中国60 GHz标准频段的射频接收前端电路。该射频接收前端采用直接变频结构,将59~64 GHz的微波信号下变频至5~10 GHz的中频信号。射频前端包括一个四级低噪声放大器和电流注入式的吉尔伯特单平衡混频器。LNA设计中考虑了ESD的静电释放路径。后仿真表明,射频接收前端的转换增益为13.5~17.5 dB,双边带噪声因子为6.4~7.8 dB,输入1 dB压缩点为-23 dBm。电路在1.2 V电源电压下功耗仅为38.4 mW。该射频接收前端电路采用IBM 90 nm CMOS工艺设计,芯片面积为0.65 mm2。 展开更多
关键词 60GHz频段 射频接收前端 低噪声放大器 混频器 互补金属氧化物半导体
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低电压CMOS压控振荡器设计 被引量:1
12
作者 刘华珠 黄海云 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期382-384,396,共4页
设计和分析了一种低电压CMOS压控振荡器,对设计的电路进行理论分析和模型建立,并使用仿真工具对电路进行验证和优化。设计中主要考虑相位噪声和调谐宽度等指标,通过采用电感电容滤波技术以及合理调整电路结构和元器件参数,使相位噪声和... 设计和分析了一种低电压CMOS压控振荡器,对设计的电路进行理论分析和模型建立,并使用仿真工具对电路进行验证和优化。设计中主要考虑相位噪声和调谐宽度等指标,通过采用电感电容滤波技术以及合理调整电路结构和元器件参数,使相位噪声和调谐宽度均达到了较高的性能指标。结果表明,在1.2 V工作电压下,设计的VCO的尾电流为3 mA,输出振荡频率为2.24~2.57 GHz,中心频率约为2.4 GHz,调谐范围达到13.7%。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体 压控振荡器 相位噪声 调谐宽度 滤波器
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基于0.18μm CMOS工艺的300GHz高响应度探测器
13
作者 徐雷钧 汪附凯 +3 位作者 白雪 张子宇 赵心可 姜高峰 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第5期408-413,442,共7页
基于0.18μm CMOS工艺设计了一种300 GHz高响应度探测器。该探测器集成了双馈差分天线和双场效应管(FET)对称差分自混频电路。双馈差分天线较单馈天线有更高的精确度及更优的抗干扰性。差分自混频电路能有效地抑制共模信号,减小噪声输... 基于0.18μm CMOS工艺设计了一种300 GHz高响应度探测器。该探测器集成了双馈差分天线和双场效应管(FET)对称差分自混频电路。双馈差分天线较单馈天线有更高的精确度及更优的抗干扰性。差分自混频电路能有效地抑制共模信号,减小噪声输入。双场效应管后增加一级放大电路,将自混频电路输出的微弱信号进一步放大以增大响应度。天线与电路间的匹配网络实现了信号的最大功率传输。在全波电磁场仿真软件HFSS下对双馈天线进行建模与仿真优化,并与电路进行联合仿真。结果显示探测器在栅源电压为0.43 V、输入功率为-40 dBm时,最大响应度为11.25 kV/W,最小噪声等效功率为115pW/√Hz。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(cmos) 高响应度 双馈差分天线 对称差分自混频电路 放大电路
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基于自相关算法的超低噪声CMOS相机设计研究
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作者 李华 《科学技术与工程》 2010年第35期8910-8913,共4页
根据CMOS探测器噪声的特点,针对传统降噪方法较难去除的时间相关噪声提出了一种降噪的新算法。对算法进行了原理分析,介绍了该算法基于FPGA硬件实现的新方法。最后,通过实验结果,对该算法的效果进行了评价。
关键词 互补金属氧化物半导体(complementary Metal OXIDE Semiconductor cmos)探测器 时间相关噪声 自相关 SIMULINK
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基于环境微弱能量收集的低阈值CMOS电路设计 被引量:3
15
作者 潘祎雯 白雪 +1 位作者 赵文祥 徐雷钧 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第12期889-893,共5页
环境中存在着丰富的电磁波能量,而人体运动产生的机械能则是一种不受外界干扰非常稳定的能源,这些能源的存在使设备为自身供电成为可能。由于射频电磁波能量和振动能量密度低的特性,设计了一种能够匹配低功耗低电压的复合能量收集与管... 环境中存在着丰富的电磁波能量,而人体运动产生的机械能则是一种不受外界干扰非常稳定的能源,这些能源的存在使设备为自身供电成为可能。由于射频电磁波能量和振动能量密度低的特性,设计了一种能够匹配低功耗低电压的复合能量收集与管理电路。该电路采用0.18μm标准CMOS工艺,对电源转化模块、电源调节模块(整流电路、滤波电路、升压电路,以及为升压电路提供时钟信号的振荡电路)和储能模块进行了分析与设计。整流电路的最低输入电压为200 m V,整流效率达到75%。升压电路采用新型电荷泵电路,具有4.8倍升压效果,输出电压最高达到970 m V,电压纹波率为0.5%。当输入电流为50μA时,该电路转换率为10%,输出平均功率为1.14μW。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(cmos) 环境能量收集 低阈值 整流 电荷泵
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CMOS器件单粒子效应电荷收集机理 被引量:2
16
作者 董刚 封国强 +1 位作者 陈睿 韩建伟 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期839-843,共5页
针对90 nm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺,采用三维数值模拟方法,研究了反相器中NMOS(Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管与PMOS(Positive channel-Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管的单粒子瞬变... 针对90 nm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺,采用三维数值模拟方法,研究了反相器中NMOS(Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管与PMOS(Positive channel-Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管的单粒子瞬变(SET,Single Event Transient)电流脉冲,深入分析了PMOSFET(Positive channel-Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffect Transistor)与NMOSFET(Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)发生单粒子效应时电荷输运过程和电荷收集机理.研究结果表明,由于电路耦合作用,反相器中晶体管的电荷收集与单个晶体管差异显著;反相器中PMOS晶体管电荷收集过程中存在寄生双极放大效应,NMOS晶体管中不存在寄生双极放大效应;由于双极放大效应,90 nm工艺下PMOS晶体管产生的SET电压脉冲比NMOS晶体管产生的电压脉冲持续时间更长,进而导致PMOS晶体管的SET效应更加敏感.研究结果为数字电路SET的精确建模、进行大规模集成电路SET效应模拟提供了参考依据. 展开更多
关键词 单粒子瞬变 重离子 寄生双极放大效应 反相器 电荷收集 cmos工艺
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基于0.13μm CMOS的WiFi功率放大器设计 被引量:1
17
作者 齐文正 林敏 +2 位作者 杨根庆 董业民 黄水根 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期178-183,共6页
基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,设计了一款适用于无线保真(Wi Fi)收发机的发射端、工作在2.4 GHz且增益可控的三级级联功率放大器。驱动级采用单管结构,后两级采用共源共栅(MOSFET)结构。利用调节共源共栅晶体管栅极的电容来改变栅极电压... 基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,设计了一款适用于无线保真(Wi Fi)收发机的发射端、工作在2.4 GHz且增益可控的三级级联功率放大器。驱动级采用单管结构,后两级采用共源共栅(MOSFET)结构。利用调节共源共栅晶体管栅极的电容来改变栅极电压的相位,进而弥补了共源共栅结构的劣势,增加了整个系统的线性度和增益。另外,使用外部数字信号控制每级偏置的大小来适应不同的输出需求。整个结构采用电源电压:第一级为1.8 V,后两级为3.3 V,芯片面积为1.93 mm×1.4 mm。利用Candence Spectre RF软件工具对所设计的功率放大器进行仿真。结果表明,在2.4 GHz的工作频点,功率放大器的饱和输出功率为24.9 d Bm,最大功率附加效率为22%,小信号增益达到28 d B。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(cmos) 无线保真(WiFi) 功率放大器(PA) 线性度 共源共栅
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2~5GHz宽带CMOS低噪声放大器设计 被引量:3
18
作者 程远垚 蒋品群 宋树祥 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期493-498,共6页
低噪声放大器(LNA)是无线通信系统的重要组成部分。采用TSMC 0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一款能够满足LTE和802.11 b/g/e等多种无线通信应用标准的2~5 GHz的宽带CMOS LNA。为了实现宽带输入匹配与足够大的宽带功... 低噪声放大器(LNA)是无线通信系统的重要组成部分。采用TSMC 0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一款能够满足LTE和802.11 b/g/e等多种无线通信应用标准的2~5 GHz的宽带CMOS LNA。为了实现宽带输入匹配与足够大的宽带功率增益,并在有限的功耗下获得较低的噪声系数,设计的LNA使用了两级电阻反馈、电流复用结构和噪声消除技术。后仿真结果表明,在1.5 V直流电源供电下,电路功耗仅9.03 m W,低噪声放大器芯片核心面积仅为0.76 mm×0.81 mm,在2~5 GHz频段内,噪声系数为2.46~2.73 d B,功率增益大于16.7 d B,输入输出反射系数均低于-10 d B。因此,所设计的低噪声放大器,性能优良,适用于低噪声、低功耗的宽带无线通信产品。 展开更多
关键词 低噪声放大器(LNA) 互补金属氧化物半导体(cmos) 宽带 噪声抵消技术 版图
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基于CMOS工艺的太赫兹探测器 被引量:1
19
作者 管佳宁 徐雷钧 +1 位作者 白雪 赵不贿 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期414-418,共5页
提出了一种新型多频太赫磁探测器电路结构,采用圆形、菱形以及环形天线嵌套式构成多频探测单元,四个探测器相互之间设计保护层包围隔离,防止外部电路对其影响。在高频结构仿真器(HFSS)下对设计的双环差分天线、单环差分天线、圆形开... 提出了一种新型多频太赫磁探测器电路结构,采用圆形、菱形以及环形天线嵌套式构成多频探测单元,四个探测器相互之间设计保护层包围隔离,防止外部电路对其影响。在高频结构仿真器(HFSS)下对设计的双环差分天线、单环差分天线、圆形开槽天线和菱形天线进行模型与特性参数仿真优化。基于TSMC CMOS 0.18μm工艺制备了多频太赫兹探测器芯片,该芯片能实现280,290,320,600和806 GHz多频段探测功能。测试结果表明,双环天线结构、圆形开槽天线结构、菱形天线结构和单环差分天线结构的探测器在阈值电压为0.42 V时,最佳响应度分别为366.6,1 286.6,366.3和701.2 V/W,最小噪声等效功率分别为0.578,0.211,0.594和0.261 nW√Hz。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(cmos) 太赫兹 探测器 多频 片上天线
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基于55 nm CMOS工艺的可变增益放大器 被引量:4
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作者 安文星 佟玲 +1 位作者 刘亚轩 张娜 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期103-108,共6页
为了实现5G通信系统中高数据传输速率的要求,满足宽带条件下接收信号幅度的大动态范围变化,基于Global Foundries 55 nm CMOS工艺提出一种宽带且增益大范围线性变化的可变增益放大器.在该可变增益放大器中,采用改进型Cherry-Hooper放大... 为了实现5G通信系统中高数据传输速率的要求,满足宽带条件下接收信号幅度的大动态范围变化,基于Global Foundries 55 nm CMOS工艺提出一种宽带且增益大范围线性变化的可变增益放大器.在该可变增益放大器中,采用改进型Cherry-Hooper放大器结构使其动态范围和电路带宽有效扩展,并利用晶体管的可调谐特性,在不使用附加电路的前提下使增益变化具有良好线性,解决了CMOS电路中放大器增益与控制电压非线性变化的难题,同时添加低截止频率的高通滤波器,消除可变增益放大器的直流偏移,并降低其误码率.版图仿真结果表明,在-33.4~46.9 dB的超宽动态范围内实现增益线性变化,3-dB带宽对应的频率达到1.89 GHz(0.000 12~1.9 GHz),可变增益放大器芯片(核心区域,不含焊盘)面积仅为0.006mm^2.该可变增益放大器指标完全满足目前5G宽带通信系统的要求. 展开更多
关键词 放大器 互补金属氧化物半导体 宽带 增益控制
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