Al掺杂对β-Ga_(2)O_(3)薄膜光学性质的影响研究 被引量：1

1

作者 钟琼丽 王绪 +1 位作者 马奎 杨发顺 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第8期1352-1360,共9页

近年来,半导体器件向着高散热性、高击穿场强和低能耗的方向发展,因此超宽禁带半导体材料β-Ga_(2)O_(3)具有广阔的应用前景,而有效掺杂是实现β-Ga_(2)O_(3)器件的基础。实验采用磁控溅射法制备Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_... 近年来,半导体器件向着高散热性、高击穿场强和低能耗的方向发展,因此超宽禁带半导体材料β-Ga_(2)O_(3)具有广阔的应用前景,而有效掺杂是实现β-Ga_(2)O_(3)器件的基础。实验采用磁控溅射法制备Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)复合结构,经高温退火使Al原子热扩散进入薄膜中,形成Al掺杂的β-Ga_(2)O_(3)薄膜。采用激光区熔法使薄膜区域熔化再结晶,进一步提升掺杂质量。对Al掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜的晶体性质、杂质含量及光学性质进行了测试表征。结果表明:Al掺杂不改变β-Ga_(2)O_(3)薄膜的晶体结构;随着Al层溅射时间延长,掺杂含量逐渐增加;当Al溅射时间为5和10 s时,薄膜紫外吸收率分别为40%和50%;随着Al溅射时间的增加,Al掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜紫外区域光吸收率逐渐增强,Al溅射时间为300 s时,β-Ga_(2)O_(3)薄膜的光吸收率接近90%;低浓度的Al掺杂会导致β-Ga_(2)O_(3)薄膜的禁带宽度变窄。 展开更多

关键词 β-Ga_(2)O_(3)薄膜 al掺杂 磁控溅射 Ga_(2)O_(3)/al/Ga_(2)O_(3)/al/Ga_(2)O_(3)复合结构 光吸收 光学带隙

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Al-N共掺杂ZnO电子结构和光学性质 被引量：21

2

作者 高小奇 郭志友 +1 位作者 张宇飞 曹东兴 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期509-514,共6页

基于密度泛函理论的第一性原理,分析了Al-N共掺杂ZnO的电子结构和光学性质。计算了Al-N复合体共掺ZnO的结合能,发现Al-N复合体可以在ZnO中稳定存在,因此Al-N共掺可以提高N在ZnO的固溶度。研究表明：N掺杂ZnO体系,由于N-2p和Zn-3d态电子... 基于密度泛函理论的第一性原理,分析了Al-N共掺杂ZnO的电子结构和光学性质。计算了Al-N复合体共掺ZnO的结合能,发现Al-N复合体可以在ZnO中稳定存在,因此Al-N共掺可以提高N在ZnO的固溶度。研究表明：N掺杂ZnO体系,由于N-2p和Zn-3d态电子轨道杂化作用,在费米能级附近引入深受主能级,价带顶和导带底发生位移,导致禁带宽带变窄。而Al-N共掺杂体系,适当控制Al和N的比例,克服了N单掺杂时受主间的相互排斥,降低了受主能级,对改善ZnO的p型掺杂有重要意义。在Al-N共掺ZnO中,Al的引入,导致共掺体系的禁带宽度减小,吸收带边红移,实验现象证实了这一结果。 展开更多

关键词 al-N共掺杂 ZNO 电子结构 光学特性

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Al掺杂浓度对氧化锌纳米棒结构和光学性能的影响 被引量：6

3

作者 王玉新 崔潇文 +5 位作者 藏谷丹 张巍 宋勇 李真 王磊 赵帅 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期1001-1004,共4页

采用水热合成法以15min的溅射时间,0.7Pa的溅射压强制备的ZnO种子层玻璃片为衬底,制备出具有较好光致发光性能的Al掺杂ZnO纳米棒。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)谱表征了样品的晶体结构、表面形貌和光致... 采用水热合成法以15min的溅射时间,0.7Pa的溅射压强制备的ZnO种子层玻璃片为衬底,制备出具有较好光致发光性能的Al掺杂ZnO纳米棒。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)谱表征了样品的晶体结构、表面形貌和光致发光性能。结果表明,不同的Al掺杂浓度对于ZnO纳米棒产生了一定的影响,适当的Al掺杂使ZnO纳米棒的c轴择优取向更好,改善了ZnO的近紫外发光和蓝色发光特性。其结晶质量随着Al掺杂量的增加而降低,而且纳米棒的顶端在逐渐变细。随着Al^(3+)浓度的增加,纳米棒的光学性能先变好后变差,在Zn^(2+)与Al^(3+)的浓度比为1∶0.02时,纳米棒的光学性能效果最佳,紫外发光峰强度最大,并且出现了蓝移。 展开更多

关键词 al掺杂 ZNO纳米棒 水热法 光学特性 光致发光谱

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掺Al对ZnO薄膜结构和光电性能的影响 被引量：9

4

作者 徐自强 邓宏 +1 位作者 谢娟 李燕 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期503-507,共5页

采用溶胶-凝胶工艺在普通玻璃片上制备了ZnO∶Al薄膜。通过XRD、UV透射谱和电学测试等分析方法研究了掺Al对薄膜的组织结构和光电性能的影响。分析表明:所制备的薄膜具有c轴择优取向,随着掺Al浓度的增加,(002)峰向低角度移动,峰强逐渐... 采用溶胶-凝胶工艺在普通玻璃片上制备了ZnO∶Al薄膜。通过XRD、UV透射谱和电学测试等分析方法研究了掺Al对薄膜的组织结构和光电性能的影响。分析表明:所制备的薄膜具有c轴择优取向,随着掺Al浓度的增加,(002)峰向低角度移动,峰强逐渐减弱。薄膜电阻率随掺Al浓度变化,当掺Al浓度为1.5%(摩尔分数),薄膜电阻率降至6.2×10-4Ω·cm。掺Al量的增加同时使得薄膜的禁带宽度变大,光吸收边出现蓝移现象。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 溶胶-凝胶法 al掺杂 光学特性 电学特性

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热处理对Al掺杂ZnO薄膜晶体结构及光电性能的影响 被引量：7

5

作者 刘金铭 赵小如 +5 位作者 赵亮 张安 王丹红 邵继峰 曹萌萌 常晓 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1130-1135,共6页

采用溶胶凝-胶法在普通玻璃衬底上制备了具有c轴择优取向的Al掺杂ZnO透明导电薄膜。实验中将热处理过程分解为预烧、空气退火和真空退火三个部分,研究了各个步骤对于ZAO薄膜晶体结构和光电性能的影响。结果表明,500℃预烧550℃空气退火... 采用溶胶凝-胶法在普通玻璃衬底上制备了具有c轴择优取向的Al掺杂ZnO透明导电薄膜。实验中将热处理过程分解为预烧、空气退火和真空退火三个部分,研究了各个步骤对于ZAO薄膜晶体结构和光电性能的影响。结果表明,500℃预烧550℃空气退火的薄膜,经过550℃,1×10-2Pa真空退火后,其晶体结构和光电性能达到最佳,电阻率最低达到1.77×10-3Ω.cm,可见光范围内的平均透过率约为85%。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 al掺杂ZnO(ZAO) 热处理 晶体结构 光电性能

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种子层及掺杂浓度对溶胶-凝胶法制备ZnO∶Al薄膜光电性能的影响 被引量：5

6

作者 彭寿 汤永康 +5 位作者 王芸 金良茂 甘治平 王东 王萍萍 操芳芳 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期543-549,共7页

本文采用溶胶-凝胶法以提拉的方式在普通玻璃基底上制备出n型掺杂具有优良光电性能的氧化锌掺铝（AZO）薄膜,并以磁控溅射AZO薄膜为种子层引导液相法所制备AZO薄膜生长。Al掺杂浓度区间为0.25at%～5.00at%。通过X射线衍射仪、场发射扫... 本文采用溶胶-凝胶法以提拉的方式在普通玻璃基底上制备出n型掺杂具有优良光电性能的氧化锌掺铝（AZO）薄膜,并以磁控溅射AZO薄膜为种子层引导液相法所制备AZO薄膜生长。Al掺杂浓度区间为0.25at%～5.00at%。通过X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、轮廓仪、方块电阻测试仪、霍尔效应测试仪、紫外-可见-红外分光光度计分别研究了薄膜物相、微观结构、膜厚及光电性能,进一步分析了Al掺杂浓度、种子层对薄膜光电性能的影响。结果表明：经10次提拉所制备薄膜可见光透过率85%以上。Al掺杂浓度、种子层的引入对AZO薄膜的光电性能有重要影响。无种子层时,掺杂浓度为0.50at%的AZO薄膜在5%H2、95%N2还原气氛下于550℃保温60 min得到最优电学性能,方块电阻约为166Ω/□,电阻率约为1.99×10-3Ω·cm;预镀AZO种子层所制备薄膜方块电阻下降到约42Ω/□,电阻率下降到约7.56×10-4Ω·cm。 展开更多

关键词 al掺杂浓度 种子层 铝掺杂氧化锌薄膜 光电性能

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溶胶-凝胶法在PMMA上制备SiO_2-Al_2O_3涂层过程的研究 被引量：8

7

作者 刘海兵 周根树 郑茂盛 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期108-110,共3页

采用溶胶凝胶法，以无机盐ＡｌＣｌ３·６Ｈ２Ｏ、醇盐ＴＥＯＳ及自制偶联剂为原料，在ＰＭＭＡ上制备抗磨涂层，选择出得到高质量涂膜的合适组分及工艺。研究了膜形成的基本规律。结果表明，溶胶以线性方式生长；固化过程中涂层... 采用溶胶凝胶法，以无机盐ＡｌＣｌ３·６Ｈ２Ｏ、醇盐ＴＥＯＳ及自制偶联剂为原料，在ＰＭＭＡ上制备抗磨涂层，选择出得到高质量涂膜的合适组分及工艺。研究了膜形成的基本规律。结果表明，溶胶以线性方式生长；固化过程中涂层内形成Ｓｉ－Ｏ－Ａｌ－Ｏ－Ｓｉ的无机网络，这是涂层具有较高硬度及耐划伤性的根本原因；涂层与基体之间所形成的有机层保障了涂层与基体的紧密结合。涂膜试样的光学透过率仍达到９０％以上，表明该工艺在改善光学塑料耐划伤性方面广阔的应用前景。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 涂层 PMMA 氧化硅 氧化铝 有机玻璃

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超薄Al膜可见光光学特性与其特征尺寸的关系 被引量：3

8

作者 白雪冬 黄荣芳 闻立时 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第2期108-110,共3页

利用WFZ90 0 D4型紫外 /可见光分光光度计 ,测量了磁控测射超薄Al膜的可见光反射比和透射比。采用牛顿 辛普森方法确定超薄Al膜光学函数 ,进而计算其介电函数 ,得到了它们随膜厚变化的关系。结果表明 ,不同特征尺寸的薄膜 。

关键词 光学函数 介电函数 超薄铝膜 特征尺寸 薄膜

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热处理工艺对室温制备ZnO∶Al薄膜结构与光电性能的影响 被引量：2

9

作者 任明放 王华 +1 位作者 许积文 杨玲 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1189-1192,1198,共5页

采用室温溅射加后续退火工艺制备了ZnO∶Al透明导电薄膜。研究了热处理工艺对薄膜微观结构和光电性能的影响。研究表明:退火有助于减小Al3+对Zn2+的取代造成的晶格畸变,消除应力,促进晶粒长大,有效提高电子浓度和迁移率,降低电阻率;当... 采用室温溅射加后续退火工艺制备了ZnO∶Al透明导电薄膜。研究了热处理工艺对薄膜微观结构和光电性能的影响。研究表明:退火有助于减小Al3+对Zn2+的取代造成的晶格畸变,消除应力,促进晶粒长大,有效提高电子浓度和迁移率,降低电阻率;当溅射功率为80W、退火温度为320℃时,薄膜的电阻率可低至8.6×10-4Ω.cm;退火气氛对薄膜的导电性能有较大影响,真空退火可使吸附氧脱附,大大降低薄膜的方块电阻。而退火温度和退火气氛均对ZnO∶Al薄膜的透光率没有明显影响,薄膜的透光率在86%以上。 展开更多

关键词 ZnO∶al 光电性能 磁控溅射 退火工艺

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ZnO:Al薄膜制备及光电性能研究 被引量：1

10

作者 郅晓 朱涛 +2 位作者 任洋 李颖 赵高扬 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期1071-1073,共3页

利用溶胶-凝胶法在玻璃基板上制备了Al/Zn原子掺杂比例为0～0.25的掺铝氧化锌(ZnO:Al或AZO)薄膜,随后分别将其在空气,氧气和氮气3种不同气氛中退火处理,研究了薄膜的光学、电学与结构方面的性质。X射线衍射分析表明AZO薄膜是具有c轴择... 利用溶胶-凝胶法在玻璃基板上制备了Al/Zn原子掺杂比例为0～0.25的掺铝氧化锌(ZnO:Al或AZO)薄膜,随后分别将其在空气,氧气和氮气3种不同气氛中退火处理,研究了薄膜的光学、电学与结构方面的性质。X射线衍射分析表明AZO薄膜是具有c轴择优取向的六方纤锌矿结构多晶体;通过紫外-可见光分光计测定表明该薄膜在可见光范围内具有>80%的高透过率,随着铝掺杂比例的增大光学能隙增大且吸收边向短波方向移动。 展开更多

关键词 掺铝氧化锌 溶胶-凝胶 电阻率 光学带隙

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Cu/Al共掺ZnO光学性质的第一性原理计算 被引量：3

11

作者 李维学 高姗姗 +2 位作者 戴剑锋 索忠强 王青 《兰州理工大学学报》 CAS 北大核心 2021年第4期6-12,共7页

利用Material Studio2017软件中基于密度泛函理论的CASTEP模块,仿真建立2×2×2的ZnO超晶胞,在相同情况下用不同比例的Cu/Al(Cu-Al、2Cu-Al和Cu-2Al)替换超晶胞中的Zn原子,得到Zn_(1-x-y)Cu_(x)Al_(y)O体系,对本征ZnO和各掺杂体... 利用Material Studio2017软件中基于密度泛函理论的CASTEP模块,仿真建立2×2×2的ZnO超晶胞,在相同情况下用不同比例的Cu/Al(Cu-Al、2Cu-Al和Cu-2Al)替换超晶胞中的Zn原子,得到Zn_(1-x-y)Cu_(x)Al_(y)O体系,对本征ZnO和各掺杂体系ZnO的电子结构和光学性质进行了第一性原理计算.结果表明:上述各掺杂体系在低能区的光吸收均发生红移,体系为简并半导体.可针对ZnO的不同用途,通过控制Cu/Al掺杂比来提高该体系在可见光范围内的光吸收或光透射.在可见光范围内,Zn_(0.8125)Cu_(0.125)Al_(0.0625)O体系的光吸收最强,可用于制作太阳能电池板的光电极材料等;Zn_(0.8125)Cu_(0.0625)Al_(0.125)O体系的透光率高,可用于制作高透光ZnO半导体薄膜. 展开更多

关键词 Cu/al共掺ZnO 第一性原理计算 电子结构 光学性质

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Ti_(1-x)Al_xN薄膜的制备及性能研究 被引量：2

12

作者 熊锐 李佐宜 +4 位作者 胡作启 杨晓非 徐瑛 林更琪 胡用时 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 1998年第1期22-25,共4页

介绍了利用反应溅射法制备Ti1-xAlxN薄膜的工艺过程，测量并分析了Ti1-xAlxN薄膜的光学性能及电阻率与薄膜成分的关系。结果表明，Ti1-zalxN薄膜的折射率和消光系数均随薄膜中Al含量x的增加而减小，电阻率则随x的增加而增大。并从薄膜... 介绍了利用反应溅射法制备Ti1-xAlxN薄膜的工艺过程，测量并分析了Ti1-xAlxN薄膜的光学性能及电阻率与薄膜成分的关系。结果表明，Ti1-zalxN薄膜的折射率和消光系数均随薄膜中Al含量x的增加而减小，电阻率则随x的增加而增大。并从薄膜的基本结构变化过程对实验结果作出解释。 展开更多

关键词 薄膜 射频反应溅射 光学性质 电阻率 钛氮薄膜

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(L1_2,D0_(22))-TiAl_3和L1_2-Ti(Al,Pt)_3电子结构与光学性质第一性原理计算 被引量：1

13

作者 段永华 孙勇 鲁俐 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第24期3591-3597,共7页

基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理赝势平面波方法,采用广义梯度近似(GGA),计算了立方结构L12-TiAl3和L12-Ti(Al,Pt)3及四方结构D022-TiAl3的电子结构与光学性质。计算结果表明L12-TiAl3和D022-TiAl3费米能级附近价带和导带主要是由Ti... 基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理赝势平面波方法,采用广义梯度近似(GGA),计算了立方结构L12-TiAl3和L12-Ti(Al,Pt)3及四方结构D022-TiAl3的电子结构与光学性质。计算结果表明L12-TiAl3和D022-TiAl3费米能级附近价带和导带主要是由Ti的3d和Al的3p轨道贡献,而L12-Ti(Al,Pt)3费米能级附近价带和导带则主要是由Ti的3d和Pt的6s轨道贡献;同时也计算了L12-TiAl3、L12-Ti(Al,Pt)3和D022-TiAl3的介电函数、折射率、吸收系数和反射率等。 展开更多

关键词 L12-Ti(al Pt) 第一性原理 电子结构 光学性质

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SiC_p/AL复合材料在空间光学遥感器上的应用 被引量：1

14

作者 马建平 傅丹鹰 《航天返回与遥感》 2000年第2期46-49,共4页

文章论述了碳化硅颗粒增强铝基(SiC_p/AL)复合材料在空间光学遥感器上的应用,较系统地介绍了已经完成的空间光学遥感器光机结构件镜身、镜盒的制造技术,并提出了对该材料在空间光学遥感器上应用前景的设想。

关键词 SICP/al 空间光学遥感器 碳化硅 铝基复合材料

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Ti─Al二元系α／γ相平衡 被引量：1

15

作者 秦高梧 郝士明 《东北大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1996年第3期266-269,共4页

利用合金平衡处理与电子探针微区成分分析及定量金相分析技术测定了Ｔｉ－Ａｌ二元系α／γ相平衡成分，明确了（α＋γ）相区结构．结果表明，在１３００℃下不存在β与γ相的相平衡关系．该结论与ＭｃＣｕｌｏｕｇｈ等人利用高温Ｘ射... 利用合金平衡处理与电子探针微区成分分析及定量金相分析技术测定了Ｔｉ－Ａｌ二元系α／γ相平衡成分，明确了（α＋γ）相区结构．结果表明，在１３００℃下不存在β与γ相的相平衡关系．该结论与ＭｃＣｕｌｏｕｇｈ等人利用高温Ｘ射线衍射的测定结果一致。 展开更多

关键词 α/γ相平衡 合金平衡处理 钛铝合金 相平衡

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AlGaN外延薄膜材料的椭圆偏振光谱研究

16

作者 李秋俊 冯世娟 +2 位作者 刘毅 赵红 赵文伯 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1691-1693,共3页

对蓝宝石衬底上生长的一系列AlxGa1-xN薄膜进行了椭圆偏振光谱研究,得到了薄膜的厚度以及245～1000nm的光学常数;通过有效介质模型计算出Al组分;随着Al组分的增加,折射率n下降,吸收边蓝移,与透射光谱结果一致。

关键词 alGaN薄膜 椭圆偏振光谱 光学常数 al组分

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磁控溅射制备Al掺杂氮化铜薄膜研究

17

作者 袁作彬 左安友 李兴鳌 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期5180-5184,共5页

利用磁控共溅射方法在玻璃基底上制备出了Al掺杂Cu_3N薄膜,研究了其晶体结构、表面形貌、光学特性和电学特性。XRD结果表明Al掺杂没有引起峰位的明显变化,说明Al替代了Cu的位置或者进入晶界处,并且随掺杂含量升高,结晶度降低;扫描电子... 利用磁控共溅射方法在玻璃基底上制备出了Al掺杂Cu_3N薄膜,研究了其晶体结构、表面形貌、光学特性和电学特性。XRD结果表明Al掺杂没有引起峰位的明显变化,说明Al替代了Cu的位置或者进入晶界处,并且随掺杂含量升高,结晶度降低;扫描电子显微镜图像表明Al掺杂之后使得氮化铜晶粒形状变得不规则,晶界变得模糊,说明Al掺杂会抑制氮化铜晶体的生长;通过光学透射谱计算得到光学带隙,Al掺杂降低了氮化铜薄膜的光学带隙,并随着掺杂含量的增加而逐渐减小,实现了Al掺杂氮化铜薄膜光学带隙的连续可调,带隙减小源于Al外层电子的局域态进入氮化铜的带隙间,增加了中间态。同时四探针的测试也表明掺杂之后电阻率变小。 展开更多

关键词 氮化铜 薄膜 al掺杂 光学特性 电学特性

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Sn掺杂浓度对Sn-Al共掺ZnO纳米棒光学性能的影响

18

作者 王玉新 王媛媛 +2 位作者 蔺冬雪 刘佳慧 宋勇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期10185-10188,共4页

采用磁控溅射法和水热法在玻璃片上制备了具有较好光致发光性能的Sn-Al共掺杂ZnO纳米棒。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和光致发光(PL)光谱表征了样品的表面形态、晶体结构和光致发光特性。结果表明Sn掺杂促进了ZnO纳米棒... 采用磁控溅射法和水热法在玻璃片上制备了具有较好光致发光性能的Sn-Al共掺杂ZnO纳米棒。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和光致发光(PL)光谱表征了样品的表面形态、晶体结构和光致发光特性。结果表明Sn掺杂促进了ZnO纳米棒的横向生长,ZnO纳米棒的直径随着Sn掺杂量的增加而增加且长度变短,结晶质量也随之下降。Sn掺杂ZnO纳米棒对紫外光区峰值强度没有明显的影响,但Sn的掺杂浓度低时会导致发光峰发生蓝移,随着Sn的掺杂浓度达到一定水平时,则观察到发光峰开始红移。在可见光区峰值强度随着Sn掺杂浓度的增加而增加。 展开更多

关键词 Sn-al共掺 水热法 ZNO纳米棒 光学特性 光致发光谱

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Al-glass-Al阳极键合界面及力学性能的分析 被引量：5

19

作者 陈大明 胡利方 +2 位作者 薛永志 陈少平 王文先 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期71-75,132,共6页

利用两步法阳极键合技术成功实现了Al-glass-Al的连接,利用扫描电镜(SEM)观察Al-glass界面形貌,利用辉光放电发射光谱仪(GD-OES)分析界面元素(K,Na,O,Al)分布规律,利用原子力显微镜(AFM)分析键合前后玻璃的表面形貌,采用万能材料试验机... 利用两步法阳极键合技术成功实现了Al-glass-Al的连接,利用扫描电镜(SEM)观察Al-glass界面形貌,利用辉光放电发射光谱仪(GD-OES)分析界面元素(K,Na,O,Al)分布规律,利用原子力显微镜(AFM)分析键合前后玻璃的表面形貌,采用万能材料试验机测试了不同工艺参数下试样的力学性能.结果表明,第二次键合界面电流值明显高于第一次键合界面电流值;Al-glass-Al界面结合良好,玻璃两侧界面无明显差异;Al3+有向Na+耗尽层中扩散的趋势,先形成的耗尽层中Na+浓度明显高于后形成的耗尽层;键合过程中,Na+在玻璃表面析出,玻璃表面Ra升高,玻璃表面质量下降是造成玻璃试样沿第二次键合面Al(2)-glass界面断裂的主要原因. 展开更多

关键词 阳极键合 铝–玻璃–铝 辉光放电发射光谱分析 微机电系统

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中高体积分数SiC_p/Al复合材料研究进展 被引量：18

20

作者 程思扬 曹琪 +1 位作者 包建勋 张舸 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期1064-1075,共12页

中高体积分数SiC_p/Al复合材料相较于传统合金材料具有力学性能和热学性能'可裁剪'的特点。本文介绍了中高体积分数SiC_p/Al复合材料的主要制备技术工艺,以及中高体积分数SiC_p/Al复合材料在精密仪器、光学系统、电子封装及热... 中高体积分数SiC_p/Al复合材料相较于传统合金材料具有力学性能和热学性能'可裁剪'的特点。本文介绍了中高体积分数SiC_p/Al复合材料的主要制备技术工艺,以及中高体积分数SiC_p/Al复合材料在精密仪器、光学系统、电子封装及热控领域典型应用,最后展望了中高体积分数SiC_p/Al复合材料未来的发展趋势。 展开更多

关键词 SIC_P/al复合材料 中高体积分数 精密仪器 光学器件 电子封装

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