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光控晶闸管的集成BOD转折电压
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作者 高山城 罗艳红 +2 位作者 吴飞鸟 李玉玲 高飞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期414-418,共5页
介绍了新型光控晶闸管,其集成了一个非常重要的电气功能,即正向过压保护功能。通过在光控晶闸管光敏区内集成转折二极管(BOD),实现光控晶闸管正向保护功能。如果集成BOD转折电压太高,不能有效保护晶闸管;若转折电压太低,则达不到光控晶... 介绍了新型光控晶闸管,其集成了一个非常重要的电气功能,即正向过压保护功能。通过在光控晶闸管光敏区内集成转折二极管(BOD),实现光控晶闸管正向保护功能。如果集成BOD转折电压太高,不能有效保护晶闸管;若转折电压太低,则达不到光控晶闸管设计的阻断电压要求。通过计算机仿真技术和工艺实验方法,成功地揭示了光控晶闸管集成BOD转折电压与硅材料电阻率、pn结结构尺寸和温度的关系,从而精确设计了光控晶闸管集成BOD转折电压,研制了5英寸(1英寸=2.54 cm)3 125 A/7 600 V特高压光控晶闸管,并成功应用于"云南-广东±800 kV/5 000 MW"特高压直流输电工程中。 展开更多
关键词 光控晶闸管(LTT) 光敏区 转折二极管(bod) 正向保护 转折电压 特高压直流输电(UHVDC)
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单阀中允许最多BOD触发晶闸管级数的简要分析 被引量:5
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作者 张建峰 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期112-114,共3页
中国溪洛渡贵广一回、贵广二回等直流输电工程中均采用了直接光触发晶闸管换流阀。为了满足超高压、特高压工程的要求,换流阀采用众多晶闸管的串联技术。为了确保触发的可靠性,作为后备紧急保护触发,在每个晶闸管内部有集成了转折二极管... 中国溪洛渡贵广一回、贵广二回等直流输电工程中均采用了直接光触发晶闸管换流阀。为了满足超高压、特高压工程的要求,换流阀采用众多晶闸管的串联技术。为了确保触发的可靠性,作为后备紧急保护触发,在每个晶闸管内部有集成了转折二极管(BOD)电路。笔者就该电路的工作原理和单阀中允许最多BOD触发晶闸管级数的限定原则进行分析。 展开更多
关键词 转折二极管 光分配器 换流阀
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限流器晶闸管阀自触发保护动作电压阈值设计 被引量:15
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作者 王华昕 蓝元良 汤广福 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1811-1817,共7页
为提高串联谐振型故障限流器(series resonant fault current limiter,SRFCL)旁路电路的可靠性,减小谐振电容的氧化锌避雷器(MOV)能量消耗,研究了晶闸管阀自触发保护动作电压阈值设计方法。限流器控制器失灵是最恶劣的故障态,只能依赖... 为提高串联谐振型故障限流器(series resonant fault current limiter,SRFCL)旁路电路的可靠性,减小谐振电容的氧化锌避雷器(MOV)能量消耗,研究了晶闸管阀自触发保护动作电压阈值设计方法。限流器控制器失灵是最恶劣的故障态,只能依赖晶闸管阀自触发保护即击穿二极管触发晶闸管(break over diode,BOD)。设计了BOD动作时序,从动作时间和避雷器能耗角度分析阈值影响因素。BOD动作电压阈值决定了晶闸管阀过电压保护水平和触发时间。电压阈值设置低,BOD保护会和保护判据竞争;电压阈值设置高,避雷器能耗水平会提高。以华东电网限流器示范工程为背景,建立限流器仿真模型,通过大量仿真计算,总结了电压阈值变化对避雷器能耗水平影响规律,提出了电压阈值设计指标。研究结果对工程设计具有指导意义。 展开更多
关键词 串联谐振型故障限流器(SRFCL) 自触发保护 击穿二极管触发晶闸管 动作时序 避雷器能耗 阈值设计
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新型机电混合断路器及其电流转移过程分析 被引量:4
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作者 郭兴宇 黄智慧 +1 位作者 梁德世 邹积岩 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第24期6411-6419,共9页
为降低传统机械式断路器动作过程产生的触头烧蚀、暂态恢复电压与介质恢复过程的竞争、关合涌流等暂态过程的影响,该文提出一种用于配电系统的新型机电混合断路器拓扑结构:双断口真空灭弧室负责通载额定电流,动作时电流转移到与其并联... 为降低传统机械式断路器动作过程产生的触头烧蚀、暂态恢复电压与介质恢复过程的竞争、关合涌流等暂态过程的影响,该文提出一种用于配电系统的新型机电混合断路器拓扑结构:双断口真空灭弧室负责通载额定电流,动作时电流转移到与其并联的背靠背大功率整流二极管,由二极管完成开关的零区过程。该拓扑结构可以消除上述合分操作可能产生的暂态过程,且能保持机电开关各自的优势。首先分析新型机电混合断路器的动作过程和原理并进行仿真;然后搭建实验样机,进行机电部分的电流转移特性实验。仿真及实验的结果表明:电流转移的时间受二极管的特性参数影响,存在饱和效应;在本实验条件下的转移电流峰值达到二极管额定电流3倍时电流转移率开始减小,达到5倍时电流转移趋向于饱和;该文给出的拓扑结构在典型参数下能够实现10kA短路电流的微弧甚至无弧分断,断路器的机电混合模式对电力开关的发展具有重要意义。 展开更多
关键词 电流转移 机电混合断路器 功率二极管 无弧分断
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激光混沌信号相关法测距研究 被引量:5
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作者 王云才 钱建军 《深圳大学学报(理工版)》 EI CAS 北大核心 2010年第4期379-385,共7页
报道了将混沌信号相关法测距技术用于自由空间、光纤和电缆断点检测方面的研究结果.所研制的用于汽车防撞的混沌激光雷达样机,实现量程为150m,精度为0.18m的抗干扰激光测距.提出并研制可测量光纤网络断点的混沌相关法光时域反射仪,在实... 报道了将混沌信号相关法测距技术用于自由空间、光纤和电缆断点检测方面的研究结果.所研制的用于汽车防撞的混沌激光雷达样机,实现量程为150m,精度为0.18m的抗干扰激光测距.提出并研制可测量光纤网络断点的混沌相关法光时域反射仪,在实验室获得量程为65km,精度为6cm的测量结果.通过快速光电探测器将混沌激光转换电混沌信号,实现了对电缆等电介质传输线故障点的检测,得到7cm的断点定位精度. 展开更多
关键词 混沌激光 激光测距 激光雷达 光时域反射仪 电缆断点 测距 半导体激光器
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用于多相无刷励磁机开路与短路故障检测的磁极探测线圈设计 被引量:8
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作者 孙宇光 杜威 +2 位作者 桂林 段贤稳 郝亮亮 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第14期3542-3554,共13页
多相无刷励磁机已广泛应用于大容量核电机组,但现阶段对常见故障缺乏可靠的检测及保护措施。该文设计了一种用于无刷励磁机故障检测的磁极探测线圈,并研究了不同磁极下探测线圈的组合联结方式。针对多相环形绕组无刷励磁机的励磁绕组匝... 多相无刷励磁机已广泛应用于大容量核电机组,但现阶段对常见故障缺乏可靠的检测及保护措施。该文设计了一种用于无刷励磁机故障检测的磁极探测线圈,并研究了不同磁极下探测线圈的组合联结方式。针对多相环形绕组无刷励磁机的励磁绕组匝间短路、二极管开路、电枢绕组断线和内部短路等常见故障,分析了正常运行和各种故障工况下多相电流及其产生的合成电枢反应磁场的特点,推导出各种故障在磁极探测线圈端口引起的电压谐波特征,并通过样机实验进行了验证。理论分析与实验结果表明,应用该文设计的组合磁极探测线圈,可根据探测线圈端口电压的频率特征,检测并区分各种故障,为提高多相无刷励磁机的安全可靠性提供了新思路。 展开更多
关键词 多相无刷励磁机 磁极探测线圈 励磁绕组匝间短路 二极管开路故障 电枢绕组 断线故障 电枢绕组内部短路
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工艺参数对低压TVS器件耐压的影响 被引量:1
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作者 陈天 谷健 郑娥 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期106-111,共6页
目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入。从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响。当DP注入剂量小于6.0×1014cm-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大于6 V... 目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入。从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响。当DP注入剂量小于6.0×1014cm-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大于6 V。DP注入能量在50 ke V以下与高浓度n+区复合形成的pn结雪崩击穿耐压大于6 V;当控制基区尺寸使n+集电区与DP基区的间距大于1.2μm时击穿电压保持为7 V,但是随着n+与DP基区的间距增加,电流导通路径受到挤压变窄,在相同的反向测试电流下,器件耐压略有提升。通过对单向TVS工艺仿真优化,选择了关键工艺参数,并进行了工程实验,制备了兼具低电容和高抗ESD能力的TVS器件,保证了对主器件实施可靠的保护。 展开更多
关键词 瞬间电压抑制(TVS)二极管 击穿电压 工艺参数 静电放电(ESD) 齐纳击穿
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